MOS管中的米勒电容影响

发表于 2010-9-15 22:09

MOS管中由于门极和漏极间存在米勒电容，影响开启时间
一般解决办法就是在栅极和源极间并联一个小电容
这样做的原理是什么？
在什么情况下才考虑米勒电容？
米勒电容影响的时间怎么计算？
问题有点多，希望师傅们能够解答一下，谢谢了！

发表于 2010-9-15 22:23

本帖最后由 HWM 于 2010-9-15 22:35 编辑

“米勒电容”不是个实在存在于MOSFET中的电容，它是MOSFET棚漏极间的电容反映到输入（即棚源间）的等效电容。由米勒定理可知，这个等效电容比棚漏间的实际电容要大许多，这个效应所形成的等效电容称为米勒电容。
由此可见，在棚源极间并一个电容无助于减小米勒电容，反之更会降低MOSFET的开启速度。米勒电容的计算，可查数据手册中的Cgd，然后根据具体电路的电压增益计算。

发表于 2010-9-15 22:29

谢谢HWM师傅！
米勒电容的计算，可查数据手册中的Cds？不是Cgd吗？

发表于 2010-9-15 22:33

re 3L：

2楼有误，应该是Cgd。

发表于 2010-9-16 00:05

在g与s之间并联电容对减少MOS管开通关断时间毫无用处，恰恰相反，会增加开通关断时间。
功率MOS管往往给出一定条件下管子开通所需要的电量和充电曲线，可以作为驱动设计的参考。

发表于 2010-9-16 00:21

电容越并越大！如果理论上可能串一个还差不多，不过米勒电容是个等效电容无法串嘀！

MAY老爷子还没休息啊

发表于 2010-9-16 01:12

在关断感性负载时，如果驱动电路的内阻不够小，在MOS的GS间并联一个适当的电容，可防止关断时因米勒电容影响出现的漏极电压塌陷。

发表于 2010-9-16 01:41

LS能详细讲解一下漏极电压塌陷吗？

登录 · 发表于 2010-9-16 12:13

在g与s之间并联电容对减少MOS管开通关断时间毫无用处，恰恰相反，会增加开通关断时间。
功率MOS管往往给出一定条件下管子开通所需要的电量和充电曲线，可以作为驱动设计的参考。 ...
maychang 发表于 2010-9-16 00:05

maychang老爷子
管子开通电量为：I=Qg/T (T=1/工作频率/2/100) 对吗？
充电曲线是下面这个吗？这么看呢

发表于 2010-9-16 14:37

9# diandang

并联电容的的话减小的等效阻抗，串联电容的话减小了电容容值，我们应该怎么综合考虑呢？

发表于 2010-9-16 15:08

9楼：
这就是MOS管充电曲线。
从图中可以看出米勒电容不是在整个充电过程中都起作用，仅在MOS管处于线性放大状态时起作用。
图中曲线接近水平部分是米勒电容起作用的部分。左边倾斜上升部分，MOS管尚未导通，右边倾斜上升部分，MOS管已经进入可变电阻区(在开关电源中借用双极型三极管说法是“饱和”)。
米勒电容起作用部分接近水平，可见米勒电容相当大，
可见充电过程是非线性的，所以计算米勒电容意义不大。驱动电路应该在设计的上升时间内将门极充电到一定电压。如果需要知道米勒电容具体数值，可以量一量图中曲线接近水平部分的斜率来计算，这样比较准确。

发表于 2010-9-16 17:18

这个电容可以代替变容二极管做VCO用，蛮好使的。

发表于 2010-9-16 17:58

当采用共射放大电路而且增益比较大时要重点考虑，
解决办法：1降低源的阻抗2共射共基级联，共射提供电流增益，公基提供电压增益3。。。。。。

发表于 2010-9-20 09:37

11# maychang
请教老大个问题：
1、mos的开通状态的变化或者过程：从截止区——饱和区——可变电阻区（随Vgs的增大影响。）

2、米勒效应只是在mos的饱和区产生影响。

不知这么理解对否？

发表于 2010-9-20 10:44

14楼：
正确。
不过，说“米勒电容(或米勒效应)仅在饱和区存在”更好一些。
2楼HWM的表述已经说明：米勒电容并非常数，而是随增益而变化的。

发表于 2010-9-20 12:11

15# maychang
我们一般是串联一个的电容来降低工作在变阻区的米勒电容，但是esr增大。
假如并联一个电容，电容值增大，但esr减小了。
这个说法对吗？我们实际的时候应该怎么应用。

发表于 2010-9-20 12:28

受教了...

发表于 2010-10-23 13:29

有学习了

发表于 2012-10-1 18:15

呵呵呵好好学习

MOS管中的米勒电容影响

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