打印
[应用相关]

最新:DS13105_STM32WLE5xx单片机数据手册

[复制链接]
楼主: 米多0036
手机看帖
扫描二维码
随时随地手机跟帖
101
米多0036|  楼主 | 2020-5-15 20:33 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
所有I2C SDA和SCL I/O都嵌入一个模拟滤波器(有关其
特性)。

USART特性
除非另有规定,下表中给出的参数是由试验得出的
在环境温度、f PCLKx频率和电源电压条件下执行
表25总结了一般操作条件,配置如下:
•OSPEEDRy[1:0]设置为10(输出速度)
•电容性负载C=30 pF
•CMOS级测量点:0.5 x V DD
请参阅第5.3.16节:I/O端口特性,以了解有关输入/输出备用端口的更多详细信息
功能特性(NSS、CK、TX和RX用于USART)。

使用特权

评论回复
102
米多0036|  楼主 | 2020-5-15 20:34 | 只看该作者

使用特权

评论回复
103
米多0036|  楼主 | 2020-5-15 20:34 | 只看该作者
SPI特性
除非另有规定,下表中给出的参数是由试验得出的
在环境温度、f PCLKx频率和电源电压条件下执行
表25总结了一般操作条件,配置如下:
•输出速度设置为OSPEEDRy[1:0]=11
•电容性负载C=30 pF
•在CMOS水平下进行的测量:0.5 x V DD
请参阅第5.3.16节:I/O端口特性,以了解有关输入/输出备用端口的更多详细信息
功能特性(NSS、SCK、MOSI、MISO用于SPI)。

使用特权

评论回复
104
米多0036|  楼主 | 2020-5-15 20:35 | 只看该作者

使用特权

评论回复
105
米多0036|  楼主 | 2020-5-15 20:36 | 只看该作者

使用特权

评论回复
106
米多0036|  楼主 | 2020-5-15 20:37 | 只看该作者

使用特权

评论回复
107
米多0036|  楼主 | 2020-5-15 20:37 | 只看该作者
JTAG/SWD特性
除非另有规定,下表中给出的参数是由试验得出的
在环境温度、f PCLKx频率和电源电压条件下执行
表25总结了一般操作条件,配置如下:
•电容性负载C=30 pF
•在CMOS水平下进行的测量:0.5 x V DD。
有关更多详细信息,请参阅第5.3.16节:I/O端口特性。

使用特权

评论回复
108
米多0036|  楼主 | 2020-5-15 20:38 | 只看该作者
6包装信息
为了满足环境要求,ST提供了不同等级的
ECOPACK软件包,取决于其环境合规性水平。生态包
规格、等级定义和产品状态见www.st.com。生态包
是ST商标。
6.1 UFBGA73包装信息
图26。UFBGA-73球,5×5mm,超薄细间距球栅阵列
包装大纲

1。绘图不按比例。
2。-端子A1的拐角必须用拐角倒角、墨水或金属化的方法在顶面上进行识别
包装体或整体热段塞的标记或其他特征。
-在包装的底面上允许有一个识别端子A1的特征
角落。每个角的确切形状是可选的。

使用特权

评论回复
109
米多0036|  楼主 | 2020-5-15 20:39 | 只看该作者

一。以英寸为单位的值从mm转换为4位小数。
最小典型最大最小典型最大
2。-UFBGA代表超薄型面细间距球栅阵列。
-超薄型材:0.50分<A≤0.65毫米/细音高:e<1.00毫米投球。
-总轮廓高度(尺寸A)是从座面到部件顶部测量的
-最大总包装高度的计算方法如下:
四。相对于基准A和B,控制球型位置的位置公差
每个球都有一个垂直于基准C并位于真实位置的圆柱公差带eee
对于由e定义的基准A和B,垂直于每个球的基准C的轴必须位于
在这个公差范围内。
- - 0.15分- - 0.0059
法国法郎(5)
5个。控制球在矩阵中相对彼此位置的位置公差。
对于每个球,都有一个垂直于基准C并位于真实位置的圆柱公差带fff
如e所定义,垂直于每个球的基准C的轴必须在该公差带内。每个
数组中的公差带fff完全包含在上面的相应区域eee中。每个球的轴线
必须同时位于两个公差带内。

使用特权

评论回复
110
米多0036|  楼主 | 2020-5-15 20:40 | 只看该作者

使用特权

评论回复
111
米多0036|  楼主 | 2020-5-15 20:40 | 只看该作者
UFBGA73的设备标记
下图给出了上部模块标记与引脚1位置标识符的对比示例
地点。
印刷的标记可能因供应链而异。
其他取决于供应链运作的可选标记或插入/加厚标记有
以下未注明。
图28。UFBGA73标记示例(包俯视图)

一。标有“ES”、“E”或附有工程样品通知函的零件尚未
合格,因此未批准用于生产。ST不对任何后果负责
由于这种使用而产生的。在任何情况下,都不对使用这些工程的客户负责
生产中的样品。在决定使用这些产品之前,必须联系ST的质量部门
运行鉴定活动的工程样品。
6.2包装热特性
最大芯片连接温度(T J max)不得超过
表25:一般操作条件。
最大芯片结温度T J max(单位°C)可以使用
方程式:
T J max=T A max+(P D max xΘJA)
哪里:
•T A max是最高环境温度,单位为摄氏度。
•ΘJA是与环境热阻的封装接头,单位为°C/W。
•P D max是P INT max和P I/O max的总和(P D max=P INT max+P I/O max)。
•P INT max是I DD和V DD的乘积,单位为瓦特。这是最大的芯片
内部权力。
P I/O max表示输出引脚上的最大功耗:
P I/O最大值=∑(V OL×I OL)+∑((V DD–V OH)×I OH)
考虑到I/O在低电平和高电平时的实际V OL/I OL和V OH/I OH
申请。
当使用SMPS时,一部分功耗被耗散到外部
因此降低了器件功耗。这部分主要取决于
电感器的ESR特性。

使用特权

评论回复
112
米多0036|  楼主 | 2020-5-15 20:41 | 只看该作者
由于辐射射频功率很低(<4 mW),因此无需将其从
设备功耗。
射频特性(如灵敏度、发射功率消耗)提供高达85°C的温度。
表92。封装热特性

使用特权

评论回复
113
米多0036|  楼主 | 2020-5-15 20:41 | 只看该作者

使用特权

评论回复
114
米多0036|  楼主 | 2020-5-15 20:43 | 只看该作者

使用特权

评论回复
115
米多0036|  楼主 | 2020-5-15 20:44 | 只看该作者
大体翻译成中文,希望大家对新产品有更多的了解。

使用特权

评论回复
116
米多0036|  楼主 | 2020-5-15 20:44 | 只看该作者
如果哪里不清楚,可以参考官方的数据手册

使用特权

评论回复
117
米多0036|  楼主 | 2020-5-15 20:45 | 只看该作者
DM00648230_ENV4.pdf (2.62 MB)
原版在此,只不过原版是英文的哦。对英语困难的同伴很不友好,希望大家加油!~

使用特权

评论回复
118
hnpyxj| | 2020-5-19 18:31 | 只看该作者
谢谢楼主分享!!

使用特权

评论回复
119
wowu| | 2020-6-4 16:49 | 只看该作者
非常感谢楼主分享

使用特权

评论回复
120
xiaoqizi| | 2020-6-4 16:50 | 只看该作者
通讯稳定吗

使用特权

评论回复
发新帖 我要提问
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则