IGBT缓冲吸收电路

只看该作者 · 2019-8-12 21:53

本帖最后由 DHmamba 于 2019-8-12 21:56 编辑

有没有人用过这个电路，给讲解一下

只看该作者 · 2019-8-12 22:14

king5555 发表于 2019-8-12 22:06
这样不好，电阻要直接并联在电容。

能否具体讲解一下，现在二极管经常穿

只看该作者 · 2019-8-14 17:09

根据D的接法，这个RCD，箝位的是正负电压，其中D2箝位负电压，而D1箝位正电压，理论上是没问题的，关键是电容的位置，该接法电容上面各会有一个静态的VCC，由于R的泄放过程，其电流计算还是电阻2端的压差，所以，叠加了一个静态VCC的RCD回来，过程和并联的RCD一模一样。
所以，这算一个画蛇添足的设计，正确的做法把2个C，都弄到和电阻并联的位置来用，要知道这个电容耐压差异会相当大，同样效果，可靠性和成本差太多了。
至于二极管经常穿，则是参数设置问题了，和奇怪接法的电容看起来没什么联系。
照例说，IGBT速度有限，而并联的续流管子，已经可以正常的把方波箝位到GND和VCC了，如果没有能够正确箝位，则说明功率回路带太大的感性了，直接在IGBT上下供电之间并联一个大的高频电容，改善干线管子附近的容性，应该可以改善该方波的尖峰特性，由于IGBT通常工作在大电流条件，所以，供电容性必须足够大，才能有效抑制续流过程的尖峰电压。
你可以看看电路上面D1串联R1后实际上和上管续流二极管并联，除非当上管正向电压很高时候，该回路才会起作用。