为啥H桥老是烧P MOS 管!!!

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 楼主| suxilong 发表于 2017-6-8 21:53 | 显示全部楼层
jungle 发表于 2017-6-8 16:16
电磁阀的内阻 是6Ω 左右,

这个电磁阀 只需要 一个正向脉冲, 就吸过去了, 后续不用再持续供电~~~~

升压到16V 是因为电容蓄能,然后瞬间放电,如果只升到8V 是不足以 打开电磁阀的, 除非8V持续80ms
zhuyemm 发表于 2017-6-9 10:55 | 显示全部楼层
学生的,强烈支持楼主ing……
jasonell 发表于 2017-6-9 11:38 来自手机 | 显示全部楼层
56k的电阻都要换掉。
Siderlee 发表于 2017-6-9 13:02 | 显示全部楼层
看样子是热击穿
06007507 发表于 2017-6-9 13:32 | 显示全部楼层
如果只是P管烧掉,十之**是P管开启时间太慢,瞬时热烧毁。把56K降到和2K一个级别看看。试试用示波器观察一下P管Vds和gate脚电压的波形,看看是不是开启时间太长导致的。
 楼主| suxilong 发表于 2017-6-9 15:11 | 显示全部楼层
jasonell 发表于 2017-6-9 11:38
56k的电阻都要换掉。

什么原因 要换掉, 能不能说说具体原因!~~~~
 楼主| suxilong 发表于 2017-6-9 15:12 | 显示全部楼层
Siderlee 发表于 2017-6-9 13:02
看样子是热击穿

什么热击穿? 如测试是不是? 是的话如何改善?
 楼主| suxilong 发表于 2017-6-9 15:14 | 显示全部楼层
06007507 发表于 2017-6-9 13:32
如果只是P管烧掉,十之**是P管开启时间太慢,瞬时热烧毁。把56K降到和2K一个级别看看。试试用示波器观察一 ...

开启时间太慢?  开启时间太长????

这个电路是用来控制 一个电磁阀的, H桥要打开100ms 左右才能关闭, 不然开启不良电磁阀~~~~

请问你说的这个两个问题 如何检测????
Siderlee 发表于 2017-6-9 15:53 | 显示全部楼层
suxilong 发表于 2017-6-9 15:12
什么热击穿? 如测试是不是? 是的话如何改善?

就是过热了,结温超过了极限值

跟你电路有很大关系,你的P管因为驱动电路的原因,开关损耗比较大

找找有没有合适的驱动芯片

不过不建议使用pMOS
06007507 发表于 2017-6-9 16:38 | 显示全部楼层
suxilong 发表于 2017-6-9 15:14
开启时间太慢?  开启时间太长????

这个电路是用来控制 一个电磁阀的, H桥要打开100ms 左右才能关 ...

会不会是你负载电流太大了?过流了。
PMOS的Vds有高压?可以用示波器看
MOSFET的开启时间太长?从你的电路看应该是us级别,可以用示波器看看Vgs电压是不是上升太慢了。
chunyang 发表于 2017-6-9 16:46 | 显示全部楼层
suxilong 发表于 2017-6-8 08:46
版主 整个电路是这样:

前级 对两个5号电池的 电压 进行升压。。。

Q10烧毁是控制端的问题,一旦长通必烧。建议你先用稳定的外置电源供电测试,首先你的升压电路就不合适,这样的简单电路效率不容易做高,就你的电路而言,更难做到稳定,应改用带使能端的升压DCDC芯片。
 楼主| suxilong 发表于 2017-6-9 23:23 | 显示全部楼层
chunyang 发表于 2017-6-9 16:46
Q10烧毁是控制端的问题,一旦长通必烧。建议你先用稳定的外置电源供电测试,首先你的升压电路就不合适, ...

谢谢你!
使用DC-DC 升压IC ,功耗呢?

我已经重新总结了一下:
https://bbs.21ic.com/icview-1723214-1-1.html
 楼主| suxilong 发表于 2017-6-9 23:24 | 显示全部楼层
06007507 发表于 2017-6-9 16:38
会不会是你负载电流太大了?过流了。
PMOS的Vds有高压?可以用示波器看
MOSFET的开启时间太长?从你的电 ...

谢谢你!
us级别???

我已经重新总结了一下:
https://bbs.21ic.com/icview-1723214-1-1.html
 楼主| suxilong 发表于 2017-6-9 23:25 | 显示全部楼层
Siderlee 发表于 2017-6-9 15:53
就是过热了,结温超过了极限值

跟你电路有很大关系,你的P管因为驱动电路的原因,开关损耗比较大

不使用Pmos ,H桥应该是怎样的??

谢谢你!


我已经重新总结了一下:
https://bbs.21ic.com/icview-1723214-1-1.html
Siderlee 发表于 2017-6-10 16:54 | 显示全部楼层
suxilong 发表于 2017-6-9 23:25
不使用Pmos ,H桥应该是怎样的??

谢谢你!

baidu吧

常用的桥结构都会有
chunyang 发表于 2017-6-10 21:47 | 显示全部楼层
suxilong 发表于 2017-6-9 23:23
谢谢你!
使用DC-DC 升压IC ,功耗呢?

只会你的电路效率更高、更安全,你的电路不可取。
jasonell 发表于 2018-1-21 09:42 | 显示全部楼层
suxilong 发表于 2017-6-9 15:11
什么原因 要换掉, 能不能说说具体原因!~~~~

电阻太大,时间常数大,mos的驱动波形不够陡峭,上升沿与下降沿时间长,导致mos烧毁。
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