1、三相驱动原理图：
1.1 峰值电流驱动的需求
针对MOSFET 驱动器的讨论主要是考虑内部和外部因素而导致MOSFET 驱动器
产生功耗。所以需要计算出MOSFET 驱动器的功率损耗，进而利用计算值为驱动器选
择正确的封装和计算结温。
在实际应用中，MOSFET 驱动器与MOSFET 的参数匹配，主要是按应用的需要去
控制功率MOSFET 导通和截止的速度快慢（栅极电压的上升和下降时间）。应用中优
化的上升/ 下降时间取决于很多因素，如EMI（传导和辐射），开关损耗，引脚/ 电
路的感抗，以及开关频率等。
MOSFET 导通和截止的速度与MOSFET 栅极电容的充电和放电速度有关。
MOSFET 栅极电容、导通和截止时间与MOSFET 驱动器的驱动电流的关系可以表示
为：
dT = (dV * C)/I
其中：
dT = 导通/ 截止时间
dV = 栅极电压
C = 栅极电容（从栅极电荷值）
I = 峰值驱动电流（对于给定电压值）
栅极电荷和电容及电压的关系为:
Q = C* V
上面的公式可重写为：
dT= Q/I
其中：
Q = 总栅极电荷
上述公式假设电流（I）使用的是恒流源。如果使用MOSFET 驱动器的峰值驱动
电流来计算，将会产生一些误差。MOSFET 驱动器的驱动能力通常由峰值电流驱动能
力来表示。
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