12# yinsirjeff
有点点明白了，输入电容实际上是有一大部分跨接在栅源两极间的，当电容充电的瞬间，电流特别大，而此时DS之间的沟道还没有行成，那么电流就会通过GS间的电容流过下面的电池，从而导致电流出现一个 ...
yinsirjeff 发表于 2011-6-13 13:26 ![]()
这个尖峰不是GS充电引起的，GS充电电流可以定量计算：
1）设Cgs=10nF，Vgs=4V,电流是40nA.s=4A.10nS=0.4A.100nS,这个尖峰的积分比这里大。
2）电容充电尖峰形状就不一样，RC充电，R小C也小，前面尖跟着指数衰减。
我认为尖峰的原因可能有两个，
1）你的闭环调整造成的。比如VOUT就有个这样形状的尖峰。
2）VOUT输出恒定时也有这个尖峰，那么原因是由Li电的充电特性与MOS-VGS的导通特性造成的，比如刚充电时Li电电压是3.80V，VGS=3.2V（假设VOUT=7.0V），充电后电池电压很快上升，变成3.85V，VGS=3.15V,充电电流变小，所谓尖峰形成。 |
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