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H桥驱动,如何降低场效应管功耗

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doner|  楼主 | 2010-9-26 10:31 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

我想用H桥来控制电机正反转。在调试正转时,发现Q1很快发热,运行5分钟就很烫手了。电路如图所示。
量A、B、C、D、E、F电位分别是:15V,   10.5V,   0.5V,   0V,   15V,   15V
Q1发热,Q4不发热。分析原因是Q4饱和,功耗低;Q1的Vgs受电机电压影响,总是保持4.5V,不饱和。所以Q1功耗大,容易发热。
哪位有经验的朋友请帮帮忙指点一下,有什么方法可以使Q1功耗降低,又可以保持电机工作电压保持在10V以上?(注:加大或减小电源电压不行,已经试验过)

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沙发
zjp8683463| | 2010-9-26 10:46 | 只看该作者
Q1,Q2用Pmos

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板凳
mmax| | 2010-9-26 10:52 | 只看该作者
本帖最后由 mmax 于 2010-9-26 10:54 编辑

Q1处于放大状态,Vgs刚好处在4.5V(通过你实测推算出来,这个Vgs是主因,他引起的Vds上4.5V压降)

对桥驱动不懂,呵呵,换PMOS?
至少上下管应该一个P一个N吧,呵呵

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地板
doner|  楼主 | 2010-9-26 11:50 | 只看该作者
不换场效应管直接改电路可以吗?我公司IRFP250比较常用,其他器件要自己出去买,不方便。

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zhaohe2001| | 2010-9-26 18:16 | 只看该作者
这样的驱动方式 上桥臂mos肯定是处于放大状态,
可以用独立的隔离电源进行驱动,如果不方便隔离,可以提升驱动电源电压

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maychang| | 2010-9-26 20:34 | 只看该作者
线性工作,肯定发热。
需要改变驱动方式,让各管开关工作。

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触觉的爱| | 2010-9-28 10:11 | 只看该作者
上桥改成浮动电压驱动呀,用自举的,或者另外加个升压模块,比如用NE555升压

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doner|  楼主 | 2010-9-28 10:27 | 只看该作者
zhaohe2001   说的对,上桥臂mos肯定是处于放大状态。提升驱动电源电压是不是说Q1栅极电压提升到20V,然后漏极电压依然是15V?这样的话不就要用两个电源了?

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zhaohe2001| | 2010-9-29 18:04 | 只看该作者
是的  上桥臂驱动提升到20V就可以

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doner|  楼主 | 2010-9-29 20:09 | 只看该作者
谢谢指点。

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