【银杏科技ARM+FPGA双核心应用】GD32F4系列三十二——FSMC实验

发表于 2025-4-14 10:32

FSMC支持多种静态存储器，包括SRAM、PSRAM、NOR Flash等

发表于 2025-4-14 10:43

FSMC支持8位和16位数据总线宽度，可根据外部存储器的数据宽度进行选择。

发表于 2025-4-14 10:55

优化PCB布局，减少信号线长度，使用适当的阻抗匹配和信号完整性设计。

发表于 2025-4-14 11:06

保证FSMC与外部存储器之间的硬件连接正确可靠，包括地址线、数据线、控制线等。松动或错误的连接可能导致通信故障或无法正常访问存储器。

发表于 2025-4-14 11:21

FSMC 将外部存储器映射到微控制器的内存地址空间，用户可通过访问特定地址范围来读写外部存储器。GD32F4 系列 FSMC 支持多个存储区域（Bank），每个区域可独立配置为不同的存储器类型。

发表于 2025-4-14 11:32

对于支持突发访问的存储器（如 SRAM），可配置突发长度以提高数据传输效率。

发表于 2025-4-14 11:43

使用地线隔离，减少噪声干扰。

发表于 2025-4-14 12:03

在复用地址总线模式下，地址和数据通过同一物理连接线路进行传输，因此需要特别注意地址和数据的时序关系。

发表于 2025-4-16 11:41

非常详细！FSMC实验的介绍和原理图都很清晰，期待实际操作的效果。

发表于 2025-6-8 21:40

同一Bank内的片选信号（NE）不可同时激活，需避免地址冲突；控制信号（如NWE、NOE）需与外部存储器的时序严格同步。

发表于 2025-6-9 00:06

避免电源噪声影响信号稳定性。

发表于 2025-6-9 01:49

电源去耦、信号隔离、阻抗匹配。

发表于 2025-6-10 09:42

如果使用同步模式，注意FSMC时钟的分频设置，确保与外部存储器的时钟要求匹配。

发表于 2025-6-10 10:54

GD32F4的FSMC支持多个存储区域（Bank），根据需要选择合适的Bank，并正确配置其基地址和大小。

发表于 2025-6-10 11:33

FSMC的时序需与外部存储器的读写时序严格匹配，否则会导致读写失败或数据错误。

发表于 2025-6-10 12:09

根据外部存储器的特性，编写相应的驱动程序，实现读写操作。

发表于 2025-6-10 12:50

检查FSMC的状态寄存器，及时处理访问错误

发表于 2025-6-10 13:20

在FSMC配置中，正确选择存储器类型（如SRAM、NOR Flash、PSRAM等），不同的存储器类型可能需要不同的时序和控制信号。

发表于 2025-6-10 15:37

根据外部设备调整地址 / 数据建立时间，避免读写错误。

发表于 2025-6-10 16:13

若外部存储器需要等待信号（如NOR Flash的WAIT#），需启用FSMC_PCROx（PC卡/RAM控制寄存器）的等待功能。