【银杏科技ARM+FPGA双核心应用】GD32F4系列三十二——FSMC实验

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geraldbetty 发表于 2025-6-12 20:02 | 显示全部楼层
正确分配存储区域,确保不同设备互不干扰。
pentruman 发表于 2025-6-12 20:32 | 显示全部楼层
时序参数满足外部存储器的最小要求,以避免数据传输错误。
mickit 发表于 2025-6-12 21:10 | 显示全部楼层
如果外部存储器支持突发访问,配置FSMC以启用突发模式,提高数据传输效率。
pmp 发表于 2025-6-12 21:52 | 显示全部楼层
在访问外部存储器时,添加超时处理机制,避免因存储器未响应而导致系统卡死。
maudlu 发表于 2025-6-12 22:21 | 显示全部楼层
FSMC配置中的数据宽度、地址映射及BANK选择
jimmhu 发表于 2025-6-12 22:44 | 显示全部楼层
不同Bank的片选信号(NE0~NE3)需分配给不同的外部存储器,避免地址重叠。
macpherson 发表于 2025-6-16 11:35 | 显示全部楼层
GD32F4的FSMC通常工作在3.3V电平,确保外部存储器的电平与之兼容。
qiufengsd 发表于 2025-6-16 12:14 | 显示全部楼层
FSMC的地址线(A0-A25)、数据线(D0-D15或D0-D31)、控制线(如NE、NOE、NWE等)与外部存储器(如SRAM、NOR Flash等)正确连接。
backlugin 发表于 2025-6-16 12:52 | 显示全部楼层
FSMC总线上的多个设备不会同时访问,避免总线冲突。
maqianqu 发表于 2025-6-16 13:21 | 显示全部楼层
控制信号(NWE、NOE、NE)的走线长度尽量短(<100mm),减少信号延迟;多根控制信号需平行布线,避免交叉干扰。
saservice 发表于 2025-6-16 13:54 | 显示全部楼层
GD32F4的FSMC引脚(如地址线、数据线、控制信号)多为复用功能引脚
vivilyly 发表于 2025-6-16 14:25 | 显示全部楼层
若写时序与读时序不同,需单独配置
pmp 发表于 2025-6-16 15:04 | 显示全部楼层
GD32F4的FSMC将外部存储器映射到特定的地址空间
kmzuaz 发表于 2025-6-16 15:43 | 显示全部楼层
根据存储器类型选择同步或异步模式。例如,SRAM通常使用异步模式,而某些NOR Flash可能支持同步模式。
jkl21 发表于 2025-6-16 16:09 | 显示全部楼层
NAND Flash的时序更复杂,需配置​​命令/地址周期​​和​​数据读取周期
beacherblack 发表于 2025-6-16 16:30 | 显示全部楼层
在PCB布局时,注意信号线的布线,避免过长的走线和不必要的拐角,减少信号反射和干扰。
averyleigh 发表于 2025-6-16 16:56 | 显示全部楼层
GD32F4支持4个FSMC Bank(Bank1~Bank4),每个Bank可独立配置:

​​Bank1​​:支持16MB~1GB(25位地址线),适用于大容量存储(如NOR Flash)。
​​Bank2~Bank4​​:支持4MB~256MB(22位地址线),适用于小容量SRAM。
mollylawrence 发表于 2025-6-16 17:25 | 显示全部楼层
阻抗匹配:数据线需匹配外部存储器的输入阻抗
jtracy3 发表于 2025-6-16 17:46 | 显示全部楼层
硬件连接的准确性(数据线、控制信号、片选)
pmp 发表于 2025-6-16 18:06 | 显示全部楼层
对应外部存储器的地址总线,需根据存储容量规划地址范围
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