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如何提高三极管的开关速度?

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楼主: cuianbin
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跟模拟电路一样,共基极的速度是最高的,不需暴力驱动,也不需加速电容。

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hk6108| | 2021-7-22 23:08 | 只看该作者
hjs1618 发表于 2012-11-2 09:33
三极管定好后,得让三极管工作在放大与饱和的交界点,才能确保工作在最高速 ...

贝克箝位,有些开关管已预装,
快是快了些,不过效率牺牲了不少啊。

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hk6108 2021-7-22 23:16 回复TA
达宁顿的效率更差些。 
63
hk6108| | 2021-7-25 21:20 | 只看该作者
mikeliran 发表于 2016-7-14 00:19
坐看一知半解的人在这搅混水,三极管的特征频率怎么会跟开关频率扯上了关系,开关频率的重点是从截至状态转 ...

跟高放管不同,开关管是没有  特征频率  一说,
不过,跟特征频率关联的参数是 hFe ,即是〖ΔIc/ΔIb〗。

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64
hk6108| | 2021-7-25 21:41 | 只看该作者
fα>fT>fβ ,
在 fα ,BJT仍未受 tr和tf 的制约。

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hk6108 2021-7-25 21:55 回复TA
射频放大的相移,是由管子的寄生参数造成的,载流子的 存贮效应 还未抬头。 
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hk6108| | 2021-7-27 17:46 | 只看该作者
三极管,
有真空管的,有半导体的,
也用来作为 BJT 的别称。

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hk6108| | 2021-7-27 17:52 | 只看该作者
场效应管有
jFET 与 MOSFET 两大种,还有 iGBT ,
这三者的鼓劲给力的方式不完全一样吧 ?!

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hk6108| | 2021-7-27 22:11 | 只看该作者
hbicecream1 发表于 2012-11-2 15:48
三极管的速度赶不上基于Cmos的高速门电路吧,明显有问题,
FPGA的IO速度都上百兆,上升时间是几个nS,不应该 ...

那就要选用
tr和tf 都是那么小(甚至更小)的开关管来当这「功放」才行了,
尽力而为也得「体质」允许嘛,「体质」不争气,咋整都是浮云。

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2334566436| | 2021-7-27 22:26 | 只看该作者
基极加一个小电容

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hk6108| | 2021-7-27 23:30 | 只看该作者
本帖最后由 hk6108 于 2021-7-27 23:32 编辑
cuianbin 发表于 2012-11-4 11:14
100M的开关频率 于开关速度是另一回事的。输出的频率是能满足的,但是脉宽不一致 37# 千鸟逐风  ...

频率跟速度有何区别 ?! 存贮时间,结电容,放大倍数,
三者 有否关联,若有,如何关联 ?!

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jimsboy| | 2021-7-28 09:43 | 只看该作者
三极管不应该让它进深度饱和区。比如你要输出0~3V的信号。要让0~3V输出都在放大区域。这时估计要改变供电电压了

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airwill| | 2021-7-28 21:41 | 只看该作者
关断不够快,  通常饱和度过高, 会造成这个问题,  由于达林顿管内部的问题,  我建议你自己搭驱动电路,  避免深度饱和和截止.

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hk6108| | 2021-7-28 23:18 | 只看该作者
开关速度受存贮效应的制约,甲类放大则受限于压摆率。

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hk6108 2021-7-29 00:56 回复TA
加速电容的劲儿哪来,还不是 羊毛出在羊身上 吗,所以,FPGA 的速度与底气,缺一不可! 
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hk6108| | 2021-7-29 23:58 | 只看该作者
hk6108 发表于 2021-7-25 21:20
跟高放管不同,开关管是没有  特征频率  一说,
不过,跟特征频率关联的参数是 hFe ,即是〖ΔIc/ΔIb〗 ...

高放管有的特征频率,开关管也有,
谐波频率高于特征频率就放大不了,即使撇除存贮效应,波沿也会变钝。

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hk6108 2021-8-2 23:26 回复TA
特征频率与米勒平台,是同一个 结电容 搞的鬼吧。 
74
hk6108| | 2021-8-2 23:09 | 只看该作者
寄生电容与存贮效应,虽皆源于 PN结 但两者扯不上关系, 不过,两者任何一项都会把开关速度拖慢。

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hk6108| | 2021-8-3 23:16 | 只看该作者
既要疯狂驱策,又不让管子进入饱和区,那就唯有「使绊子」了。

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76
hk6108| | 2021-8-5 22:22 | 只看该作者
Rb=0.8βRc ,集基耦合多谐振荡器设计的经验公式, 管子是饱和得妥妥的,
贝克箝位或肖特基二极管分流,是 抗饱和 措施,但是也该以饱和得妥妥的为前提吧 ?!

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77
hk6108| | 2021-8-14 18:04 | 只看该作者
三极管版的贝克箝位。

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