MOS管防止电源反接的一些总结

发表于 2015-9-25 13:13

oldzhang 发表于 2015-7-19 00:00
MOSFET的特点是多数载流子导电，其特点就是ds导通后是电阻型，没有PN结，不受电流方向的约束，模拟开关就是 ...

Thanks

发表于 2015-9-25 13:15

如果是三极管，NPN的电流方向只能是C到E，PNP的电流方向只能是E到C。不过，MOS管的D和S是可以互换的。这也是三极管和MOS管的区别之一。（关于这个问题，咱们另开一篇**讨论，这篇只讨论MOS管的防反接作用）。
想听楼主这部分解释，如何收藏帖子？

发表于 2015-9-26 11:48

overfire 发表于 2015-7-25 09:22
为什么要接成反的？

利用寄生二极管的导通作用，在刚上电时，使得UGS满足阀值要求。

那样电源反接就会因为二极管，导通了

发表于 2015-10-19 13:57

谢谢分享。。。

发表于 2015-10-19 17:06

liozhenbin92 发表于 2015-8-13 16:29
多谢瑞工分享，我又遇到了另一个问题，据我知道的一般MOS管的VGS最大电压一般都是20到30V左右，如果给VGS端 ...

你把两个分压电阻加大就行了。

发表于 2015-10-19 17:55

戈卫东发表于 2015-7-25 14:53
电压如果高于GS击穿电压MOS管就会坏掉

所以一般G端加个电阻能起到保护作用吧.

发表于 2015-10-20 13:32

zznic 发表于 2015-10-19 17:55
所以一般G端加个电阻能起到保护作用吧.

这种电路本来就是低电压供电降低损耗用的，供电电压都大于20V了，用二极管啊，那点压降根本就无所谓了，别一根筋啊。。

发表于 2015-11-25 16:27

这个办法不错

发表于 2015-11-25 23:45

好电路，简单电路大作用。我们单位在两线制设备中防反接采用的就是IN4007来实现，还有的产品采用整流桥方式，MOS的还没有。能耗高的地方或需求高的地方这个方案可行

发表于 2015-12-3 15:41

楼主这个方法，其实来源于电源中的“同步整流技术”。该技术就是使用MOS管取代二极管，降低开关损坏（降低VF值）

发表于 2015-12-7 23:41

肖特基桥式电路呢？

发表于 2015-12-22 15:07

写的不错，赞一个

发表于 2015-12-30 23:11

讲的很清楚

发表于 2016-1-11 22:40

学习了

发表于 2016-3-14 00:23

给力学习了

发表于 2016-6-8 08:38

不错！！！！！！！！！

发表于 2016-6-14 16:55

不错

发表于 2016-6-16 11:32

OSFET的特点是多数载流子导电，其特点就是ds导通后是电阻型，没有PN结，不受电流方向的约束，模拟开关就是根据这个原理制作的。

发表于 2016-6-17 00:00

感谢楼主分享，恍然大悟

发表于 2016-6-17 13:20

没看懂，反接的时候不是可以通过体二极管导通吗？