MOS管中的米勒电容影响

只看该作者 · 2010-9-15 22:09

MOS管中由于门极和漏极间存在米勒电容，影响开启时间
一般解决办法就是在栅极和源极间并联一个小电容
这样做的原理是什么？
在什么情况下才考虑米勒电容？
米勒电容影响的时间怎么计算？
问题有点多，希望师傅们能够解答一下，谢谢了！

2万 · 2010-9-15 22:23

本帖最后由 HWM 于 2010-9-15 22:35 编辑

“米勒电容”不是个实在存在于MOSFET中的电容，它是MOSFET棚漏极间的电容反映到输入（即棚源间）的等效电容。由米勒定理可知，这个等效电容比棚漏间的实际电容要大许多，这个效应所形成的等效电容称为米勒电容。
由此可见，在棚源极间并一个电容无助于减小米勒电容，反之更会降低MOSFET的开启速度。米勒电容的计算，可查数据手册中的Cgd，然后根据具体电路的电压增益计算。

只看该作者 · 2010-9-15 22:29

谢谢HWM师傅！
米勒电容的计算，可查数据手册中的Cds？不是Cgd吗？

2万 · 2010-9-15 22:33

re 3L：

2楼有误，应该是Cgd。

3万 · 2010-9-16 00:05

在g与s之间并联电容对减少MOS管开通关断时间毫无用处，恰恰相反，会增加开通关断时间。
功率MOS管往往给出一定条件下管子开通所需要的电量和充电曲线，可以作为驱动设计的参考。

只看该作者 · 2010-9-16 00:21

电容越并越大！如果理论上可能串一个还差不多，不过米勒电容是个等效电容无法串嘀！

MAY老爷子还没休息啊

4万 · 2010-9-16 01:12

在关断感性负载时，如果驱动电路的内阻不够小，在MOS的GS间并联一个适当的电容，可防止关断时因米勒电容影响出现的漏极电压塌陷。

只看该作者 · 2010-9-16 01:41

LS能详细讲解一下漏极电压塌陷吗？

只看该作者 · 2010-9-16 12:13

在g与s之间并联电容对减少MOS管开通关断时间毫无用处，恰恰相反，会增加开通关断时间。
功率MOS管往往给出一定条件下管子开通所需要的电量和充电曲线，可以作为驱动设计的参考。 ...
maychang 发表于 2010-9-16 00:05

maychang老爷子
管子开通电量为：I=Qg/T (T=1/工作频率/2/100) 对吗？
充电曲线是下面这个吗？这么看呢

只看该作者 · 2010-9-16 14:37

9# diandang

并联电容的的话减小的等效阻抗，串联电容的话减小了电容容值，我们应该怎么综合考虑呢？

3万 · 2010-9-16 15:08

9楼：
这就是MOS管充电曲线。
从图中可以看出米勒电容不是在整个充电过程中都起作用，仅在MOS管处于线性放大状态时起作用。
图中曲线接近水平部分是米勒电容起作用的部分。左边倾斜上升部分，MOS管尚未导通，右边倾斜上升部分，MOS管已经进入可变电阻区(在开关电源中借用双极型三极管说法是“饱和”)。
米勒电容起作用部分接近水平，可见米勒电容相当大，
可见充电过程是非线性的，所以计算米勒电容意义不大。驱动电路应该在设计的上升时间内将门极充电到一定电压。如果需要知道米勒电容具体数值，可以量一量图中曲线接近水平部分的斜率来计算，这样比较准确。