N MOS损坏原因？

1万 · 2015-10-16 22:01

sky412 发表于 2015-10-16 17:24
1、+13.8V为输入的电压，13.8V是MOS管Q1导通后的输出，供其它电路使用。
2、R4左边的为控制信号(下面简称 ...

哦这样啊你的选型有点小小的擦边球。。。
尖峰什么的有点危险。。你看一下上电时电流有多大，选型可以选择一些参数大一些的
原理上没啥问题。。。如果是我最多加个二极管。。其实也没卵用

只看该作者 · 2015-10-17 10:10

zyj9490 发表于 2015-10-16 19:47
要用多对的并生管才行，0.05的导通电阻，功耗为125W，不靠谱。

您好！用了多个并接，但是DS上升时的这尖脉冲应该如何去除？

1万 · 2015-10-17 10:29

NICKY99 发表于 2015-10-17 10:10
您好！用了多个并接，但是DS上升时的这尖脉冲应该如何去除？

在D极处加大电容和小电容并联,第二在D极处加TVS管限压.或者在负载并一个TVS管.

只看该作者 · 2015-10-17 10:40

楼上的各位大神的建议以及措施我都看了下，有说的对的，也有不对的，我试着分析一下
你这个电路是buck降压的一种典型应用，首先，要使mos管工作在开关状态，除了电路要达到开关要求外，还要能达到开跟关，例如，你G极加了mcu输出电压，哪怕此电压不满足通用10V的要求，但勉强也算开了，那你要考虑，怎么关？G极的电压是否在MCU不输出时就没有了？楼上有推荐推挽电路的，这是一种方法，没问题，你要考虑为什么要用推挽驱动？实际就是既能加10V压降，又能PNP管放电。放电才能关。
其次，作为发热电阻丝内阻不大，因此电流很大，所以要考虑限流，但你这个电路无法限流，在PWM开期间电流就是50A，所以只能靠提高PWM频率来减少平均电流，至少10K以上。
第三，你开时这个过冲非常正常，而且实际不是单过冲，是震荡，看看buck降压电路一些知识，怎么处理。一般来说，要串电感，但你这个电流有点大，电感要求也比较高。
至于电阻的位置，为了保证mos管正常开关，S极接地，建议放D极，但也不绝对，例如你如果测电流采样，只能放S端，那么就并联一个自举电容

只看该作者 · 2015-10-17 10:42

NICKY99 发表于 2015-10-16 10:58
各位好！
1、结合各位的建议，更改了电路，MOS管暂时测试没有损坏，但出现D极时有尖脉冲，从而导致系统的开 ...

电阻丝感性，所以产生较大的过冲，有两种方式可以解决：1、D极并电容；2、D极并个稳压二极管

只看该作者 · 2015-10-17 10:44

sky412 发表于 2015-10-15 19:08
我的电路图是这个。出现的问题是Q1经常DS短路，不受G控制。不是经常出现，但开机上电时有一定机会出现。 ...

开机时控制信号的初始状态不对

1万 · 2015-10-17 20:26

NICKY99 发表于 2015-10-16 17:24
谢谢！
您好！
发热丝热态的时候，这过冲还是存在（MOS管的D极）；测量系统电源端倒是没有这现象。

热态也有过冲，只是会小点，加热丝有一定感性，出现过冲属正常现象。关于这点可以看看模拟电路方面的书。

1万 · 2015-10-17 20:39

zyj9490 发表于 2015-10-16 19:47
要用多对的并生管才行，0.05的导通电阻，功耗为125W，不靠谱。

LZ选的管子，最小导通电阻0.004欧，你下个datasheet看看吧。

只看该作者 · 2015-10-17 22:00

MCU直接驱动,PWM电压幅度最多肯定也就5V吧。所以VGS太小

1万 · 2015-10-17 22:22

如果你的33楼的图是MOSFET的D极对地的电压波形，表明在MOSFET断开时，负载的感性产生的自感电压，因为电阻丝没有按照无感的方法去缠绕，断开的电流越大，断开时的自感电势越大，34楼给负载并联二极管的方法很有效的。你可以直接按照34楼的方法，用高速二极管并联在负载上。
还可以在负载上并联电容，但是由于楼主的电阻较小，并联的电容可能容量要大，可以用无极性的电容多个去并联，也可以用高速电解电容试试。

1万 · 2015-10-17 22:36

加热电阻丝最好是无感缠绕方法，过冲就没有了

1万 · 2015-10-18 00:34

zhaoyu2005 发表于 2015-10-17 20:39
LZ选的管子，最小导通电阻0.004欧，你下个datasheet看看吧。

還有一個條件，VGS=10V。

只看该作者 · 2015-10-19 09:33

该mos管既然是用作开关管为啥只有输入没有输出？

只看该作者 · 2015-10-20 18:15

很显然，第一，S极接负载，导通后，托高S极电压，相对GS电压下降，管子进入放大区，发热严重。第二，MCU为何种型号，如果改D极负载还发热，肯定是MCU驱动力不够。必须加图腾。
如果一定要用S极输出，建议你在MCU与G极之再加一个很小容量的无极性电容，可以改善一点！

只看该作者 · 2015-10-23 09:25

如果你接在高端，用NMOS必须要带举升的驱动芯片，接在低端，需要低端驱动芯片，

只看该作者 · 2015-10-27 16:23

加推动吧！…

只看该作者 · 2015-10-28 17:51

软启动脉宽调制低压低内阻（毫欧）级FET 并联以温升75度为限？

只看该作者 · 2015-10-30 15:07

PWM正程时间太长！…

1万 · 2015-11-11 21:27

不要超过DataSheet中的规定呀!

资料上的规定要打个 7 折，没有零件可以刚好到规定的..

只看该作者 · 2015-11-15 00:43

　　NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)

N MOS损坏原因？

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