#技术资源# #申请原创#
前言
本文测试了AC7802X的EFLASH功能，实现了向DFLASH的page0，1，2，3写入数据和读取数据，并且擦除page0的数据。
1 EFLASH介绍
查看官方提供的用户手册《ATC_AC7802x_ReferenceManual_CH.pdf》19 片内Flash（Embedded Flash）。
下图为EFLASH的介绍，说明了EFLASH包含了两部分：
- PFLASH：用来保存用户程序
- DFLASH：用来保存不需要经常更新的标定数据
PFLASH一般只用来保存用户程序，因为一般情况下，擦除次数小于DFLASH，所以不要对PFLASH进行频繁擦写操作，也为了防止对PFLASH的操作损坏用户代码，所以一般数据的写入都放在DFLASH中，而DFLASH一般也只用来保存不会频繁擦写的数据，因为其寿命远小于EEPROM。
从下面的介绍还可以知道DFLASH一页为8Bytes，大小为2KBytes，一个块为16Bytes。
2 DFLASH地址划分
因为本文主要测试对DFLASH的擦写，所以需要先了解DFLASH的地址划分，如下：
- 起始地址: 0x08020000，即page0
- page1：0x08020008
- page2：0x08020010
- page3：0x08020018
3 代码实现
知道了DFLASH的地址划分以及原理之后，我们可以开始实现代码编写，如下：
- eflash_DataInit(): 初始化要写入到DFLASH的数据
- eflash_DFlashAllErase(): 擦除整个DFLASH区域的功能，如果是第一次使用，可以调用该函数擦除整个DFLASH区域
- eflash_DFlashPageErase(): 擦除指定页，即8Bytes区域
- eflash_DFlashPageWrite(): 向指定page地址写入数据，最小写入单位为4Bytes。
- eflash_DemoRuning(): 测试演示，在主函数while(1)之前调用，用于验证DFLASH擦写是否成功。该函数主要实现向DFLASH的page0和page2写入16Bytes的数据，然后在擦除page0的数据。
下面说一下注意事项：
- g_WriteBuff为要写入的数组变量，这个变量不能直接赋初值，直接赋初值会导致写入不成功，我也不清楚为什么
- 需要先调用eflash_DataInit初始化要写入的数据（原因见上一条）
- 不能使用函数EFLASH_PageEraseVerify来验证DFLASH是否擦除成功，因为该函数只支持PFLASH，不支持DFLASH。
/*
@hehung
2023-6-15
email: 1398660197@qq.com
wechat: hehung95
reproduced and please indicate the source @hehung
*/
#include "ac780x_eflash.h"
#include "stdbool.h"
#include "app_eflash.h"
#include <stdio.h>
#define WRITE_LENGTH 16U /*! 写入数据长度，最小写入长度为4字节， 所以WRITE_LENGTH 需要大于等于4 */
#define DFLASH_PAGE0_ADRESS 0x08020000U /*! Dflash Page0 0x0802_0000 ~ 0x0802_000F size 16B - 2pages */
#define DFLASH_PAGE2_ADRESS 0x08020010U /*! Dflash Page0 0x0802_0010 ~ 0x0802_001F size 16B - 2pages*/
#define DFLASH_PAGE255_ADRESS 0x080207F8U /*! Dflash Page0 0x0802_07F8 ~ 0x0802_07FF size 8B */
uint8_t g_WriteBuff[WRITE_LENGTH] = {0}; /*! 写入数据BUFF */
uint8_t g_ReadBuff[WRITE_LENGTH] = {0}; /*! 读取数据BUFF */
static void eflash_DataInit(void)
{
uint16_t i = 0;
for (i = 0; i < WRITE_LENGTH; i++)
{
g_WriteBuff[i] = i;
}
}
static void eflash_DFlashAllErase(void)
{
EFLASH_UnlockCtrl(); /*！ Flash 写入/擦除前需要先解锁 */
EFLASH_DFMassErase(); /*! D-flash 全片擦除，因为Code 存放在P-flash中， 不建议对P-flash进行全片擦除 */
if (EFLASH_STATUS_SUCCESS != EFLASH_DFMassEraseVerify()) /*！ 验证相应位置是否擦除成功 */
{
printf("[LINE %d] ERROR :Erase Dflash failue.\r\n", __LINE__); /*！ 若擦除失败，则打印相应错误警告 */
}
EFLASH_LockCtrl(); /*！ 完成flash操作后重新上锁， 上锁与解锁要配套使用 */
}
static void eflash_DFlashPageErase(uint32_t page)
{
EFLASH_UnlockCtrl(); /*！ Flash 写入/擦除前需要先解锁 */
EFLASH_PageErase(page); /*！ 擦除D-flash page0 */
// if (EFLASH_STATUS_SUCCESS != EFLASH_PageEraseVerify(page, WRITE_LENGTH / 4U)) /*！ 验证相应位置是否擦除成功 */
// {
// printf("[LINE %d] ERROR :Erase [0x%08X] failue.\r\n", __LINE__, page); /*！ 若擦除失败，则打印相应错误警告 */
// }
EFLASH_LockCtrl(); /*！ 完成flash操作后重新上锁， 上锁与解锁要配套使用 */
}
static void eflash_DFlashPageWrite(uint32_t page)
{
uint16_t i = 0;
EFLASH_UnlockCtrl(); /*！ Flash 写入/擦除前需要先解锁 */
EFLASH_PageProgram(page, (uint32_t*)g_WriteBuff, WRITE_LENGTH / 4); /*! 将数据写入D-Flash, 最小写入单位为4字节 */
printf("\r\nWrite g_WriteBuff[WRITE_LENGTH] to D-Flash ...\r\n");
EFLASH_Read(page, (uint32_t*)g_ReadBuff, WRITE_LENGTH / 4); /*！ 读取D-Flash数据 */
printf("Read D-Flash [0x%X] : ", page); /*! 打印相关信息 */
for (i = 0; i < WRITE_LENGTH; i++)
{
printf("%02X ", g_ReadBuff[i]);
}
printf("\r\n");
EFLASH_LockCtrl(); /*！ 完成flash操作后重新上锁， 上锁与解锁要配套使用 */
}
void eflash_DemoRuning(void)
{
eflash_DataInit();
// 等待输入要写入到DFLASH的数据
// 擦除全部DFLASH
eflash_DFlashAllErase();
printf ("Erase DFlash finished\r\n");
//写入数据到DFLASH的page0和page1
eflash_DFlashPageWrite(DFLASH_PAGE0_ADRESS);
printf ("Write page0 of DFlash finished\r\n");
eflash_DFlashPageWrite(DFLASH_PAGE2_ADRESS);
printf ("Write page2 of DFlash finished\r\n");
// 擦除page0，保留page1
eflash_DFlashPageErase(DFLASH_PAGE0_ADRESS);
printf ("Erase page0 of DFlash finished\r\n");
}
4 试验结果
试验结果如下：
1. 进入Debug界面
2. 在两个page写入结束处打上断点，用于观察数据是否写入成功，见下图，可以数据写入成功。
3. 在函数结尾处打一个断点，观察page0是否擦除成功，见下图，page0被擦除，只剩下page1~page3的数据。
4. 下面是串口打印的结果
|
楼主
标题置顶
标题高亮
