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最新:DS13105_STM32WLE5xx单片机数据手册

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楼主: 米多0036
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米多0036|  楼主 | 2020-5-15 18:39 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
I/O系统电流消耗
I/O系统的电流消耗有两个部分:静态和动态。
I/O静态电流消耗
当引脚为
外部保持低位。这个电流消耗的值可以通过使用
上拉/下拉电阻值见表67:I/O静态特性。
对于输出引脚,任何外部下拉或外部负载也必须考虑
估计当前消耗量。
额外的I/O电流消耗是由于I/O配置为输入,如果中间
电压水平由外部施加。这个电流消耗是由输入施密特引起的
用来鉴别输入值的触发电路。除非这个特定配置是
根据应用程序的要求,可以通过配置
这些I/O处于模拟模式。尤其是ADC输入引脚的情况,应该是
配置为模拟输入。
注意:任何浮动输入引脚也可能会稳定到中间电压水平或无意中切换,
由于外部电磁噪声。避免当前与
浮动管脚,这些管脚必须在模拟模式下配置,或在内部强制
确定的数字值。这可以通过使用上/下电阻器或
在输出模式下配置管脚。
I/O动态电流消耗
除了先前测量的内部外围设备电流消耗外(参见
表48:外围设备电流消耗,应用程序使用的I/O也有助于
当前消耗量。当I/O引脚切换时,它使用来自I/O电源的电流
为输入/输出引脚电路供电和为电容性负载充电/放电的电压(内部或
外部)连接到管脚:
哪里
•I SW是开关I/O为电容性负载充电/放电而吸收的电流。
•V DD是I/O电源电压。
•f SW是I/O开关频率。
•C是I/O引脚看到的总电容:C=C Io+C EXT。
•C EXT是PCB板电容加上任何连接的外部设备引脚
电容。
测试引脚配置为推拉输出模式,并由软件在
频率。片上外围电路电流消耗
芯片外设的电流消耗见下表。设备是
置于下列条件下:
•所有I/O引脚均处于模拟模式。
•通过测量当前消耗量的差值来计算给定值:
–当外设时钟打开时
–当外围设备被关闭时
•表21总结了环境工作温度和电源电压条件:
电压特性。
•表中给出了片上外围设备数字部分的功耗
下面。外围设备模拟部分的功耗(如适用)
在数据表的每个相关部分中都有说明。

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米多0036|  楼主 | 2020-5-15 18:40 | 只看该作者
5.3.8低功率模式和电压缩放的唤醒时间
过渡时间
下表中给出的唤醒时间是事件和
执行第一条用户指令。
在WFE(等待事件)指令之后,设备进入低功耗模式。

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米多0036|  楼主 | 2020-5-15 18:43 | 只看该作者
5.3.9外部时钟源特性
由外部源产生的高速外部用户时钟
高速外部(HSE32)时钟可配备32 MHz晶体振荡器或
由TCXO(温控晶体振荡器)控制。
晶体振荡器
设备包括内部可编程电容,可用于调节
晶体频率以补偿PCB寄生之一。
下表中的特性是在推荐的操作条件下测量的,
除非另有规定。典型值为T A=25°C和V DD=3 V。



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米多0036|  楼主 | 2020-5-15 18:44 | 只看该作者
5.3.10内部时钟源特性
下表中给出的参数来自于在环境下进行的试验
表25:一般操作中总结的温度和电源电压条件
条件。提供的曲线是表征结果,未在生产中测试。
高速内部(HSI16)RC振荡器




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米多0036|  楼主 | 2020-5-15 18:44 | 只看该作者

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米多0036|  楼主 | 2020-5-15 18:47 | 只看该作者
5.3.11锁相环特性
下表中给出的参数来自于在温度下进行的试验
表25:一般操作条件总结了V DD电源电压条件。

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米多0036|  楼主 | 2020-5-15 18:48 | 只看该作者
5.3.13电磁兼容特性
在器件特性化过程中,对样品进行磁化率测试。
功能EMS(电磁敏感性)
在设备上执行简单的应用程序时(通过I/O端口切换两个LED)。
设备受到以下电磁事件的压力,直到发生故障(故障
由LED指示):
•ESD(静电放电,正负极)应用于所有设备引脚,直到
出现功能性干扰(试验符合IEC 61000-4-2标准)
•适用于VDD和VSS的FTB(快速瞬变电压脉冲,正负)
引脚,通过100 pF电容器,直到出现功能干扰(符合试验要求
符合IEC 61000-4-4标准)
设备重置允许恢复正常操作。
下表中给出的测试结果基于定义的EMS级别和类
应用说明:适用于STM8、STM32和传统MCU的EMC设计指南(AN1709)。

设计强化软件以避免噪音问题
EMC特性和优化在组件级别执行,典型的
应用环境和简化的单片机软件。
注意:良好的EMC性能在很大程度上取决于
特别是。然后建议用户应用EMC软件优化和
与应用程序所要求的EMC级别相关的资格预审测试。
软件建议
软件流必须包括失控条件的管理,例如:
•程序计数器损坏
•意外复位
•关键数据损坏(控制寄存器)
资格预审
大多数常见故障(意外重置和程序反损坏)可能是
通过在NRST管脚或振荡器管脚上手动施加低状态1s来再现。
为了完成这些试验,ESD应力可以直接施加在设备上,范围为
规格值。当检测到意外行为时,可以对软件进行加固
以防止发生不可恢复的错误。有关详细信息,请参阅应用说明
提高微控制器电磁兼容性能的软件技术(AN1015)。
电磁干扰(EMI)
当一个简单的应用是
执行(通过I/O端口切换两个LED)。此排放测试符合
IEC 61967-2标准,规定了测试板和插针负载。

