GD32F303RG低温通信异常问题

发表于 2026-6-12 13:05

相同BOM，相同PCBA，采购BOM不同批次。

前面4年，一直正常从没有过问题，串口1 ，RX 配置浮空输入，外部1K上拉到3.3V ，再接RS485电路。
都可以过-30~80°C的高低温循环。陆续用了10多万片，从没出过问题。

这次新批次 1000台，每10台就有2台过不过-30°C。 -25°C左右就通信异常了。
排除了 RS485电路，排除了外部晶振问题。有问题低温不过的，CPU全部换以前批次的都正常。

接着适配RX 配置 IPU模式，外部1K上拉到3.3V不变。所有异常的全正常了。-45°C-80°C 长时间循环都没问题
这是为什么？

发表于 2026-6-12 15:58

RX配置IPU模式后，提高了抗干扰能力，低温下通信稳定。之前批次可能未暴露此问题。

发表于 2026-6-12 16:16

本帖最后由 dffzh 于 2026-6-12 16:24 编辑

这种问题简直是要让人爆炸的感觉，要么是芯片设计工艺的改变暴露了之前没有出现的问题，但是串口的RX配置为输入上拉模式肯定是要比浮空输入模式的抗干扰性能好的，虽然外部电路接了强上拉，但还是建议配置为IPU模式；特别是看你们的高低温测试，低温要达到-30度，我们一般是测试-20度，
所以作为经验吧，以后对引脚的配置还是要多斟酌一下。

发表于 2026-6-12 17:13

新批次的GD32内部上拉电阻在高低温下的特性变了。

发表于 2026-6-12 17:45

浮空输入全靠外部1K电阻上拉，低温下引脚漏电流增大拉不上去。

发表于 2026-6-12 18:18

改成内部上拉后两个电阻并联等效阻值变小，抗干扰能力更强。

发表于 2026-6-12 18:49

芯片工艺在改版时可能调整了IO口的施密特触发阈值。

发表于 2026-6-12 19:20

低温下晶体管阈值电压漂移，浮空状态更容易误判电平。

发表于 2026-6-12 19:55

外部1K电阻已经不小了，内部上拉大概40K，并联后驱动力更强。

发表于 2026-6-12 20:26

RS485转接收状态时总线处于高阻，这时IO最容易受干扰。

发表于 2026-6-12 20:58

以前批次能过说明老芯片的内部结构不一样。

发表于 2026-6-12 21:30

官方手册写浮空输入可用，但没说跨温度范围都稳。

发表于 2026-6-12 22:48

你这属于芯片批次间的隐性参数漂移，以后直接设计成双上拉。

发表于 2026-6-12 20:19

jcky001 发表于 2026-6-12 19:55
外部1K电阻已经不小了，内部上拉大概40K，并联后驱动力更强。

是的 1k并40k 也只是0.975k，并没小很多。

发表于 2026-6-12 20:20

classroom 发表于 2026-6-12 17:45
浮空输入全靠外部1K电阻上拉，低温下引脚漏电流增大拉不上去。

改成外部4.7k / 10k 也没用，需要内部IPU才能过-30°C 极限测到-49.99 2小时也没问题

发表于 2026-6-12 21:27

这个问题很典型，本质是不同批次MCU的IO输入迟滞/施密特触发阈值有细微偏差。浮空输入时，低温下IO的漏电流、上拉电阻的分压和外部RS485的弱驱动叠加，刚好让信号电平落在不确定区间；换成IPU上拉后，输入电平被强制拉到高电平附近，避开了阈值的临界区，低温下就稳定了。

发表于 2026-6-12 23:14

我之前也碰到过类似的！同电路不同批次MCU低温串口不稳，最后也是把浮空改成内部上拉就好了，应该是新批次IO的输入特性在低温下飘了，浮空状态抗干扰能力太差。

发表于 2026-6-13 09:28

有没有可能是新批次的IO输入漏电流变大了？低温下外部1k上拉的驱动能力不够，浮空输入时高电平被拉低到阈值以下，换成内部上拉后驱动能力够了就正常了？

发表于 2026-6-13 12:29

补充个细节：浮空输入时，RS485空闲状态的总线电平其实是靠外部上拉维持的，但低温下MCU的IO输入阻抗下降，相当于给总线加了个额外的下拉，刚好把电平拉到了不确定区，内部上拉刚好抵消了这个影响。

发表于 2026-6-12 21:29

会不会是新批次的施密特触发阈值在低温下往高飘了？外部1k上拉在浮空输入时的高电平达不到新的Vih，换成内部上拉后电平够了就识别正常了？

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