打印

DCDC模块供电如何接超级电容?

[复制链接]
4440|16
手机看帖
扫描二维码
随时随地手机跟帖
跳转到指定楼层
楼主
gaobq|  楼主 | 2020-10-9 10:09 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
想用单片机在掉电的瞬间,把临时数据保存到FLASH中,上电再LOAD。使用了一个6W的DCDC模块,最大容性负载1800uF,这点电量怕不足以支撑到写完FLASH,所以想接一个0.22F的超级电容,尽管还没有试验,怀疑超级电容会影响DCDC的启动,可能会过流保护。请问有什么方法可以把这个超级电容加到VCC总线上,加一个MOSFET开关,再串一个二极管管反向隔离?请给出出主意!

使用特权

评论回复

相关帖子

沙发
chongdongchen| | 2020-10-9 10:29 | 只看该作者
超级电容不需要,检测到掉电后,马上关掉不必要的负载(例如数码管),再操作FLASH,1800uF够用。

使用特权

评论回复
评论
xmar 2020-11-25 11:09 回复TA
但这个方法,不适于RTC时钟。因为,单片机掉电后,RTC时钟任然需要维持运行。 
板凳
gaobq|  楼主 | 2020-10-9 16:02 | 只看该作者
掉电检测比较复杂,我的主供电和单片机的3.3V是隔离的,所以我想扩展一片FRAM,16k bit,才两块多钱,I2C接口。可以随时写,掉电也不怕丢数据了

使用特权

评论回复
地板
zhaolei2612| | 2020-10-9 16:50 | 只看该作者
看你的需求了。根据需要保存数据的多少和频率,来选择是掉电保存还是定时保存等。如果需要保存的数据是列表记录等信息,即老的数据也不能覆盖,推荐用外部EEPROM或者FRAM,如果只是一些参数的话,用MCU内部FLASH就行。保存数据要有验证/校验方法,确保数据的正确性。掉电保存,一般的数据量,1800uf的电容可以测试一下,是否可行,DCDC输入电压为多大?推荐电容放在DCDC前端,二级管做隔离,防止反向供电,这样掉电时间保持长。

使用特权

评论回复
5
zhaolei2612| | 2020-10-9 16:52 | 只看该作者
如果没有掉电检测电路,定时存储或修改存储就行。

使用特权

评论回复
6
lfc315| | 2020-10-9 16:57 | 只看该作者
搜索:法拉电容充电电路图

使用特权

评论回复
7
gaobq|  楼主 | 2020-10-10 13:53 | 只看该作者
谢谢各位专家,特别是zhaolei2612细致的讲解,再次感谢。我保留的是一些循环记录,凑够256字节,就写入FLASH,临时数据放在RAM,升级后放在FRAM中。带隔离DCDC供电,检测掉电比较麻烦,需要在供电进口检测,传统做法比较器、基准、隔离芯片需要占用空间。曾想使用一个线性光耦来检测掉电,也没有形成合适的方案。最终成本和空间考虑,可能FRAM是最佳只选。

使用特权

评论回复
8
daocaorenchao| | 2020-10-10 18:52 | 只看该作者
楼主你好,之前我用过一个超级电容的,充电是直接串接电阻,放电用的二极管,掉电检测用的线性光耦

使用特权

评论回复
9
e21| | 2020-10-12 09:25 | 只看该作者
串个电阻就行.因为掉电时通常耗电不大.

使用特权

评论回复
10
gaobq|  楼主 | 2020-10-12 15:25 | 只看该作者
daocaorenchao 发表于 2020-10-10 18:52
楼主你好,之前我用过一个超级电容的,充电是直接串接电阻,放电用的二极管,掉电检测用的线性光耦 ...

请问您线性光耦用的那个型号?我觉得价格都挺高

使用特权

评论回复
11
iwjj1985| | 2020-10-30 17:26 | 只看该作者
gaobq 发表于 2020-10-12 15:25
请问您线性光耦用的那个型号?我觉得价格都挺高

用普通光耦就行了,光耦二极管侧串限流电阻

使用特权

评论回复
12
IC009| | 2020-11-25 10:25 | 只看该作者
加个可充电池,容量不用很大。

使用特权

评论回复
评论
xmar 2020-11-25 10:58 回复TA
用纽扣可充电锂电池就好。 
13
gx_huang| | 2020-11-25 11:03 | 只看该作者
首先是考虑掉电保存,用普通电解电容,一般保存几K字节以内,470uF电容足够了,看硬件设计。
改进方案,比单纯加大滤波电容,更省钱可靠简单。

使用特权

评论回复
14
gaobq|  楼主 | 2020-12-4 16:38 | 只看该作者
本帖最后由 gaobq 于 2020-12-4 16:39 编辑
gx_huang 发表于 2020-11-25 11:03
首先是考虑掉电保存,用普通电解电容,一般保存几K字节以内,470uF电容足够了,看硬件设计。
改进方案,比 ...

gx_huang,谢谢啦,我改进了方案除了单片机和存储器外的其它外设,增加了供电开关,利用稳压二极管和光耦实现了隔离状态下的掉电信号识别,就使用普通电容可以实现数据的及时保存了,这样能降低FRAM的成本。

使用特权

评论回复
发新帖 我要提问
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

172

主题

827

帖子

5

粉丝