新一代工艺MOS管在前级效率高达99%的48V5kW纯正弦波逆变器

只看该作者 · 2016-1-19 17:45

PowerAnts 发表于 2016-1-19 17:20
PC95在低频的比损耗与PC40相比并无太大的优势, 磁损不可能比0.3%小太多

关键我的是本来就是低温下测试的，变压器温度很低，和室温差不多。加上ui大，匝数也不少了，磁损就比PC40在低温下小了很多。

2万 · 2016-1-19 19:08

zrs 发表于 2016-1-19 17:45
关键我的是本来就是低温下测试的，变压器温度很低，和室温差不多。加上ui大，匝数也不少了，磁损就比PC40 ...

ui跟损耗有啥联系？

2万 · 2016-1-19 20:20

zrs 发表于 2016-1-19 17:45
关键我的是本来就是低温下测试的，变压器温度很低，和室温差不多。加上ui大，匝数也不少了，磁损就比PC40 ...

前面4W的磁损，是每个PC40材质的PQ50在90-100度的磁损，PC95的最佳温度会小一些，大约比PC40小25%。若是常温，那就比PC40最佳状态的75%要高了，每个磁芯不可能小于3W

只看该作者 · 2016-1-19 21:59

PowerAnts 发表于 2016-1-19 20:20
前面4W的磁损，是每个PC40材质的PQ50在90-100度的磁损，PC95的最佳温度会小一些，大约比PC40小25%。若是 ...

做个MOS管的测试而已，也没有计较这么多，5KW的东西是4W还是3W的磁芯损耗根本就没有在意，只是根据以前的认知，PC44是从PC40里面挑选出来的质量略微好点的，PC95从温度范围和损耗要比PC44好比较多，损耗PC44大约是PC95的1.6倍吧。比PC40应该再好点。就算没有更好很多也没有关系的。如果PC44是4W,PC95也就2.5W吧。

只看该作者 · 2016-1-19 22:34

zrs 发表于 2016-1-19 21:59
做个MOS管的测试而已，也没有计较这么多，5KW的东西是4W还是3W的磁芯损耗根本就没有在意，只是根据以前的 ...

大致算了下4300W时磁芯损耗10W,铜损4W,高压二极管损耗9W,MOS损耗7.5W,驱动损耗3.5W,保险丝损耗2W，这里算一共是36W,99%效率最多允许损耗43W，还有7W包含了布线损耗，谐振电容损耗等，理论上出入不大。

只看该作者 · 2016-1-20 08:41

做好电源的都是大师啊

只看该作者 · 2016-1-20 09:52

fzy_666 发表于 2016-1-20 08:41
做好电源的都是大师啊

呵呵，谢谢！大师倒是不敢当啊。:L

2万 · 2016-1-20 10:24

zrs 发表于 2016-1-19 22:34
大致算了下4300W时磁芯损耗10W,铜损4W,高压二极管损耗9W,MOS损耗7.5W,驱动损耗3.5W,保险丝损耗2W，这里算 ...

OK, 磁损没有争议了, 我接受你所说的PC95材质的损耗2.5W左右. 不过下面的项还有待确认:
1, 铜损4W, 不知是如何计算出来的?
2, 二极管在平均值10A的电流下, 压降0.8-0.9V, 桥式整流有两个二极管压降, 整流损耗应该是16-18W而不是9W.

只看该作者 · 2016-1-20 11:58

本帖最后由 zrs 于 2016-1-20 12:01 编辑

PowerAnts 发表于 2016-1-20 10:24
OK, 磁损没有争议了, 我接受你所说的PC95材质的损耗2.5W左右. 不过下面的项还有待确认:
1, 铜损4W, 不知 ...

二极管确实是计算错误，应该是16-18W。铜损是按照I*I*R加上20%的交流损耗计算的。这样还是和实际测试相差不大。

2万 · 2016-1-20 12:18

zrs 发表于 2016-1-20 11:58
二极管确实是计算错误，应该是16-18W。铜损是按照I*I*R加上20%的交流损耗计算的。这样还是和实际测试相差 ...

我想, 铜损计算上, 你可能没有将平均输入电流折算成正弦电流, 有效值会增加11.1%, 热损会增加23.5%, 我算下来, 设初级平均直径26mm, 次级平均30mm, 每个变压器在70度时的直流铜损是1.25W(不含引脚), 若按交流电阻增加20%计, 总铜损6W.
每一个部份都多一点, 总的就不可小看了:lol

你有没有将四只万用表直接并在一起, 测一下各档电压/电流值的差异?

只看该作者 · 2016-1-20 14:18

PowerAnts 发表于 2016-1-20 12:18
我想, 铜损计算上, 你可能没有将平均输入电流折算成正弦电流, 有效值会增加11.1%, 热损会增加23.5%, 我算 ...

