请教：600V的MOSFET总炸，可能是什么原因？

只看该作者 · 2019-4-8 07:04

给了个半拉电路炸管，无法分析，H 桥都是经典电路，炸管应该检查你的驱动程序是否有问题，从原理上来看电路存在Q2、4 续流二极管，就完全没有必要C40、C42的存在！再说 TVS 也不是这样用法啊！炸管，在电路成型后，你可以去了负载按理想导通顺序，给对应mos 加偏置导通。关闭试一下！电源侧串大功率灯泡，如有短路灯泡会点亮的！

只看该作者 · 2019-4-8 08:31

本帖最后由 tianxj01 于 2019-4-8 08:34 编辑

对于那种斜对角控制的线路，如果栅极驱动、供电没问题，如果时序没问题，是很难杀死驱动管子的。
贴不贴半拉线路都无所谓，如果时序出问题，下管还在工作，而对应的上管和对角线管子开启，则必然炸管。所以，还是驱动和时序有问题的概率大的多。
而你分析的所谓栅极极其脆弱其实是一个完全错误的结论，但凡DS击穿，无一例外，栅极都被烧毁，同时栅极外接的器件在瞬间也非常容易被烧，比如4148此类的。更有的连R24都烧，包括前面的驱动部分。
频率不低的烧毁，认真的抓波形，取桥臂的电流样本，反复测试，应该不难解决问题。顺便提醒一下，对于这类应用，桥臂附近必须有容量比较大的电容，如果是一个比较长的导线，在切换瞬间，续流是对VCC-GND发生的，没有电容，导线感抗就可能形成高的漏感尖峰，直接KILL 桥臂管子。

1万 · 2019-4-8 08:44

小研究发表于 2019-4-7 22:43
驱动电路换了好几版了，刚才本来回复了，结果被21IC莫名其妙的屏蔽了。总之驱动芯片用过，推挽用过，都一 ...

先得空载测试。如果烧了就是上下臂同时导通。
如果pass，
就换13A直流负载接入进行测试，若烧了就是开关速度不够。

1万 · 2019-4-8 08:46

小研究发表于 2019-4-7 22:43
说具体点？哪里垃圾了？谢谢。

除了MOSFET，和两只电阻R37R51外，其他都是垃圾。

1万 · 2019-4-8 08:52

小研究发表于 2019-4-7 22:43
驱动电路换了好几版了，刚才本来回复了，结果被21IC莫名其妙的屏蔽了。总之驱动芯片用过，推挽用过，都一 ...

省钱的测试方法也告诉你。在DCFZ 上串联一个10kohm 电阻进行测试。不会烧MOSFET，顺便观察DCVZ在开关切换过程的跌落。

这样只需进行项目2测试即可

只看该作者 · 2019-4-8 09:09

4148最大电流是3A，电容可以请去掉，换一个二极管，二极管是反向给电源充电的

只看该作者 · 2019-4-8 09:24

xch 发表于 2019-4-8 08:44
先得空载测试。如果烧了就是上下臂同时导通。
如果pass，
就换13A直流负载接入进行测试，若烧了就是开关 ...

空载、轻载，绝对没问题，这个验证过的。
现在的炸管子，跟负载有关，我手头上的测试条件只能提供一倍负载，非常偶尔才炸管子。而实际应用时是三倍负载（即感抗是三分之一），操作个七八次必炸。
所以，目前，越来越多的分析表明，的确跟电容有关系。
几年前做过大功率的电力电子，受此习惯影响，贸然加了吸收电容，可能的确画蛇添足了。