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FLASH篇_应用层失效分析方法

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楼主: 一个人破
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21楼
i1mcu| | 2025-2-5 19:12 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览
在FLASH写入操作后，可以通过读取数据并进行校验来确保数据的完整性。常用的方法包括CRC校验和数据大小校验。

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22楼
kkzz| | 2025-2-5 19:42 | 只看该作者
在操作FLASH时要谨慎，避免误操作导致数据丢失或损坏。

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23楼
hudi008| | 2025-2-5 21:04 | 只看该作者
使用稳定的电源、防静电措施和合适的温度控制等，保护FLASH芯片免受外界干扰和损坏。

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24楼
burgessmaggie| | 2025-2-6 11:47 | 只看该作者
在进行FLASH擦除时出现异常错误，可能表现为页擦失效或片擦失效

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25楼
usysm| | 2025-2-6 12:10 | 只看该作者
电源电压的不稳定可能导致FLASH在写入或擦除操作时出现错误。可以通过监控电源电压来检测是否有电压波动。

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26楼
earlmax| | 2025-2-6 12:56 | 只看该作者
检查 FLASH 芯片引脚的焊接情况，是否存在虚焊、短路等问题。可以使用放大镜或显微镜观察引脚焊接点，也可以使用万用表测量引脚之间的电阻，判断是否存在短路现象。

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27楼
lzbf| | 2025-2-6 15:53 | 只看该作者
在Flash中添加CRC校验值，启动时或运行时进行校验，以检测Flash数据是否被意外修改。

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28楼
mollylawrence| | 2025-2-6 17:38 | 只看该作者
不良的硬件连接可能导致Flash操作失败

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29楼
chenjun89| | 2025-2-6 17:51 | 只看该作者
flash的擦写寿命有限，需要做负载均衡。

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30楼
averyleigh| | 2025-2-6 18:57 | 只看该作者
在进行FLASH擦除时出现异常错误。该类失效较为容易分析，一般可分为页擦失效和片擦失效，使用不同擦除方式即可确认。

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