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TI的愤怒

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楼主: machunshui
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machunshui|  楼主 | 2010-4-27 21:48 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
对一般情况而言,
超低功耗单片机比较很简单。

1.RAM不保存,后备寄存器保存,其他全部关闭模式,即所谓深度休眠模式功耗多少?
(TI暂时没有提供此模式)
2.RAM保存,其他全部关闭模式,即所谓普通休眠模式功耗多少?

3.普通休眠模式功(或者深度休眠模式功)+ BOR开启模式功耗多少?
4.普通休眠模式功(或者深度休眠模式功)+ BOR开启模式 + WDT 开启功耗多少?
5.普通休眠模式功(或者深度休眠模式功)+ BOR开启模式 + RTC 开启功耗多少?

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machunshui|  楼主 | 2010-4-27 22:17 | 只看该作者
看了一下silabs网站,
给出的参数确实牛:

ndustry’s lowest active & sleep currents
160 uA / MHz - active mode
10 nA sleep w/BOD disabled
50 nA sleep w/BOD enabled
300 nA sleep w/internal RTC
600 nA sleep with external crystal
LDO voltage regulator
2 uS wake-up time
1.5 uS analog settling time
25 MHz, single-cycle 8051 compatible CPU
12-bit ADC
Up to 8 kB Flash, 512 bytes SRAM
0.9 V – 3.6 V operation

不要说PIC,
MSP430都得见鬼去了!

绝对天下第一!

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machunshui|  楼主 | 2010-4-27 22:25 | 只看该作者
不过好像BOD应该指的是掉电复位,
BOR指的是低电压复位,
这样其参数也不那么恐怖了

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machunshui|  楼主 | 2010-4-27 22:51 | 只看该作者
本帖最后由 machunshui 于 2010-4-28 09:05 编辑

又下载silabs的C8051F91x-C8051F90x datasheet,
BOD确实指的是低电压复位,
这样看其参数确实牛,

MSP430不是对手,
不要说PIC了。

其3V电压下:

休眠模式 + BOD   80nA

msp430此项参数 100nA

休眠模式 + BOD + RTC 750nA

msp430 此项参数900nA

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machunshui|  楼主 | 2010-4-27 22:59 | 只看该作者
本帖最后由 machunshui 于 2010-4-27 23:15 编辑

从其手册给出的参数看,
确实厉害,
不过不论是TI,ST,还是MICROCHIP宣传产品的时候,
都有相互PK,
但是都未提及silabs的C8051F

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928315| | 2010-4-28 09:06 | 只看该作者
54# andy_gao


我们公司的网站,还有OKI的链接。。
http://www.e-shine.cn/
http://www.okisemi.com/en/semicon/miconlp/index.html
我的联系方式:15889627156
                    0755-26038078

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machunshui|  楼主 | 2010-4-28 09:19 | 只看该作者
本帖最后由 machunshui 于 2010-4-28 09:21 编辑

深挖一下C8051F的BOD:

其低功耗参数标定的BOD是指后备电池VBAT跌落到0.9V以下的时候的复位电压,
不可编程,基本类似于掉电复位。
非休眠模式的工作电压VDD是得不到监控的。
(或者是非休眠模式的工作电压VDD的掉电复位可以没有标出,偷梁换柱)

并非像TI,MCP等用于工作电压附近的可编程电压跌落复位,

难怪人家提也不提他

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machunshui|  楼主 | 2010-4-28 09:37 | 只看该作者
本帖最后由 machunshui 于 2010-4-28 09:58 编辑

还有就是C8051F 单电池供电的时候, sleep mode时,
其DC--DC是关闭的!
无法对外围器件供电!

如果是双电源供电模式,
其功耗参数BOD指的是VBAT监测,
VDD没有被监测。

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machunshui|  楼主 | 2010-4-28 09:44 | 只看该作者
看来说低功耗还得是TI,MCP,ST 三家

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lost1421| | 2010-4-28 09:56 | 只看该作者
不是TI的愤怒,应该是TI的恼怒!

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machunshui|  楼主 | 2010-4-28 10:04 | 只看该作者
TI 暂时还是无忧的。

虽然说PIC比较接近msp430,
但是其低功耗产品很不好买。
缺乏品牌认同度。

ST的STM8L推广力度大,
但是和msp430还稍微有少许差距。
但是STM8L价格比MSP430低很多,
性价比高不少,
都能满足设计要求的时候,
比msp430有性价比多了。

缺点是这种架构得MCU推出时间短,熟悉的人不多

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machunshui|  楼主 | 2010-4-28 10:13 | 只看该作者
STM8L也不错:

休眠(RAM保持) 0.35 uA

休眠(RAM保持)+ RTC  1uA

休眠(RAM保持)+ BOR + RTC  3uA


其BOR只需2uA,虽然离msp430尚有差距,
和其他MCU比还是不错的

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aceice| | 2010-4-28 10:19 | 只看该作者
C8051那玩意,我总觉得宣传做的好。
实际中也没看到比较成功的案例

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ayb_ice| | 2010-4-28 10:20 | 只看该作者
我认为低到一定时候意义不大了
现在很多MCU都可以满足低功耗要求
一般电池还有1UA的自漏电呢
430现在日子并不好过啊,幸好TI实力强,有钱

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machunshui|  楼主 | 2010-4-28 11:37 | 只看该作者
本帖最后由 machunshui 于 2010-4-28 12:49 编辑

继续深挖几家的BOR,POR,PDR概念。
不挖不知道,一挖下一跳!

MSP430优势不大!
其引以为傲的零功耗BOR和ST,MCP相差无几!

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machunshui|  楼主 | 2010-4-28 11:56 | 只看该作者
ST的电源复位分为POR,PDR,BOR,除此外还有电压监测功能。

上电时候,VDD < VPOR,保持复位
VDD跌落到VPDR以下,保持复位
BOR电压可编程,如果开启VDD < VBOR,保持复位

MCP的PIC类似,电源复位分为POR,LPBOR,BOR,除此外还有电压监测功能。
其LPBOR相当于ST的PDR。

TI的msp430的所谓零功耗BOR实际上是相当于ST的PDR,MCP的LPBOR,
即一个单跳变点的掉电复位。


可是TI,总是拿自己的掉电复位BOR和人家的可编程低电压BOR对比。

如果MSP430的 掉电复位BOR+休眠功耗 对比STM8L的 PDR+休眠功耗 对比 XLP系列PIC的 LPBOR+休眠功耗,

MSP430只比PIC,STM8L好一点点,差距非常小

三者是
MSP430                   100nA
PIC24F16KA102         160nA
STM8L                     350nA

这点电流和耗电大项WDT,RTC比已经很小,
可以说,
实际应用,
三者之间差别很小。

做到 休眠+掉电复位+RTC 1.5uA都不是问题。

MSP430可以休矣!

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ilovecr| | 2010-4-28 12:27 | 只看该作者
功夫在芯片之外,选用最适合自己产品的,不管用啥只要作出用户满意的产品就是OK的,任何芯片与产品都有自己的定位, 谁好谁坏,实际有时是习惯问题,一味追求那些我个人觉得不重要

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machunshui|  楼主 | 2010-4-28 12:40 | 只看该作者
基本条件很重要。
没有必要条件其他都是白搭。

不能混淆充分条件和必要条件

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machunshui|  楼主 | 2010-4-28 12:41 | 只看该作者
修正一下,
高价MSP430可以休矣!

毕竟MSP430仍然是超一流的

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andy_gao| | 2010-4-28 12:57 | 只看该作者
先谢谢66楼!
小声的问一下:STM8L哪里有的卖?有参考价格吗?

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