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MOS管防止电源反接的一些总结

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楼主: 瑞生
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41楼
shuiqinghan2012| | 2015-9-25 13:13 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
oldzhang 发表于 2015-7-19 00:00
MOSFET的特点是多数载流子导电，其特点就是ds导通后是电阻型，没有PN结，不受电流方向的约束，模拟开关就是 ...

Thanks

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42楼
shuiqinghan2012| | 2015-9-25 13:15 | 只看该作者
如果是三极管，NPN的电流方向只能是C到E，PNP的电流方向只能是E到C。不过，MOS管的D和S是可以互换的。这也是三极管和MOS管的区别之一。（关于这个问题，咱们另开一篇**讨论，这篇只讨论MOS管的防反接作用）。
想听楼主这部分解释，如何收藏帖子？

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43楼
刘东君| | 2015-9-26 11:48 | 只看该作者
overfire 发表于 2015-7-25 09:22
为什么要接成反的？

利用寄生二极管的导通作用，在刚上电时，使得UGS满足阀值要求。

那样电源反接就会因为二极管，导通了

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44楼
second_chan| | 2015-10-19 13:57 | 只看该作者
谢谢分享。。。

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45楼
erichuolo| | 2015-10-19 17:06 | 只看该作者
liozhenbin92 发表于 2015-8-13 16:29
多谢瑞工分享，我又遇到了另一个问题，据我知道的一般MOS管的VGS最大电压一般都是20到30V左右，如果给VGS端 ...

你把两个分压电阻加大就行了。

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46楼
zznic| | 2015-10-19 17:55 | 只看该作者
戈卫东 发表于 2015-7-25 14:53
电压如果高于GS击穿电压MOS管就会坏掉

所以一般G端加个电阻能起到保护作用吧.

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47楼
teddeng| | 2015-10-20 13:32 | 只看该作者
zznic 发表于 2015-10-19 17:55
所以一般G端加个电阻能起到保护作用吧.

这种电路本来就是低电压供电降低损耗用的，供电电压都大于20V了，用二极管啊，那点压降根本就无所谓了，别一根筋啊。。

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48楼
武当奇人| | 2015-11-25 16:27 | 只看该作者
这个办法不错

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49楼
yaoyuanytu| | 2015-11-25 23:45 | 只看该作者
好电路，简单电路大作用。我们单位在两线制设备中防反接采用的就是IN4007来实现，还有的产品采用整流桥方式，MOS的还没有。能耗高的地方或需求高的地方这个方案可行

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50楼
garin223| | 2015-12-3 15:41 | 只看该作者
楼主这个方法，其实来源于电源中的“同步整流技术”。该技术就是使用MOS管取代二极管，降低开关损坏（降低VF值）

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51楼
wo_yjk| | 2015-12-7 23:41 | 只看该作者
肖特基桥式电路呢？

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52楼
玻璃之城| | 2015-12-22 15:07 | 只看该作者
写的不错，赞一个

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53楼
yk0yk| | 2015-12-30 23:11 | 只看该作者
讲的很清楚

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54楼
小小袋鼠| | 2016-1-11 22:40 | 只看该作者
学习了

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55楼
dzgcslgw| | 2016-3-14 00:23 | 只看该作者
给力  学习了

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56楼
LemonRK| | 2016-6-8 08:38 | 只看该作者
不错！！！！！！！！！

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57楼
因火生烟| | 2016-6-14 16:55 | 只看该作者
不错

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58楼
keigo2008| | 2016-6-16 11:32 | 只看该作者
OSFET的特点是多数载流子导电，其特点就是ds导通后是电阻型，没有PN结，不受电流方向的约束，模拟开关就是根据这个原理制作的。

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59楼
939670129| | 2016-6-17 00:00 | 只看该作者
感谢楼主分享，恍然大悟

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60楼
六角雪| | 2016-6-17 13:20 | 只看该作者
没看懂，反接的时候不是可以通过体二极管导通吗？

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