问答

以前项目的板子用的STM32F407ZGT6，现在要求主控芯片必须国产化，想直接替换成GD32F407ZGT6，不改变原先的外围电路，请问大佬们有尝试过的嘛，可以的话那就太省事了，我先给大家鞠个躬吧！！！

使用了HC32F460PETB单片机，在批量生产中个别产品出现串口乱码情况，经排查是硬件电路设计为外部8M有源晶振，代码中en_clk_xtal_mode配置的是CLKXtalModeOsc=1u，后将代码配置修改为CLKXtalModeExtclk=1u后串口打印正常，有大神能帮忙解释下原理吗？为什么这个地方配置错误，产品会出现问题，之前小批量生产的时候没有出现乱码现象。

spi2配置没问题，可以正常使用，但是加上dma，发现dma没有开启，有没有大佬告诉我一下，我下面的代码配置哪里有问题，找了好久找不出来，谢谢谢谢！！！uint8_tspi2_tx_buf[6]={0};uint8_tspi2_rx_buf[6]={0};voidDMA0_CH0_Config()//spi——RX{dma_single_data_parameter_structdma_init_spi2_rx;rcu_periph_clock_enable(RCU_DMA0);dma_deinit(DMA0,DMA_CH0);dma_init_spi2_rx.direction=DMA_PERIPH_TO_MEMORY;dma_init_spi2_rx.memory0_addr=(uint32_t)(spi2_rx_buf);//存储器地址dma_init_spi2_rx.memory_inc=DMA_MEMORY_INCREASE_ENABLE;dma_init_spi2_rx.periph_addr=(uint32_t)&SPI_DATA(SPI2);dma_init_spi2_rx.periph_inc=DMA_PERIPH_INCREASE_DISABLE;dma_init_spi2_rx.periph_memory_width=DMA_PERIPH_WIDTH_8BIT;dma_init_spi2_rx.number=sizeof(spi2_rx_buf);dma_init_spi2_rx.priority=DMA_PRIORITY_ULTRA_HIGH;dma_init_spi2_rx.circular_mode=DMA_CIRCULAR_MODE_DISABLE;dma_single_data_mode_init(DMA0,DMA_CH0,&dma_init_spi2_rx);dma_channel_subperipheral_select(DMA0,DMA_CH0,DMA_SUBPERI4);dma_memory_address_config(DMA0,DMA_CH0,DMA_MEMORY_0,(uint32_t)(spi2_rx_buf));//存储器地址dma_transfer_number_config(DMA0,DMA_CH0,sizeof(spi2_rx_buf));dma_channel_enable(DMA0,DMA_CH0);spi_dma_enable(SPI2,SPI_DMA_RECEIVE);}

我在GD32F450ZKT6中烧录了STM32F407HAL库的代码，但是外部晶振无法起振，找不到原因，有兄弟们这样搞过的吗？烧录的是正点原子的探索者跑马灯程序。

LKS081开发板上电以后，ST-link检测不到芯片，并且FlashDownload中的ResetandRun勾选上以后，关闭选项卡再打开又回到原先没有勾选的状态，请问这是咋回事啊

最近要使用定时器的正交编码器功能，手册也看过几遍，着手要试一下，却发现不知道该如何操作，请问有谁使用过华大的HC32L136系列的正交编码器功能呢，希望指点一下。另外手册中16.2.7中介绍正交编码器计数功能的时候说MSCR.SMS是用来选择编码器模式的，但是在后面的寄存器介绍中找到了MSCR这个寄存器，但是没有找到相关的位。

今天学习了pwm的原理后,尝试用SYSTICK模拟pwm的占空比变化来实现LED的呼吸效果,但没有成功.是因为不使用GPIO的pwm模式就无法输出模拟电压吗?代码如下:intmain(void){u32i;LED_Init();delay_init();while(1){for(i=0xFFFFF;i>0;i--){LED_Output_Low();delay_ms(1);LED_Output_High();delay_ms(9);}for(i=0xFFFFF;i>0;i--){LED_Output_Low();delay_ms(9);LED_Output_High();delay_ms(1);}}}在两个时间段内赋予不同的占空比,跟pwm的原理应该是一样的,但不知道为什么不能实现呼吸灯效果

at32f413rct7flash只进行重复的擦除扇区（FLASH_ErasePage）的操作，但不写数据，这样会影响flash的寿命吗。我用at32f413rct7来测试，重复擦除扇区一个扇区。大概重复操作了15万次。还是能正常擦写其他数据，但是发现，擦除一次的时间会从32ms慢慢变得60多ms。之后这个测试的扇区的擦除时间保持在60多ms了。在stm32f103rcflash上，我也用过相同的测试，擦除一次的时间一直保持在20ms左右。不知道这个擦除时间的问题是说明了flash的寿命是有影响的。

如题，请大家帮忙看一下，航顺的芯片能否完全替换掉ST的STM32F103RBT6？还是在有功能限制的情况下能够完全替换。