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[电路/定理]

三极管做开关时是共集电极还是共发射极

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楼主
libre01|  楼主 | 2017-3-25 10:12 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
三极管, 开关, 共集电极, 共发射极, 电路
一般都是采用1中的电路，为什么很少采用2中的电路作为mos管开关驱动呢，模电没学好，还望大神们赐教

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沙发
戈卫东| | 2017-3-25 10:37 | 只看该作者
图2更多吧？

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板凳
eyuge2| | 2017-3-25 11:08 | 只看该作者
三极管的基极的电压没有20V那么高，mcu一般是5V或3.3V。

采用图2的电路，pwm信号的高电平没有办法让三极管导通。

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地板
xyz549040622| | 2017-3-25 11:10 | 只看该作者
两个电路都能达到目的，我觉得是电流的问题，电流不一样。

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5楼
Lgz2006| | 2017-3-25 11:25 | 只看该作者
上面开慢，下面关慢。看你，需要，的是哪个。

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6楼
奥巴羊| | 2017-3-25 17:37 | 只看该作者
PWM的信号幅度比较小，不足以驱动MOS管，另外图二中的电路在三极管关闭的时候，MOS不能立即关闭。

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7楼
chunyang| | 2017-3-25 18:55 | 只看该作者
最好用共射极电路，射随器对驱动有要求，且输出幅值受限。

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8楼
lihui567| | 2017-3-25 22:34 | 只看该作者
第一个的驱动能力大于第二个的

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9楼
cauhorse| | 2017-3-25 22:46 | 只看该作者
本帖最后由 cauhorse 于 2017-3-26 00:26 编辑

共射的更多吧，一般都需要“电平移位”配合“图腾柱”电路使用。
Design And Application Guide for high speed mosfet gate drive circuits.pdf (592.15 KB) 里面有几个案例分析可以参考了解。
有翻译成汉语的版本，准确性不明，有兴趣的也可以看看：
高速MOSFET栅极驱动电路设计与应用指南.zip (485.2 KB)

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10楼
sym111| | 2017-3-26 10:30 | 只看该作者
图1速度快

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11楼
libre01|  楼主 | 2017-3-28 10:28 | 只看该作者
chunyang 发表于 2017-3-25 18:55
最好用共射极电路，射随器对驱动有要求，且输出幅值受限。

第一个PWM输出后是反向，PWM程序需要修改；或者加个反相器，反相器成本高

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12楼
令界剑| | 2017-3-28 11:06 | 只看该作者
我之前搭的一个电路和图1差不多，出现了以下：VCC20V情况电阻R1就要选择大的，不然电阻发热严重，而R1阻值太大的话驱动波形就不正常了，导通时间变长；不知楼主有没有测过图1的驱动波形导通时间是不是变长了。

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13楼
chunyang| | 2017-3-28 15:19 | 只看该作者
libre01 发表于 2017-3-28 10:28
第一个PWM输出后是反向，PWM程序需要修改；或者加个反相器，反相器成本高 ...

改程序并不难。

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14楼
zhuzhenqiu| | 2017-3-28 15:31 | 只看该作者
  二图对PWM 驱动幅值有要求

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15楼
MissFortune| | 2017-3-28 15:33 | 只看该作者
Mark，学习了。

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16楼
zyj9490| | 2017-3-28 15:35 | 只看该作者
如果高速以图2为宜，低速以图1为好，因为可以低压信号驱动高压MOS管。但以付出高速为代价。RC太大。除非消耗大电流。

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17楼
说书先生| | 2017-3-28 22:37 | 只看该作者
5楼说的是很重要的一个方面，
再就是MOS驱动电压的问题啦

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18楼
HORSE7812| | 2017-3-29 09:14 | 只看该作者
mark

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19楼
libre01|  楼主 | 2017-3-29 10:51 | 只看该作者
令界剑 发表于 2017-3-28 11:06
我之前搭的一个电路和图1差不多，出现了以下：VCC20V情况电阻R1就要选择大的，不然电阻发热严重，而R1阻值 ...

选1K左右就可以了，就不怎么发热了

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20楼
libre01|  楼主 | 2017-3-29 16:10 | 只看该作者
cauhorse 发表于 2017-3-25 22:46
共射的更多吧，一般都需要“电平移位”配合“图腾柱”电路使用。
里面有几个案例分析可以参考了解。
有翻译 ...

感谢

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