电容退耦原理
大电容的电容通常具有较大的等效电感，因而其自谐振频率较小，所以比较适合用于滤除低频干扰噪声；小电容的电容通常等效电感也较小，因此自谐振频率较大，所以适合用于滤除高频干扰噪声。推导过程如下：
电容可以等效成一个电容，一个电感，一个电阻的串联：
实际阻抗为：
谐振频率为：
当频率大于f0时，实际电容呈现出容性阻抗，当频率小于f0时，实际电容呈现出感性阻抗。
采用电容退耦是解决噪声问题的主要方法。这种方法对提高瞬态电流的响应速度，降低电源分配系统的阻抗都非常有效。 对于电容退耦，很多资料中都有涉及，但是阐述的角度不同。有些是从局部电荷存储（即 储能）的角度来说明，有些是从电源分配系统的阻抗的角度来说明。其实，这两种提法，本质上是相同的，只不过看待问题的视角不同而已。 去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，另一方面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是5μH。0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，也就是说，对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz以上的噪声几乎不起作用。1μF、10μF的电容，并行共振频率在20MHz以上，去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容，或1个蓄能电容，可选10μF左右。最好不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μF。
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