在各类电源、电机驱动及控制电路中，MDD辰达半导体 MOSFET 是最常见的功率器件之一。由于其工作频率高、电流大、温升快，一旦出现故障，往往会造成系统停机甚至连带烧毁其他元件。作为MDD FAE，如何快速定位问题、判断失效类型并指导客户恢复，是关键技能。
一、常见故障类型分类
在实际应用中，MOSFET 的典型失效类型包括：
短路失效（D-S导通）：漏源极间电阻近似为零，多由过压击穿或热失控导致；
开路失效：器件内部焊线断裂或硅片烧蚀，无法导通；
漏电/性能退化：静态漏电流升高，开关损耗增加；
栅极损伤：EAS 或 ESD 造成栅氧层击穿，导致栅极驱动异常；
热击穿或封装炭化：散热不良或PCB铜箔脱焊导致。
二、快速定位思路
1、初步判断（不带电测）
使用万用表电阻档（或二极管档）快速排查：
测量 D-S间电阻：
若 <10Ω，基本确定短路。
若 >1MΩ 且无导通迹象，可能开路或栅极失效。
测量 G-S间电阻：
应在数百kΩ以上；若几Ω或几十Ω，则为栅极击穿。
测量 D-G间：若存在导通或低阻，也可能为内部氧化层破坏。
这一步可在几分钟内初步判断 MOS 是否损坏。
2、通电动态验证
若外观及静态测试无异常，可进入动态测试。
用示波器监测 栅极驱动波形：应为方波，幅度应≥10V（N沟MOS）；若波形失真或幅值不足，需检查驱动芯片。
监测 D-S波形与电流波形：若开通/关断时间延长、波形拖尾明显，说明MOS内部特性退化或结温偏高。
3、温升与短时应力验证
使用红外热像仪或点温仪观测温度分布；
若单颗MOS温升明显高于其他并联器件（>10°C差异），说明内部R<sub>DS(on)</sub> 异常或焊接不良；
对高频应用，观察波形是否存在过冲、振铃等迹象。
三、故障原因分析与修复建议
四、FAE快速诊断技巧
判断优先级：
先电阻测量，再通电波形，再热像验证；
切勿带电乱测，避免二次击穿。
记录对比数据：
与正常通道MOS对比电压、波形、温度差异，可快速缩小范围。
关注外部驱动与供电：
很多MOS失效并非器件问题，而是驱动欠压、反相电感、接地干扰造成。
MDD MOSFET 故障诊断的关键在于——
“静态判定准、动态验证快、系统思维全。”
FAE在支持客户时，通常可通过简单的万用表和示波器，在10分钟内判断出故障类型。后续应结合应用场景，提出散热、驱动、布局等预防性优化，避免重复损坏。
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