【银杏科技ARM+FPGA双核心应用】GD32F4系列三十二——FSMC实验

发表于 2025-6-10 16:48

根据外部存储器的数据总线宽度（8位、16位或32位），正确配置FSMC的数据总线宽度。

发表于 2025-6-10 17:52

外部存储器的VCC（数据总线电源）与MCU的VDD需共地，且建议使用磁珠/电容滤波

发表于 2025-6-10 18:24

时序参数不匹配、数据线干扰。

发表于 2025-6-10 18:56

可以通过读取和写入数据来验证FSMC和DMA的工作是否正常。

发表于 2025-6-10 19:26

在初始化FSMC之前，确保相关GPIO已经配置为复用功能（AF模式），并且时钟已经使能。

发表于 2025-6-10 19:59

正确的初始化代码，包括FSMC和DMA的初始化。

发表于 2025-6-10 21:10

结合逻辑分析仪和内存测试代码，逐步排查问题。

发表于 2025-6-10 21:51

FSMC 的 VDDA（模拟电源）与 VDD（数字电源）必须分离，VDDA 需连接 10μF+0.1μF 去耦电容。

发表于 2025-6-10 22:41

用示波器测量关键信号（NWE、NOE、NE、地址、数据）的时序，对比数据手册要求。

发表于 2025-6-12 13:29

降低HCLK频率（如从100MHz降至50MHz），重新配置时序参数。
在数据总线（D0-D15）和地址总线（A0-A25）末端添加终端匹配电阻

发表于 2025-6-12 13:59

支持8位/16位数据总线，是扩展外部存储的关键模块。

发表于 2025-6-12 14:24

如果使用DMA进行数据传输，需要正确配置DMA控制器。

发表于 2025-6-12 14:58

在电源引脚附近添加去耦电容，以减少电源噪声。

发表于 2025-6-12 16:06

FSMC信号线需远离高频时钟（如SPI、I2C）、电机驱动等干扰源，必要时添加磁环滤波。

发表于 2025-6-12 16:26

信号完整性差（如反射、串扰）、HCLK频率过高（超过存储器支持的最大频率）。

发表于 2025-6-12 17:21

根据外部存储器的规格书，正确配置FSMC的时序参数，包括地址建立时间（ADDSET）、数据建立时间（DATAST）、地址保持时间（ADDHLD）等。

发表于 2025-6-12 17:57

根据存储器的访问速度，适当添加等待状态（WAIT信号），确保数据稳定。

发表于 2025-6-12 18:28

FSMC 访问速度过快

发表于 2025-6-12 19:05

了解FSMC和DMA的详细工作原理和配置方法。

发表于 2025-6-12 19:42

时序不匹配（如建立时间过短）、地址冲突、电源噪声、控制信号未正确拉高/拉低。