MOS管恒流电路尖峰干扰

发表于 2011-6-13 14:18

保证Vgs的措施,俺前面说过,保证温度的措施,pjy也在24F说了

发表于 2011-6-13 14:19

和那个无关，就事论事而已。绝对只和本帖子有关

是你自己以为和那个有关系。
友情提醒下：做人没必要这么心虚、处处怀疑、处处冒火的。

发表于 2011-6-13 14:20

你要怎样才能放了俺?

发表于 2011-6-13 14:25

不要一再东想西想的犯傻了，说了只是本贴的讨论的问题。

俺指出的是你的分析方法有问题，你却根本听不进，那就算了。

最后提醒下，再说我都不回你了：
关键词就是倒果为因，你凭什么“保证Vgs及温度一定？”真的在gs脚三并联稳压管再在后面串联个电阻？

发表于 2011-6-13 14:30

16# PowerAnts
并联稳压管的目的应该是为了起到保护作用吧？我是这样理解的

发表于 2011-6-13 14:33

21# pjy
您好，我能懂您说的尖峰脉冲来源于微分对于变化的敏感的理论，但是像您说的那个微分系统，我现在还看不太懂，可以给介绍一下么？

发表于 2011-6-13 14:40

35# PowerAnts
您说的很对，我作为提问者确实有些问题没有提到，我当前的电路实际上是一个闭环的电路，VOUT那里是根据采样流过电池的电流大小来不断调整的，所以如果按照您那样说的，加上稳压管之后，这个VOUT不管怎么调整，栅极电压都是恒定的了，就不符合我的要求了
只是这个尖峰的问题，确实让我比较苦恼

发表于 2011-6-13 14:46

29# xwj
如果我的理解是正确的话，可是我一直不明白的一点是，我的VOUT是运放的输出，那么大的电流尖峰实际上应该是由OP来输出的吧？如果这样的话，是否增大源端阻抗会减小电流的尖峰呢？我的要求对于开关速度要求并不高

发表于 2011-6-13 16:56

29# xwj
如果我的理解是正确的话，可是我一直不明白的一点是，我的VOUT是运放的输出，那么大的电流尖峰实际上应该是由OP来输出的吧？如果这样的话，是否增大源端阻抗会减小电流的尖峰呢？我的要求对于开关速度要 ...
yinsirjeff 发表于 2011-6-13 14:46

以我的经验，刚看前面我就不大同一这个尖峰是由GS电容充电引起的，你的描述我就更相信不是GS充电引起的，原因也就是你这里说的。
1）这个尖峰的形成需要能量，这个能量不是VOUT（运放所能提供的）。
2）对于GS充电，由于C5的原因就更不易出现了。

发表于 2011-6-13 17:01

40# t.jm [/b
那请问可以帮忙分析一下这个干扰的来源么？

发表于 2011-6-13 17:34

由此可见, 俺设想的带镜流源输出端子的功率MOS是相当的有用的，无损检流.

谁去申请蒋氏MOSFET/IGBT专利
PowerAnts 发表于 2011-6-13 14:46

好像有这种MOS管。不敢担保没记错。

发表于 2011-6-13 17:39

这回XWJ也是个较真的人，这个电路较真起来不能叫恒流源。

发表于 2011-6-13 17:46

前面那里写了是闭环控制了？
电路中又哪里体现了是闭环控制？

有闭环控制还用你说？

发表于 2011-6-13 17:47

本帖最后由 t.jm 于 2011-6-13 17:49 编辑

轮到我来怀疑了：
以LZ现在贴的图，没有电流取样环节，他的闭环是假闭环，至少是不包含电流环！

这个尖峰也极有可能是闭环调整时出现的，与GS充电无关。

发表于 2011-6-13 17:49

36楼白纸黑字

发表于 2011-6-13 17:52

说你喜欢倒果为因还不信，我前面发的贴是在36楼前还是36楼后？

发表于 2011-6-13 17:54

火*味很浓烈！

发表于 2011-6-13 17:54

https://bbs.21ic.com/icview-240536-1-1.html 28楼, 说俺心虚, 俺虚什么? 俺用学问找出网站**的错误, 何来心虚之言? 骂你还真没骂错

心虚，心虚啊~
哦，是虚心
xwj 发表于 2011-6-13 14:06

发表于 2011-6-13 17:54

这回我要骂LZ了，
我在42L就说了，图也不贴全，这不是害人吵架吗？
其实多简单的一个问题啊！LZ面壁去！

发表于 2011-6-13 17:55

就是有这样的人，没看到我已纠正所虚心吗？

而且，就算心虚，我有说你吗？
和你有关系吗？
你不心虚你认什么啊？

MOS管恒流电路 尖峰干扰

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