N MOS损坏原因？

只看该作者 · 2015-10-13 13:35

你GS两端不加启动电阻怎么可能会好

只看该作者 · 2015-10-13 13:37

在GS端加个10K电阻

只看该作者 · 2015-10-13 13:40

或者在R17两端并一个反向2级管和一个差不多22欧姆的电阻但是GS端必须加启动电阻10k左右的至于R18不要

只看该作者 · 2015-10-13 16:06

单片机io口，接个npn三极管，就能把驱动的电平从5V转换到10V，这样子工作起来就可靠得多了

只看该作者 · 2015-10-14 17:28

有点疑问，既然是电热丝，为何R18的阻值会如此小？另外即便存在散热，也有可能散热不充分，若温度超过MOS管的结温，就会烧坏

只看该作者 · 2015-10-15 08:25

楼主问题解决没有？关注中

只看该作者 · 2015-10-15 11:31

结合各位建议，正在测试稳定性

只看该作者 · 2015-10-15 16:00

解决没有？
负载接到D极VDD之间。
PWM要用推挽，电压12V左右。
PWM频率用低一些。
要加散热片或PCB散热。
可以的话同型号MOS并联，方便散热。

只看该作者 · 2015-10-15 19:08

皈依发表于 2015-10-13 09:07
这个是个人的猜测，因为不知道楼主具体情况。
首先要排除生产工艺的问题，避免静电接触等不良情况出现。
...

我的电路图是这个。出现的问题是Q1经常DS短路，不受G控制。不是经常出现，但开机上电时有一定机会出现。我想问的是：
1、Q1的选型是不是有误，RTR030的VGSS只有12V。
2、mos管两端的大电容是不是有问题。
3、还有没有其它隐患，解决方法是什么？
谢谢！

1万 · 2015-10-15 21:14

你的图我怎么看不懂呢。。。Q2是干嘛用的
Q1怎么左右两边都是13.8V。。。。Q1是干嘛的
这个电路要实现怎样的功能？

1万 · 2015-10-15 21:14

sky412 发表于 2015-10-15 19:08
我的电路图是这个。出现的问题是Q1经常DS短路，不受G控制。不是经常出现，但开机上电时有一定机会出现。 ...

你的图我怎么看不懂呢。。。Q2是干嘛用的
Q1怎么左右两边都是13.8V。。。。Q1是干嘛的
这个电路要实现怎样的功能？

只看该作者 · 2015-10-16 08:34

1.看一下你的PWM 信号上升和下降沿是否太慢了
2. PWM信号幅值是否太低了

只看该作者 · 2015-10-16 10:58

各位好！
1、结合各位的建议，更改了电路，MOS管暂时测试没有损坏，但出现D极时有尖脉冲，从而导致系统的开关电源达到了过流保护，请问应该处理好所产生的尖脉冲？
下图：5V/div，D极（系统电源）约11V：尖脉冲峰值接近25V；（电路图的R18为负载等效电阻），谢谢各位。

只看该作者 · 2015-10-16 11:01

你可以这样做，估计不会烧了，单要注意电流，一个MOS不够的话可以再平一个MOS

只看该作者 · 2015-10-16 11:03

要注意的10V电压不能再低了是MOS驱动的最低电压了不然MOS容易发热

只看该作者 · 2015-10-16 11:12

MOS现在是不烧坏了，目前问题是：MOS开关瞬间有尖脉冲，如何去除这尖脉冲？让系统可以稳定工作？

1万 · 2015-10-16 16:15

电源保护，是负载的冲击电流太大，负载是加热丝，冷态和热态阻值差别比较大吧，可以试试开始快速开关，让加热丝预热，然后再长时间加热，另外增加电源的功率。
过冲，是负载呈感性，另外电源保护，出现反电动势，电源不保护了，估计过充就小了，同时可以考虑增加续流和并合适的电容

只看该作者 · 2015-10-16 17:24

zhaoyu2005 发表于 2015-10-16 16:15
电源保护，是负载的冲击电流太大，负载是加热丝，冷态和热态阻值差别比较大吧，可以试试开始快速开关，让加 ...

谢谢！
您好！
发热丝热态的时候，这过冲还是存在（MOS管的D极）；测量系统电源端倒是没有这现象。

只看该作者 · 2015-10-16 17:24

皈依发表于 2015-10-15 21:14
你的图我怎么看不懂呢。。。Q2是干嘛用的
Q1怎么左右两边都是13.8V。。。。Q1是干嘛的
这个电路要实现怎样 ...

1、+13.8V为输入的电压，13.8V是MOS管Q1导通后的输出，供其它电路使用。
2、R4左边的为控制信号(下面简称为CTRL)，这个控制信号有两个作用，一个是控制MOS管开关，还有就是产生SWB+信号。SWB+信号是作为其它电路的开关。
3、当CTRL为13.8V时，Q3导通集电极为低电平，Q2截止，SWB+为高电平，R3两端有2.4V的压差，控制MOS管导通，从而Q1左边有13.8V的电压。
4、当CTRL为0时，Q3截止，Q2导通，R3两端有0.4V的压差，MOS管截止，从Q1无输出。
5、Q2组成的电路我是为了方便分析画出来，如果觉得没必要可以不理