问答-
GD32F103VET6替换同型号STM32，并口写入数据有问题
如题，原先使用STM32VET6使用FSMC接口写入/读写外部的SRAM芯片，正常，使用8位数据位读写（外部SRAM芯片仅支持8位数据位），地址总线和数据总线复用。地址线使用到a0-a11；都是使用的是STM32的HAL库。STM32写入时，先写入地址，在写入数据，但在写入数据期间，因为是复用的，AD0-AD7由地址数值切换为数据数值，而AD8-AD11仍保持高地址数值；数据可以正常写入到外部的SRAM芯片中；但是替换为GD32后，写入数据时，在写入数据期间，AD8-AD11会直接输出低电平，就会导致数据不会写入到AD8-AD11为一的地址上；（写入地址的时候，AD8-AD11会输出对应的高低电平，但是到写入具体数据时，AD8-AD11会直接输出低电平）举一个例子，例如我向0x60000303写入数据0x11；STM32可以在0x60000303写入数据0x11；而GD32由于上面说的在写入数据的时候，AD8-AD11总是输出0，所以就会向0x60000003的地址上写入了0x11，无法正常向0x60000100-0x600007FF写入数据。GD32可以正常向低地址上写入数据，读数据均正常（低地址/高地址均可读出正确数据）；目前的问题就是GD32无法在写入具体数据的周期中，无法保证AD8-AD11的状态导致的问题。请问是否有办法通过修改gd32的寄存器的方式或者设置，直接实现正常向高地址写入数据。
2026-03-23 4 -
程序>flash size 但是< （flash size + data size）-如何烧录？
本帖最后由xmcxsta于2024-4-308:53编辑新片子，使用J-FLASHJ烧录程序大于flashsize但是<（flashsize+datasize），发现烧录不了，必须先设置config区，把dataflash也改为flash，然后断电重启，才能烧录目前做法是使用J-LINK脚本连续烧录2次，第一次烧录，主要设置config区，第二次烧录才是烧录需要的程序手头没有NULINK，nulink好像可以直接改把，但是也很麻烦，有没有什么脚本工具批量改的？
2024-04-03 13