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米多0036|  楼主 | 2020-5-15 18:51 | 只看该作者
5.3.14电灵敏度特性
基于使用特定测量方法的三种不同测试(ESD、LU),该设备是
强调要确定其在电灵敏度方面的性能。
静电放电(ESD)
静电放电(一个正脉冲,然后一个负脉冲,间隔1s)应用于
每个样品的针根据每个针的组合。样本量取决于
设备中的电源插针数量(3个部件×(n+1)电源插针)。这个测试符合
ANSI/JEDEC标准。

静态闩锁
需要对三个部件进行以下补充静态试验,以评估锁闩
性能:
•对每个电源引脚施加电源过电压。
•电流注入应用于每个输入、输出和可配置的I/O引脚。
这些测试符合EIA/JESD 78A IC锁存标准。

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米多0036|  楼主 | 2020-5-15 18:52 | 只看该作者
5.3.15条I/O电流注入特性
通常,由于外部电压低于V SS或
在正常生产过程中,必须避免超过V DD(对于标准的、支持3V的I/O引脚)
操作。然而,为了显示微控制器在
如果意外发生异常注射,则在
设备特征化期间的样品基础。
I/O电流注入的功能敏感性
当在设备上执行简单的应用程序时,通过注入
在浮动输入模式下编程输入/输出引脚的电流。当电流注入
I/O管脚,一次一个,检查设备是否有功能故障。
故障由一个超出范围的参数表示:ADC错误高于某个限制
(高于5 LSB TUE),超出了相邻区域感应泄漏电流的常规限制
引脚(超出-5μA/0μA范围)或其他功能故障(例如复位发生
或振荡器频率偏差)。
表征结果见下表。
负感应漏电流是由负注入和正感应引起的
泄漏电流是由正注入引起的。

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米多0036|  楼主 | 2020-5-15 18:52 | 只看该作者
5.3.16输入/输出端口特性
一般输入/输出特性
除非另有规定,下表中给出的参数是由试验得出的
在表25:一般操作条件总结的条件下进行。全部
I/O设计为符合CMOS和TTL。

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米多0036|  楼主 | 2020-5-15 18:53 | 只看该作者

输出驱动电流
GPIO可以接收或接收高达±8毫安的信号,接收或接收高达±20毫安的信号(使用
放松V OL/V OH)。
在用户应用程序中,可以驱动电流的I/O管脚数必须限制为
遵守第节中规定的绝对最大额定值5.2款:绝对最大额定值。
V DD上所有I/O的电流总和,加上
源于V DD的MCU不能超过绝对最大额定值∑I VDD(参见
表21:电压特性)。
V SS上所有I/O的电流总和,加上
MCU沉入V SS,不能超过绝对最大额定值∑I V SS(见表21:
电压特性)。
输出电压电平
除非另有规定,下表中给出的参数是由试验得出的
在环境温度和电源电压条件下执行,总结如下
表25:一般操作条件。所有I/O都符合CMOS和TTL(FT或TT
除非另有规定)。

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米多0036|  楼主 | 2020-5-15 18:56 | 只看该作者

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米多0036|  楼主 | 2020-5-15 18:56 | 只看该作者
5.3.17条NRST引脚特性
NRST管脚输入驱动器使用CMOS技术。它连接到一个永久的
上拉电阻器,R PU。
除非另有规定,下表中给出的参数是由试验得出的
在环境温度和电源电压条件下执行,总结如下
表25:一般操作条件。

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米多0036|  楼主 | 2020-5-15 18:57 | 只看该作者

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米多0036|  楼主 | 2020-5-15 18:57 | 只看该作者
5.3.19模数转换器特性
除非另有规定,下表中给出的参数为初步值
源于在环境温度、f PCLK频率和V DDA电源下进行的试验
表25:一般操作条件中总结的电压条件。
注:建议每次通电后进行校准。

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米多0036|  楼主 | 2020-5-15 18:58 | 只看该作者

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米多0036|  楼主 | 2020-5-15 18:58 | 只看该作者

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米多0036|  楼主 | 2020-5-15 19:28 | 只看该作者

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米多0036|  楼主 | 2020-5-15 19:30 | 只看该作者
5.3.17条NRST引脚特性
NRST管脚输入驱动器使用CMOS技术。它连接到一个永久的
上拉电阻器,R PU。
除非另有规定,下表中给出的参数是由试验得出的
在环境温度和电源电压条件下执行,总结如下
表25:一般操作条件。

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米多0036|  楼主 | 2020-5-15 19:35 | 只看该作者
5.3.17条NRST引脚特性
NRST管脚输入驱动器使用CMOS技术。它连接到一个永久的
上拉电阻器,R PU。
除非另有规定,下表中给出的参数是由试验得出的
在环境温度和电源电压条件下执行,总结如下
表25:一般操作条件。

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