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“RWW”功能，指的是“Read-While-Write”（读写同时进行）功能。
0、测试现象
同事使用F103xE芯片调试，程序中进行flash擦或写动作。在等待busy过程中，获取的flash_SR有时出错（SR值变成栈地址），以至于在flash_SR状态判断时出错，误判为写保护错误，实际上FLASH_SR状态应是正常。
1、FLASH结构与RWW
在讲具体原因之前，我觉得有必要说明下FLASH结构：单Bank Flash和多Bank Flash。
对于单Bank Flash，由于只有一块Flash，一套接口，CPU去访问Flash时（读/写/擦），只有前一项操作完成后，新的访问才会被Flash控制器接受，即：擦写Flash过程中，如果CPU发起读Flash（无论读指令还是数据）的操作，则这个读Flash操作会自动等到擦写完成后才被Flash控制器接受。因此在擦写过程中CPU是无法从Flash取出指令和数据的，会一直处于等待状态。例如下图这段程序，当CR_STRT_Set后，Flash Erase开始，此时后面的FLASH_WaitForLastBank1Operation函数会等到Flash Erase完成之后才被执行。
对于多Bank Flash，由于每块Flash具有独立的接口，因此CPU可以并行对不同Bank的Flash进行操作，也就是说在擦写Bank2过程中，CPU可以从Bank1取指令和取数据，即RWW（Read While Write）。同样对于上面这段程序：
1）如果这段程序在Bank1里运行，Erase的区域也在Bank1里，此时情况和单Bank Flash一样，FLASH_WaitForLastBank1Operation函数会等到Flash Erase完成之后才被执行；
2）如果这段程序在Bank1里运行，Erase的区域在Bank2里，FLASH_WaitForLastBank1Operation函数在Flash Erase的过程中就会被执行。
2、原因分析
F103xE FLASH有512K字节，分4个Bank，支持RWW功能，这个代表什么？
1）如果程序在bank1执行（0~128K），擦写其它bank时，bank1里面的程序会一直执行，不会被阻塞住；
2）当擦写128K之后的地址时，由于code是在bank1里面的，所以CPU一直在轮询FLASH->SR的状态，导致出错。
3、规避方法
想了2个办法进行规避风险，验证都可行。
1）FLASH_SR读出错时，值为栈顶地址（例如0x20000410），与原来的正常值（0x00000000）相差较大，故根据这个特性，可在FLASH读状态时加入是否是地址值的判断作为临时解决方案。等到FLASH_SR正常时再继续运行。
添加代码：while( (FLASH->SR >>29) ==1);
2）在判断FLASH_SR之前先等待BUSY标志位为0
添加代码：while( (FLASH->SR & FLASH_FLAG_BANK1_BSY) ==FLASH_FLASH_BSY);
4、后话
上面我们讨论的其实是同事遇到的第一种情况：程序顺序执行。如果在中断的情况下又会如何呢？
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