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设计了一个反激电源,有些问题请各位指点

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guwu|  楼主 | 2010-7-22 10:50 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
本帖最后由 guwu 于 2010-7-22 16:32 编辑

要求:Vo=2000VDC
        Po(max)=350w
        Io(max)=0.16A
        Io(min)=0.04A
        Vin(max)=30V
        Vin(min)=24V
        f=100K
设计过程:
1、选用摩托罗拉的MTM8N60MOSFET管,耐压600VDC,连续电流8A,脉冲电流41A,设计开关管电压应力450V,考虑了漏感尖峰后再保留足够的裕度。由此得到Np:Ns=0.21;
2、确保电源工作在DCM模式下,设Ton+Toff=0.8T=8μs;Ton=7.6μs;Tr=0.4μs;
3、初级电感量为Lp=(Vin(min)*Ton)^2/(2.5*T*Pomax)=3.5μH;
4、Ip(初级峰值)=24*7.6/3.5=52A,Irms(初级有效值)=26A;Irms(次级有效值)=0.63A;
5、Co=7.6*0.16/20=0.06μF;电容的Resr=65/0.06=1100欧,尖峰电压=52*0.21*1100
问题:
1、设计的电流等效值和峰值都超过MOSFET管的连续电流和脉冲电流参数,频率用50K算过,变化较小,也超过管子参数,这个参数是有输入输出电压和功率等因素影响,这几个参数不会变很大。这个问题如何解决,需要换参数更大的管子么?请各位给推荐个
2、输出电容参数计算中电压纹波如果用2000V*0.01的话,是20V,这样算下来电容很小,感觉不对,一般看开关电源的输出电容都是1000多2000多微法。如果用2000微法,在0.16A的情况下,多久能在输出端建立2000V电压,在管子关断时用电容给负载供电,如果电容上没有建立2000V电压,该怎么解决?可以设想在开始的几个周期内,电容上电压只有几伏,反馈环回增大开关管的导通时间,会进入连续工作模式吧
3、没有考虑变压器的因素,在这个情况下,对变压器有什么限制?
以上是我初步设计和认识,请高手前来指点

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沙发
guwu|  楼主 | 2010-7-22 11:31 | 只看该作者
各位大侠救救小弟,呵呵

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板凳
一骑红辰| | 2010-7-23 08:13 | 只看该作者
初级电感量为Lp=(Vin(min)*Ton)^2/(2.5*T*Pomax)=3.5μH
这个好实现 么

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地板
guwu|  楼主 | 2010-7-23 10:25 | 只看该作者
那在满足设计要求参数的情况下,如何处理呢

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5
maychang| | 2010-7-23 10:59 | 只看该作者
600V,管子耐压太低了一些。
占空比也太不合理。

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6
guwu|  楼主 | 2010-7-23 17:07 | 只看该作者
maychang老师,Ton是根据(Vdc(min)-1)Ton(max)=(Vo+1)*Np/Ns*Tr和Ton+Tr=0.8T两个关系得到的式子计算得到,即使把开关管的电压应力设为830V,得到Np/Ns=0.4,计算得到的Ton也7.7多,占空比应该是更离谱,这是计算方法错误么?
请maychang老师指点

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7
lhqlhq2| | 2010-7-23 17:12 | 只看该作者
首先变比选择不合理吧
按你的0.2算,初级感应电压应该是接近400V,也就是说你初级电感升压要从24V升到400V。
初级电感升压17倍,而变压器升压才5倍,建议首先这个升压比换过来

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8
lhqlhq2| | 2010-7-23 17:16 | 只看该作者
设Ton+Toff=0.8T=8μs;Ton=7.6μs;Tr=0.4μs;
---这个设计也有些问题吧。
1.占空比太大,有能满足这个占空比要求的芯片吗?
2.没有预留死区时间,这哪里是DCM模式啊?

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9
gaohq| | 2010-7-24 16:53 | 只看该作者
初 ,次级要隔离否?
就用个boost 电路吧。

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10
gaohq| | 2010-7-24 17:07 | 只看该作者
建议楼主发到电源网去。www.**

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