1、可控硅损坏应该是高压环流具体是什么情况？高压到多少，我控制的电机是220伏的，加上其启动电容，及电路中的电容的各种作用，电压也超不过500伏吧？
答: 高压环流是在可控硅2号和可控硅3号同时导通时产生的，由于电机线圈电感的存在及外接运转电容的储能作用，瞬间产生的高压可高达上千伏，环流可高达上百安，足以让可控硅击穿。
2、由于是单向导通间断性直流电，更不容易让可控硅击穿：问题是更容易击穿还不不容易击穿呀？不过堵转是属于直流制动（应该是220伏半波工作），我想直流的方向应该对堵转效果没有影响吧（方向对堵转效果确实没有影响）。
答: 可控硅1号的击穿，是由于下面的2号可控硅击穿，电路失控，才造成了1号可控硅跟着击穿。
3、具体三个可控硅工作过程如下：
正转：可控硅1导通，同时硅2导通，硅3截止，两个同时导通500ms，相当于220伏电机正转500ms；然后硅1截止硅2导通，硅3截止，in5408和电阻工作，相当于220伏半波堵转工作，到指定90度角度；然后硅1截止，硅2截止，硅3导通，反转10ms刹车；再然后然后硅3截止，硅2导通，硅1截止，保持220伏半波堵转工作，维持90度角度。
反转：可控硅1导通，同时硅3导通，硅2截止，相当于220伏电机反转到指定90度角度；然后硅1截止，硅3导通，硅2截止，in5408和电阻工作，相当于220伏半波堵转工作，维持90度角度。
具体硅2,3切换导通截止是否有保护延迟时间还不太清楚。
答: 可控硅2号、3号切换导通截止必须要有保护延迟，等待其中一个彻底关断后，再开启另一个，由于你这个电路没有同步信号（有同步信号时，延迟一个半波时间即10ms足够），那么这个延迟时间必须2倍于最小延迟时间，即最起码延迟20ms, 如有条件，可延迟50-100ms, 让电机线圈电感和起动电容上储存的能量消弱，减少不利因素。
另外，在正转时，当中插入了10ms反转，事实上，在没有同步机制时，这个半波时间可以控制，但真正控制可控硅只导通10ms，去很难做到，增加这一步，难道是为了消除机械间隙而特意加的？
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