【银杏科技ARM+FPGA双核心应用】GD32F4系列三十二——FSMC实验

只看该作者 · 2025-6-12 20:02

正确分配存储区域，确保不同设备互不干扰。

只看该作者 · 2025-6-12 20:32

时序参数满足外部存储器的最小要求，以避免数据传输错误。

只看该作者 · 2025-6-12 21:10

如果外部存储器支持突发访问，配置FSMC以启用突发模式，提高数据传输效率。

2万 · 2025-6-12 21:52

在访问外部存储器时，添加超时处理机制，避免因存储器未响应而导致系统卡死。

只看该作者 · 2025-6-12 22:21

FSMC配置中的数据宽度、地址映射及BANK选择

1万 · 2025-6-12 22:44

不同Bank的片选信号（NE0~NE3）需分配给不同的外部存储器，避免地址重叠。

只看该作者 · 2025-6-16 11:35

GD32F4的FSMC通常工作在3.3V电平，确保外部存储器的电平与之兼容。

只看该作者 · 2025-6-16 12:14

FSMC的地址线（A0-A25）、数据线（D0-D15或D0-D31）、控制线（如NE、NOE、NWE等）与外部存储器（如SRAM、NOR Flash等）正确连接。

只看该作者 · 2025-6-16 12:52

FSMC总线上的多个设备不会同时访问，避免总线冲突。

只看该作者 · 2025-6-16 13:21

控制信号（NWE、NOE、NE）的走线长度尽量短（<100mm），减少信号延迟；多根控制信号需平行布线，避免交叉干扰。

只看该作者 · 2025-6-16 13:54

GD32F4的FSMC引脚（如地址线、数据线、控制信号）多为复用功能引脚

只看该作者 · 2025-6-16 14:25

若写时序与读时序不同，需单独配置

2万 · 2025-6-16 15:04

GD32F4的FSMC将外部存储器映射到特定的地址空间

只看该作者 · 2025-6-16 15:43

根据存储器类型选择同步或异步模式。例如，SRAM通常使用异步模式，而某些NOR Flash可能支持同步模式。

1万 · 2025-6-16 16:09

NAND Flash的时序更复杂，需配置命令/地址周期和数据读取周期

只看该作者 · 2025-6-16 16:30

在PCB布局时，注意信号线的布线，避免过长的走线和不必要的拐角，减少信号反射和干扰。

只看该作者 · 2025-6-16 16:56

GD32F4支持4个FSMC Bank（Bank1~Bank4），每个Bank可独立配置：

Bank1：支持16MB~1GB（25位地址线），适用于大容量存储（如NOR Flash）。
Bank2~Bank4：支持4MB~256MB（22位地址线），适用于小容量SRAM。

只看该作者 · 2025-6-16 17:25

阻抗匹配：数据线需匹配外部存储器的输入阻抗

只看该作者 · 2025-6-16 17:46

硬件连接的准确性（数据线、控制信号、片选）

2万 · 2025-6-16 18:06

对应外部存储器的地址总线，需根据存储容量规划地址范围