本帖最后由 Flower1 于 2018-1-6 16:24 编辑
用C语言编程操作SPMC75系列单片机内部Flash的方法
SPMC75系列单片机的内部程序存储器采用Flash，其中有一部分Flash在程序自由运行模式下可以由程序擦除、写入，本文主要介绍采用C语言编程操作SPMC75系列单片机内部Flash的方法。
关键词：SPMC75
1 引言
支持C语言几乎是所有微控制器程序设计的一项基本要求，当然SPMC75系列单片机也不例外。μ'nSPTM 指令结构的设计就着重考虑对C语言的支持，GCC就是一种针对μ'nSPTM 操作平台的ANSI－C编译器。但是在应用中对于程序的设计，特别是C和ASM混合使用的时候有些地方是需要注意的，在C中如何嵌入ASM也是一个不可回避的问题。 2 SPMC75单片机FLASH硬件资源分析
SPMC75系列微控制器Flash分为两区：信息区和通用区，在同一时间只能访问其中的一区。信息区包含64个字，寻址空间为0x8000 ～ 0x803F。地址0x8000为系统选项寄存器P_System_Option。其他地址空间可由用户自定义重要信息比如：版本控制、日期、版权、项目名称等等。信息区的内容只有在仿真或烧录的状态下才能改变。
32k字的内嵌Flash(embedded Flash)被划分为16个页，每页2K字，每页可分为8块，这样32K的Flash就可以分成128个块。只有位于00F000 ～00F7FF区域的页在自由运行模式下可以设置为只读或可读可写，其他页均为只读。SPMC75系列微控制器的32K字的内嵌式闪存结构入下图2-1和图2-2。 图2-1信息区结构 图2-2页和帧结构 2.1 FLASH操作
◆ FLASH相关寄存器
Flash有两个控制寄存器：P_Flash_RW ($704D)和P_Flash_Cmd ($7555).。
P_Flash_RW ($704D)是Flash访问控制接口，用连续两次写操作进行设置，这样避免误写入。首先向该寄存器写入$5a5a，然后在16个CPU时钟周期内再向该寄存器写入设置字。 表 2-1 Flash寄存器和系统寄存器 地址 | 寄存器 | 名称 | 704Dh | P_Flash_RW | 内嵌 Flash 的访问控制寄存器 | 7555h | P_Flash_Cmd | 内嵌 Flash 的控制寄存器 |
P_Flash_RW ($704D)：内嵌的Flash访问控制寄存器
P_Flash_RW ($704D)是Flash访问控制接口，用连续两次写操作进行设置，这样避免误写入：首先向该寄存器写入$5a5a，然后在16个CPU时钟周期内再向该寄存器写入设置字。
B15 | B14 | B13 | B12 | B11 | B10 | B9 | B8 | R | R/W | R | R | R | R | R | R | 1 | 0 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 保留 | BK14WENB | BK13WENB | BK12WENB | BK11WENB | BK10WENB | BK9WENB | BK8WENB |
B7 | B6 | B5 | B4 | B3 | B2 | B1 | B0 | R | R | R | R | R | R | R | R | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | BK7WENB | BK6WENB | BK5WENB | BK4WENB | BK3WENB | BK2WENB | BK1WENB | BK0WENB |
用控制寄存器将页设置内嵌FLASH为只读或可读可写模式。 \ | 类型 ( 默认 ) | 页 | 块 | 描述 | B[15] | 保留 | B[14] | R/W (0) | Bank 14 | Frame 112~119 | F000h-F7FFh 访问控制 1= 只读 0= 读 / 写 | B[13:0] | 保留 |
P_Flash_Cmd ($7555)：内嵌的Flash访问控制寄存器
用于处理Flash的指令，见表2-3 B15 | B14 | B13 | B12 | B11 | B10 | B9 | B8 | W | W | W | W | W | W | W | W | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | FlashCtrl |
B7 | B6 | B5 | B4 | B3 | B2 | B1 | B0 | W | W | W | W | W | W | W | W | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | FlashCtrl |
表 2-2 指令功能和操作流程 | 块擦除 | 单字写模式 | 连续多字写模式 | 第一步 | P_Flash_CMD = 0xAAAA | 第二步 | [ P_Flash_CMD ] = 0x5511 | [ P_Flash_CMD ] = 0x5533 | [ P_Flash_CMD ] = 0x5544 | 第三步 | 设置擦除地址 | 写数据 | 写数据 | 第四步 | 自动等待 20ms 后结束 | 自动等待 40us 后结束 | 自动等待 40us | | | | 未写完则转向第二步 | | | | [ P_Flash_CMD ]= 0xFFFF à 操作结束令 |
2.2 FLASH操作使用举例
◆ Flash块擦除操作  | //擦除Flash的第14页的第0块
P_Flash_CMD->W = 0xAAAA; //写控制命令
P_Flash_CMD->W = 0x5511; //写入块擦除命令
//要檫除的块任一地址写入任意数据,则擦除此块
P_WordAdr = (unsigned int *)0xF000;
*P_WordAdr = 0x5555; |
◆ Flash单字写操作  | //擦除Flash的第14页的第0块
//写控制命令
P_Flash_CMD->W = 0xAAAA;
//写入块擦除命令
P_Flash_CMD->W = 0x5511;
//0xF000单元写入数据0x5555
P_WordAdr = (unsigned int *)0xF000;
*P_WordAdr = 0x5555; |
Flash的特点是编程数据写入时只能将1变成0，不能从0变成1。因此，用户在对Flash编程之前，必须首先执行Flash块擦除或者页擦除命令，这样就可以将数据从0"擦除"为1。 ◆ Flash连续写操作
采用连续编程模式向Flash的0xF000 到 0xF060地址空间连续写入数据。  | // 写数据到 0xF001～0xF060的连续单元中，设这段空间已经擦//除过。
P_WordAdr = (unsigned int *)0xF001;
uiData = 11;
P_Flash_CMD->W = 0xAAAA; //写控制命令
for(i = 1;i <= 96;i ++)
{
P_Flash_CMD->W = 0x5544; //写入连续数据写命令
*P_WordAdr = uiData; //写入数据
uiData ++;
P_WordAdr ++;
}
P_Flash_CMD->W = 0xFFFF; //结束数据写入操作 |
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