凌鸥驱动电路设计说明

发表于 2023-11-17 12:59

1、三相驱动原理图：

1.1 峰值电流驱动的需求
针对MOSFET 驱动器的讨论主要是考虑内部和外部因素而导致MOSFET 驱动器

产生功耗。所以需要计算出MOSFET 驱动器的功率损耗，进而利用计算值为驱动器选
择正确的封装和计算结温。
在实际应用中，MOSFET 驱动器与MOSFET 的参数匹配，主要是按应用的需要去
控制功率MOSFET 导通和截止的速度快慢（栅极电压的上升和下降时间）。应用中优
化的上升/ 下降时间取决于很多因素，如EMI（传导和辐射），开关损耗，引脚/ 电
路的感抗，以及开关频率等。
MOSFET 导通和截止的速度与MOSFET 栅极电容的充电和放电速度有关。
MOSFET 栅极电容、导通和截止时间与MOSFET 驱动器的驱动电流的关系可以表示
为：
dT = (dV * C)/I
其中：
dT = 导通/ 截止时间
dV = 栅极电压
C = 栅极电容（从栅极电荷值）
I = 峰值驱动电流（对于给定电压值）
栅极电荷和电容及电压的关系为:
Q = C* V
上面的公式可重写为：
dT= Q/I
其中：
Q = 总栅极电荷
上述公式假设电流（I）使用的是恒流源。如果使用MOSFET 驱动器的峰值驱动
电流来计算，将会产生一些误差。MOSFET 驱动器的驱动能力通常由峰值电流驱动能
力来表示。

发表于 2023-11-17 13:00

2、相线电流采样电路

PCB 布板中采样布线为差分走线，且采样电阻尽量靠近处理器；
需要注意各差分线的PGND 必须独立处理，不能跟其他的PGND 电路合用同一根
走线，GND 走线也不可以跟周围的GND 电路混起来，必须独立处理，连接到采样电阻
段；
增益电阻的选择不能太小，以免出现放大倍数比较大超出ADC采样量程的的情况，
例如：
因ADC 最大采样电压为3.6V, 相线电流采样是通过功率管内阻采样，假如选定型
号的功率管内阻是5 毫欧，放大倍数为10 倍则，功率管通过电流为80A 则压降为：
U = 80 * 0.005 * 10 = 4V,这样的话就超出了ADC 采样量程。
设计原则：
相线最大电流* MOS 内阻*放大倍数< ADC 最大量程
功率回路电源电压/外部增益电阻*3 < 25mA
要注意的是：在采用单电阻采样方式的时候，需要把母线采样的电容去掉（即图
中C7），不然会影响采样结果;还有一个要去掉的是电解电容CE2，即电源正极与PGND
连接的一个电解电容，影响采样；

发表于 2023-11-17 13:02

3、相线电压采样电路

母线电压采样通过电阻分压形式采集母线电压；
程序中需要母线电压做过压欠压保护机制。
（注意：新版底板PCB 原理图中是没有R40 电阻，在MCU 小板上。）

发表于 2023-11-22 08:21

这个不带电流采样哇

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