首先肯定周公的结论是正确的，并不是因为权威，而是因为他对三极管输出特性的真正理解。
大家讨论了很多，但并没有真正的解释清楚，我来解释一下，若有不妥或者得罪之处，还望各位海涵。
当三极管用于开关工作状态时，其最可靠的工作状态应该是“临界饱和”和“临界截止”状态，可惜的是我看到很多的设计和应用都不在这两个临界点。
这里，不明白各位说的深度饱和是什么状态？我猜想应该是当Uce=Ueb（小功率硅管为0.7左右），若此时Uce继续减小，Ic将急剧下降，即当Ib<Ic/β时，三极管就进入所谓的“深度饱和”状态，此时Ib对Ic的控制作用基本很小，也就是说三极管已经基本没有电流放大作用了。
至于楼上各位提到的深度饱和状态会对三极管本身和外围器件造成损坏，我没有验证过，也无法理解是怎么回事？造成三极管损坏的原因肯定是因为其不在安全工作区域内，一般不外乎以下几种可能：1.最大允许集电极电流Icm过高，Uce超过击穿区，集电极最大允许功耗Pcm超过规定值，PN结最高允许温度过高等几种情况，各位提到的深度饱和区会引起三极管损坏，不知道哪位能解释一下？ |
