发新帖我要提问
12
返回列表
打印

为啥H桥老是烧P MOS 管！！！

[复制链接]
楼主: suxilong
手机看帖
扫描二维码
随时随地手机跟帖
21楼
suxilong|  楼主 | 2017-6-8 21:53 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
jungle 发表于 2017-6-8 16:16
电磁阀的内阻 是6Ω 左右，

这个电磁阀 只需要 一个正向脉冲， 就吸过去了， 后续不用再持续供电~~~~

升压到16V 是因为电容蓄能，然后瞬间放电，如果只升到8V 是不足以 打开电磁阀的， 除非8V持续80ms

使用特权

评论回复 赏
22楼
zhuyemm| | 2017-6-9 10:55 | 只看该作者
学生的,强烈支持楼主ing……

使用特权

评论回复 赏
23楼
jasonell| | 2017-6-9 11:38 | 只看该作者
56k的电阻都要换掉。

使用特权

评论回复 赏
24楼
Siderlee| | 2017-6-9 13:02 | 只看该作者
看样子是热击穿

使用特权

评论回复 赏
25楼
06007507| | 2017-6-9 13:32 | 只看该作者
如果只是P管烧掉，十之**是P管开启时间太慢，瞬时热烧毁。把56K降到和2K一个级别看看。试试用示波器观察一下P管Vds和gate脚电压的波形，看看是不是开启时间太长导致的。

使用特权

评论回复 赏
26楼
suxilong|  楼主 | 2017-6-9 15:11 | 只看该作者
jasonell 发表于 2017-6-9 11:38
56k的电阻都要换掉。

什么原因 要换掉， 能不能说说具体原因！~~~~

使用特权

评论回复 赏
27楼
suxilong|  楼主 | 2017-6-9 15:12 | 只看该作者
Siderlee 发表于 2017-6-9 13:02
看样子是热击穿

什么热击穿？ 如测试是不是？ 是的话如何改善？

使用特权

评论回复 赏
28楼
suxilong|  楼主 | 2017-6-9 15:14 | 只看该作者
06007507 发表于 2017-6-9 13:32
如果只是P管烧掉，十之**是P管开启时间太慢，瞬时热烧毁。把56K降到和2K一个级别看看。试试用示波器观察一 ...

开启时间太慢？  开启时间太长？？？？

这个电路是用来控制 一个电磁阀的， H桥要打开100ms 左右才能关闭， 不然开启不良电磁阀~~~~

请问你说的这个两个问题 如何检测？？？？

使用特权

评论回复 赏
29楼
Siderlee| | 2017-6-9 15:53 | 只看该作者
suxilong 发表于 2017-6-9 15:12
什么热击穿？ 如测试是不是？ 是的话如何改善？

就是过热了，结温超过了极限值

跟你电路有很大关系，你的P管因为驱动电路的原因，开关损耗比较大

找找有没有合适的驱动芯片

不过不建议使用pMOS

使用特权

评论回复 赏
30楼
06007507| | 2017-6-9 16:38 | 只看该作者
suxilong 发表于 2017-6-9 15:14
开启时间太慢？  开启时间太长？？？？

这个电路是用来控制 一个电磁阀的， H桥要打开100ms 左右才能关 ...

会不会是你负载电流太大了？过流了。
PMOS的Vds有高压？可以用示波器看
MOSFET的开启时间太长？从你的电路看应该是us级别，可以用示波器看看Vgs电压是不是上升太慢了。

使用特权

评论回复 赏
31楼
chunyang| | 2017-6-9 16:46 | 只看该作者
suxilong 发表于 2017-6-8 08:46
版主 整个电路是这样：

前级 对两个5号电池的 电压 进行升压。。。

Q10烧毁是控制端的问题，一旦长通必烧。建议你先用稳定的外置电源供电测试，首先你的升压电路就不合适，这样的简单电路效率不容易做高，就你的电路而言，更难做到稳定，应改用带使能端的升压DCDC芯片。

使用特权

评论回复 赏
32楼
suxilong|  楼主 | 2017-6-9 23:23 | 只看该作者
chunyang 发表于 2017-6-9 16:46
Q10烧毁是控制端的问题，一旦长通必烧。建议你先用稳定的外置电源供电测试，首先你的升压电路就不合适， ...

谢谢你！
使用DC-DC 升压IC ，功耗呢？

我已经重新总结了一下：
https://bbs.21ic.com/icview-1723214-1-1.html

使用特权

评论回复 赏
33楼
suxilong|  楼主 | 2017-6-9 23:24 | 只看该作者
06007507 发表于 2017-6-9 16:38
会不会是你负载电流太大了？过流了。
PMOS的Vds有高压？可以用示波器看
MOSFET的开启时间太长？从你的电 ...

谢谢你！
us级别？？？

我已经重新总结了一下：
https://bbs.21ic.com/icview-1723214-1-1.html

使用特权

评论回复 赏
34楼
suxilong|  楼主 | 2017-6-9 23:25 | 只看该作者
Siderlee 发表于 2017-6-9 15:53
就是过热了，结温超过了极限值

跟你电路有很大关系，你的P管因为驱动电路的原因，开关损耗比较大

不使用Pmos ，H桥应该是怎样的？？

谢谢你！


我已经重新总结了一下：
https://bbs.21ic.com/icview-1723214-1-1.html

使用特权

评论回复 赏
35楼
Siderlee| | 2017-6-10 16:54 | 只看该作者
suxilong 发表于 2017-6-9 23:25
不使用Pmos ，H桥应该是怎样的？？

谢谢你！

baidu吧

常用的桥结构都会有

使用特权

评论回复 赏
36楼
chunyang| | 2017-6-10 21:47 | 只看该作者
suxilong 发表于 2017-6-9 23:23
谢谢你！
使用DC-DC 升压IC ，功耗呢？

只会你的电路效率更高、更安全，你的电路不可取。

使用特权

评论回复 赏
37楼
jasonell| | 2018-1-21 09:42 | 只看该作者
suxilong 发表于 2017-6-9 15:11
什么原因 要换掉， 能不能说说具体原因！~~~~

电阻太大，时间常数大，mos的驱动波形不够陡峭，上升沿与下降沿时间长，导致mos烧毁。

使用特权

评论回复 赏
12
返回列表
发新帖 我要提问
高级模式
B Color Image Link Quote Code 收费 Smilies
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则