一个很奇怪的MOSFET驱动问题

登录 · 发表于 2010-7-3 09:25

这是使用IR2101驱动MOSFET的波形图，绿线是2101的控制信号（单片机输出信号），黄色线是MOSFET的输出信号，实在想不明白图里面箭头所指的那个小脉冲是怎么产生的。请高人解答，不胜感谢！

发表于 2013-6-25 15:07

gfkdliling 发表于 2010-7-5 19:59
你好，图已经上传到11楼了，不好意思，PCB截图的位置不对

哈哈截图位置不对！;P

发表于 2013-6-25 14:55

信号完整性：
第一：一般阻抗不匹配会发生所谓的信号反射，你截图当中“小尖峰”就是阻抗不匹配所造成。
第二：如果你走线不合理，（形成了串扰），或者你硬件上面的寄生电容偏大，或者过载就会形成你截图中的“回勾”。

发表于 2013-6-24 09:11

看两个波形的相位，不应该是弥勒效应，因为驱动还没有变高，这个输出小凸点就出现了。

发表于 2013-6-17 21:44

米勒效应？

发表于 2013-6-17 10:49

顺着故障点往前逐步检查！…哦，别忘了示波器！…

发表于 2013-6-17 10:48

顺着故障点往前逐步检查！…哦，别忘了示波器！…

发表于 2013-6-15 23:54

Siderlee 发表于 2010-7-4 01:06
你那个pcb跟原理图对不上

你可以在mos的GS之间加个10K电阻试试

请问一下，为啥在GS之间加个电阻可以保护MOS管在高阻态下被击穿呢？

发表于 2013-6-14 17:12

我需到这个问题，
IR2101的高端输出波形不对，乱的。
是怎么回事呀

发表于 2011-4-25 22:31

MOSFET存在着分布电容，以及驱动电路分布着寄生电感。开始门极驱动电压上升，达到MOSFET门极的门槛值，漏极电流开始上升，且驱动电路分布的寄生电感的感应电压随着漏极电流的上升而增大，从而降低了门极的驱动电压；另外漏极电流达到最大时，门极和漏极分布的电容开始放电，在驱动电路中增加了容性电流，使得驱动电路内阻抗的压降增加，也削弱了栅极驱动电压。不知道，这样回答可以吗？

发表于 2011-4-24 20:43

寄生电容的影响。

发表于 2011-4-24 19:18

cmos drain_open这是什么样的管子啊
是功率放大管吗?
谢谢大家指点一二啊

发表于 2011-4-19 04:11

不是吧，大概是自举电容的漏电参数吧，换个自举电容看看波是不是改变了，自举要用低漏电的的

发表于 2011-4-18 20:51

电源串扰。查ir2102输入?

发表于 2011-4-18 17:18

你抓的波形不合适,你需要看你的IR2101的输入与输出波形对比,然后比较IR2101输出与MOSFET比较,你直接看
IR2101的输入与MOSFET输出比较问题点较难发现,GS之间加个10K电阻可以保护mos管在高阻状态下被击穿.建议在C20上 ...
xiaoyc1979 发表于 2010-7-5 12:16

请问一下，为啥在GS之间加个电阻可以保护MOS管在高阻态下被击穿呢？

发表于 2010-7-9 22:22

是mos驱动不足.mos启动时会先给ciss充电,..

发表于 2010-7-9 22:20

9# bamboo03

发表于 2010-7-9 21:50

mos的GS之间加个10K电阻用于保护MOSFET

发表于 2010-7-9 18:12

米勒效应，没这个台阶倒是不正常了。

发表于 2010-7-9 16:43

弥勒效应
Siderlee 发表于 2010-7-9 16:19

你好，可能是我没有说清楚。请仔细对比那两个波形。实际上单片机的信号还为低电平的时候，MOSFET就开始充电了。如果那个小尖峰是在单片机为高电平的时候开始有，那也就正常了，现在这个图好像是不互为因果。没有因就有果了。所有这个用弥勒效应好像解释不过来

发表于 2010-7-9 16:42

你把MOSFET 制造工艺搞明白了问题也迎刃而解了
MOSFET GS DS 之间有分布电容
cgchb 发表于 2010-7-9 15:31

你好，可能是我没有说清楚。请仔细对比那两个波形。实际上单片机的信号还为低电平的时候，MOSFET就开始充电了。如果那个小尖峰是在单片机为高电平的时候开始有，那也就正常了，现在这个图好像是不互为因果。没有因就有果了

一个很奇怪的MOSFET驱动问题

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