输出边沿速度过高，在封装内部引线类型都有着实际的寄生电感，想典型的247封装，就有几nH的寄生封装电感。
设想一下，一个百A级别，nS开关速度的方波，在这个寄生电感上面可以产生多少的关断尖峰？要注意，这个是在封装内部，你无法通过任何手段来消除。为了这个关断尖峰，（实际上你测试不到这个尖峰，打开的裸片才可以精确测量）我们就必须把这个关断速度限制到几10nS或者更慢。当内部实际开关速度很快，希望通过外部电容啥的来控制速度，这对这个封装寄生电感是无效的。
因为这个原因，同时为了提高器件速度，就提出了大电流的纯晶片封装类型，封装电感可以低于0.几个nH。
典型的如IRF6725，该公司叫这个封装为DirectFET。
同时，哪怕不考虑该内部封装电感，外部引线、布板参数的分别参数寄生电感则是个更大的寄生电感，到百A级别，nS级别的开关，尖峰吸收、抑制处理难度就非常高，不是吸收功率实在太大，就是非常复杂...，而实际上，在尖峰抑制和开关速度方面，我们最后无一例外都通过适当降低开关速度来进行妥协。 |
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