万用表只是每年校准一次，肯定是合格的，至于误差多少没有纠结。这个电源i并不是产品，只是测试MOS管而已，也没有要求前级效率必须达到99%以上，只是顺手做出来的第一版，也没有优化过。看到测试出99%的效率感觉还可以就发了出来，发现我们的8个MOS居然可以上7000多瓦这才是重点，要是纠结于提高效率，优化还有空间比如变压器比如采用更厚的铜带绕满，选用更低VF的快恢复，PCB大电流走线开的锡槽加焊铜片等。

2万 · 2016-1-20 14:46

zrs 发表于 2016-1-20 14:18
万用表只是每年校准一次，肯定是合格的，至于误差多少没有纠结。这个电源i并不是产品，只是测试MOS管而已 ...

没有说你的万用表不合格的意思, 你前文也说过, 万用表标称+/-0.25%, 那么极端情况下, 输入级读数-0.2%, 输出级读数+0.2%也是合格的。你有**数据没问题的权利, 别人也有怀疑的权利, 搞技术一就是一, 二就是二, 不像搞政治可以打嘴仗. 8个管子出7000W也没什么, IR早在七八年前就有150V, 120A, 4.9mohm的管子. 你若能卖7折价钱, 还是有一点优势的. 不计代价提高有限的指标办法太多了, 我还想过用银片做平面变压器呢.

只看该作者 · 2016-1-20 15:11

本帖最后由 zrs 于 2016-1-20 15:15 编辑

PowerAnts 发表于 2016-1-20 14:46
没有说你的万用表不合格的意思, 你前文也说过, 万用表标称+/-0.25%, 那么极端情况下, 输入级读数-0.2%, ...

IR在7,8年前的这个管子是封装在TO-247里面吧？要是这样，我们的TO-247封装的就是3MR了。而且我们的QG等参数只有IR这只管子的一半:lol

2万 · 2016-1-20 15:14

zrs 发表于 2016-1-20 15:11
IR在7,8年前的这个管子是封装在TO-247里面吧？要是这样，我们的TO-247封装的就是3MR了。 ...

你的意思是, IR这七八年来一点进步都没有? 不过去年被INF收购了, 部份型号可能"被停产"倒有可能.

只看该作者 · 2016-1-20 15:16

PowerAnts 发表于 2016-1-20 15:14
你的意思是, IR这七八年来一点进步都没有? 不过去年被INF收购了, 部份型号可能"被停产"倒有可能. ...

那是你自己硬要拿我们现在的产品和人家七八年前的产品比。

只看该作者 · 2016-1-20 15:26

PowerAnts 发表于 2016-1-20 14:46
没有说你的万用表不合格的意思, 你前文也说过, 万用表标称+/-0.25%, 那么极端情况下, 输入级读数-0.2%, ...

估计你是不是很久没有和人家打嘴仗过过嘴瘾了？不过也好，顺便帮我推广了管子，十分感谢啊！:lol

2万 · 2016-1-20 15:32

zrs 发表于 2016-1-20 15:16
那是你自己硬要拿我们现在的产品和人家七八年前的产品比。

对比有什么不好的吗? 晶片定型了, 体电阻也就固定了, 封装有一定的影响, 但不会太大. 倒是热阻的差别比较明显.

只看该作者 · 2016-1-20 15:36

本帖最后由 zrs 于 2016-1-20 15:39 编辑

PowerAnts 发表于 2016-1-20 15:32
对比有什么不好的吗? 晶片定型了, 体电阻也就固定了, 封装有一定的影响, 但不会太大. 倒是热阻的差别比较 ...

不是的，TO-220里面的芯片已经到了TO-220里面框架能封装下去的极限，如果我采用TO-247封装，能封装下去的芯片面积比220大一倍都不止，内阻能不低吗？掌握了芯片工艺，芯片版图想设计多大就多大，只要能封得下。

2万 · 2016-1-20 15:45

zrs 发表于 2016-1-20 15:36
不是的，TO-220里面的芯片已经到了TO-220里面框架能封装下去的极限，如果我采用TO-247封装，能封装下去的 ...

如果真是这么容易, 或是有必要的话, 我觉得你们早就做了. 你们是超结技术吗? 专利过期, 国内很多厂商在做, 中国人一定把MOSFET做到没钱赚:lol 前两年, 龙腾拿着国家补贴大搞价格战, 不知道卖的如何.

只看该作者 · 2016-1-20 15:55

本帖最后由 zrs 于 2016-1-20 15:59 编辑

PowerAnts 发表于 2016-1-20 15:45
如果真是这么容易, 或是有必要的话, 我觉得你们早就做了. 你们是超结技术吗? 专利过期, 国内很多厂商在做 ...

我们的不是超结技术，但是性能类似于超结技术，极低的导通内阻，极快的开关速度，超结技术和我们的技术不能比的是超级结技术的emi不好过，我们的工艺已经克服了这个缺点。我们这项技术是一项基础技术的研究，不仅仅适合任何电压段的功率MOS，还适合IGBT,甚至MCU性能的提升，产业化的道路还很漫长，目前只用来做了中低压MOS.

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