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MOS管防止电源反接的一些总结

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楼主: 瑞生
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zdx7046| | 2016-8-2 12:40 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
讲的不错,但有一个问题,不知楼主如何处理:若是输入电压低于4V的话,MOS导通不彻底;该如何处理?

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jjjkkk00| | 2016-8-25 11:19 | 只看该作者
mark

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shisizai| | 2016-8-25 21:29 | 只看该作者
方法很好,mos管的一个应用,不明白的随便看本模电书就好了,
如果有人担心电路中VGS大于20V,加个分压,保证VGS能大于5V就好了,分压电阻里面的电流和干路电流相比就忽略了吧

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shisizai| | 2016-8-25 21:31 | 只看该作者
zdx7046 发表于 2016-8-2 12:40
讲的不错,但有一个问题,不知楼主如何处理:若是输入电压低于4V的话,MOS导通不彻底;该如何处理? ...

1 看你电路中电流多大,一般mos管VGSth2-3V,电流小的话也可以
2 换成IGBT
3 换成二极管……

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65
lizhaohu| | 2017-5-25 10:17 | 只看该作者
好  现在就用到设计的电路上,谢谢

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suxilong| | 2017-6-1 22:28 | 只看该作者
啊 好厉害!!!!!一个小小三极管 MOS 却有如此大的学问 !!!!!

谢谢楼主!!!

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67
suxilong| | 2017-6-2 08:36 | 只看该作者
瑞生,你好!!!

感谢的分享!!!

有个boost 电路的疑问, 担心 升压过程中L 的能量 反流 烧毁MCU。

请问你这个电路 能否应用上?

https://bbs.21ic.com/forum.php?mo ... p;extra=#pid7903740

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68
18017373376| | 2017-6-2 09:33 | 只看该作者
thanks

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woshizhengjie89| | 2017-6-2 13:04 | 只看该作者
学习了,赞一个

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james_zhangwk| | 2017-6-2 13:43 | 只看该作者
写的不错,需要考虑在gs上串联一个10k的电阻会更好

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青柠_| | 2017-6-5 14:27 | 只看该作者
学习了,谢谢楼主

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ufofhb| | 2017-6-21 12:45 | 只看该作者
学习了 感谢楼主

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tianyuan1992| | 2017-6-21 14:00 | 只看该作者
讲的很清晰,值得学习!

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谈笑书生| | 2017-7-6 17:03 | 只看该作者
james_zhangwk 发表于 2017-6-2 13:43
写的不错,需要考虑在gs上串联一个10k的电阻会更好

你好  请教个 为何要在gs端加入一个10K电阻?起保护作用?

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qianshilingyao| | 2017-8-21 11:02 | 只看该作者
james_zhangwk 发表于 2017-6-2 13:43
写的不错,需要考虑在gs上串联一个10k的电阻会更好

求助吖,请问具体电阻怎么呢

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james_zhangwk| | 2017-8-21 11:09 | 只看该作者
谈笑书生 发表于 2017-7-6 17:03
你好  请教个 为何要在gs端加入一个10K电阻?起保护作用?

是的。因为插拔的时候会有浪涌信号

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song0805| | 2017-8-23 16:15 | 只看该作者
打ESD的时候会不会受影响?跟二极管相比会不会有影响 响应时间 的问题?

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78
lucanliu| | 2017-8-26 21:00 | 只看该作者

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79
sunul| | 2017-9-20 08:50 | 只看该作者
确实很巧妙 谢谢楼主

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dsyq| | 2019-7-7 14:49 | 只看该作者
Mark!

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