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在看MOS管规格书中，对这种栅极驱动电压波形和输出电流波形变化的示意图。有些会不能理解，为什么栅极电压达到了MOS管的开启阈值电压Vgs_th, 漏源级的沟道电流ID已经出现，但是漏源级的电压VDS依然是保持不变，直到栅极电压到了米勒平台电压VDS，才开始变得下降。要认识这个过程，就得从这张波形图实际的测试场景出发，理解这张图是在什么样的电路图中测试得到的。 这种测试波形是基于电感钳位模型得到的，网上找到资料对下图模型进行分析：MOS管D极负载是电感加续流二极管，工作模式和DC-DC BUCK一样，当MOS管导通时，VDD对电感L进行充电，因为MOS管导通时间极短，可以近似电感为一个恒流源，在MOS管关闭时，续流二极管给电感L提供一个泄放路径，形成续流。 这种解释起来比较抽象，看完之后还是没有很直观的理解，所以直接用Buck电路的仿真数据说明更加直接： 此时BUCK电路的上管Q1的VGS电压，VDS电压，开关节点SW电压，漏源电路Id 这个仿真结果和MOS管给出的波形基本是一致是，在时间周期T2内，上管Q1栅极电压达到阈值电压Vgs-th之前，漏源级的沟道电流Id-Q1慢慢增加,但是其漏源级Vds是没有变化，由于电感L1是恒流源，在T2周期，IL1=Id-Q1+IR7, 此时下管Q2通过其体二极管在续流。 那么上管Q1的Vds没有变化的原因：是由于体二极管的钳位作用，VSW的电压一直是-0.7V，保持不变，所以上管Q1的Vds电压也不会发生变化。 但随着上管Q1漏源级的沟道电流Id-Q1的增加，那么下管Q2的体二极管续流电流必然减小，当Q1的栅极电压到达米勒平台电压，Q1漏源级的沟道电流Id-Q1的电流达到最大，也就等于电感电流IL，也就是仿真图的X点，此时下管Q2的体二极管不能续流，体二极管关闭，也就不能将SW的电压钳位，所以Q1的Vds电压开始下降了。 信心的工程师朋友发现，Q1漏源级的沟道电流Id-Q1等于电感电流IL后，并没有保持不变，还是继续上升，和规格书中给出的图形不一样。这个就是理想MOS管和实际MOS管的区别了，下管Q2的体二极管关闭的过程，不是马上关闭。二极管从导通到关闭，有一个反向恢复的时间，二极管的结电容在关闭的时候会产生巨大的反向恢复电流。 通过一个简单的二极管关闭仿真电路，就可以看到，二极管关闭的时候，会产生反向恢复电流。主要是二极管的PN结造成的，在二极管导通的时候，空间电荷区的N级有空穴，P级有电子，当二极管关闭的时候，电压反向，N级的空穴就会快速跑回P级，就形成大的反向恢复电流。 接着讨论MOS管的开通过程，当米勒平台时间结束后，Q1的Vds电压也快降低到GND电平，也就完成一个周期的开启。如果忽略二极管的反向恢复电流，基于Buck电路仿真的波形和MOS管的规格书给出的波形是一致的。 对于一般的MOS管开关电路，就不是其规格书给出的波形，在栅极电压达到阈值电压后，沟道开启，漏源级的沟道电流Id-Q1电流产生的时候，其漏源电压Vds电压就会下降，感兴趣的朋友可以仿真看一下。
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楼主
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楼主有关于钳位二极管和自举电容原理的资料吗？