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如何通过对电容进行充放电来进行采样

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楼主: xn2500
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排除外部硬件原因,软件上定时的做到最小分频,精度绝对可以在1度以内,温度越低,精度越高。前两天刚做了个,不过温度比较低就是,测得的值跟实际值相差很小。电容用陶瓷电容

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lelee007| | 2009-12-1 11:26 | 只看该作者
你没做好而已,前面我已经说过了可以做到的精度,至于分辨率在-40~100度范围内完全可以做到0.1度,而非你所说的分辨率1度。

哈哈,4BIT正好我也曾经用过,几年前用SH69P42做过两个方案,不过用4BIT确实比较累人。 ...
yewuyi 发表于 2009-12-1 09:17


当时买回来的热敏电阻的阻值表给的是5摄氏度的好像,如果没记错的话,如果有功夫自己测数据,0.1摄氏度肯定可以作出来的。况且当时作的是个小玩意,指标不高,而且用4bit MCU,只有带进位的4位加法和逻辑运算,很痛苦哇

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xn2500|  楼主 | 2009-12-1 12:53 | 只看该作者
谢谢前辈们的指点,谁能附上个方法2的原理图?

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chenjy1390| | 2009-12-1 14:00 | 只看该作者
就是这样的,你自己看下,四Bit单片机,你用移位乘除法,计算方面没有太大的问题

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chenjy1390| | 2009-12-1 14:02 | 只看该作者
过程:放电——R1充电(计算时间)——放电——RX充电(再计算时间),计算,比较,查表。

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wlq_9| | 2009-12-1 14:31 | 只看该作者
要想精度高,用两颗高精度,低温飘电阻.分别对应热电阻的最高阻值和最低阻值.
几十度的范围内分辨到0.01没有任何问题,精度到0.1也没有问题.只不过对传感器有要求,算法上也是有窃门的,不花心思,随便做做是做不高的.

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fasionlei| | 2009-12-1 15:16 | 只看该作者
:)

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xn2500|  楼主 | 2009-12-1 15:23 | 只看该作者
谢谢25L、26L、27L!

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123987| | 2009-12-2 09:12 | 只看该作者
正如大家所言,如果用四楼的原理,那么测温的精确度可能主要取决于电容的漂移。我说的漂移包括温度和稳定性。忘了热敏电阻是否和温度呈严格的线性关系了(隔得年数有点多,平常又不用)。好像是带点曲线吧。如果再加上电容的温漂、稳定性、再加上每个热敏电阻的温度、电阻关系有区别。想达到0.1摄氏度的精确度(注意不是分辨率)是很有挑战性的。如果要对每个热敏电阻做一张调试的表,我想你得给调试人员加绩效工资了。呵呵!

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wlq_9| | 2009-12-2 09:37 | 只看该作者
相对测量,和电容的温飘没什么关系..................
关键还是参考电阻要稳,电容漏电流要小.

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yewuyi| | 2009-12-2 09:46 | 只看该作者
电容的温漂不是不考虑,这是时变和瞬变的问题,这个方法主要是利用了电容的温漂瞬变很小,甚至小到基本不考虑的地步,故此法才予以成立。

至于说使用NTC+RC做到精度0.1度温度仪表产品,呵呵,就当泡泡把。。。

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wlq_9| | 2009-12-2 10:36 | 只看该作者
:lol 0.1度怎么也不可能用NTC电阻的.
这个电路,一秒钟能采几次,而电容的温飘是个很缓慢的过程,不会影响结果的.

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