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这句话怎么理解?

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楼主: xiaotaodemeng
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Q=cu,就是针对这种这种电容随电压改变的情况,看看mos的datasheet,给的是Qgs而不是Cgs!!!

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xiaotaodemeng|  楼主 | 2012-11-6 08:37 | 只看该作者
本帖最后由 xiaotaodemeng 于 2012-11-6 10:20 编辑

33# mwrookie 搞明白了:
由Q=CU两边对t微分:
有I=C*dU/dt,
然后 你认为 I越大,达到相同电压变化的时间dt会越小(换句话说就是电容两边的电压的变化率会越大)。

我到不这样认为:大虾似乎把结果和原因颠倒了。
和大虾的分析恰恰相反:
众所周知,电容两边的电压变化率越高,流过电容的电流越大。

但是无论你我哪种分析,似乎还是默认电容为常数,不是吗?

而我们目前讨论的中心也是,电压升高时,电容会不会变
问题依然没解决

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xiaotaodemeng|  楼主 | 2012-11-6 12:45 | 只看该作者
会用multisim仿真,看结果

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mwrookie| | 2012-11-6 20:35 | 只看该作者
本帖最后由 mwrookie 于 2012-11-7 00:10 编辑

回家翻了下书
the art of electronics

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mjc4404| | 2012-11-6 21:23 | 只看该作者
高频等效模型是用来讨论交流小信号通路情况的. 在小信号的前提下, 别说结电容, 就连明显与发射结电流有关的跨导 gm 都被看作是常数了. 结电容和 gm 等受到偏置电压影响的参数通常仅需在选择静态工作点时加以考虑.

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xiaotaodemeng|  楼主 | 2012-11-7 09:50 | 只看该作者
44# mwrookie 牛 逼。你是学通了。
话说回来,我也翻了书,以前学高频等效模型时是有说Cπ‘是与bioas电压密切相关的。
看来还没融会贯通啊

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xiaotaodemeng|  楼主 | 2012-11-7 09:50 | 只看该作者
45# mjc4404 嗯嗯嗯,对滴!通了。

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GavinZ| | 2012-11-7 12:59 | 只看该作者
我彻底晕了。
第5条所说的不是OC晶体管的集电极电压吗?说那个电压越高,速度越快,现在怎么成了“输入电压越高,速度越快了”

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xiaotaodemeng|  楼主 | 2012-11-7 15:16 | 只看该作者
44# mwrookie 可能是吴利民翻译的偏差,有可能是原著没说清楚。我和GavinZ都有同感,这段话越说大家越晕,我觉得还没你之前自己写的话容易理解。

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xiaotaodemeng|  楼主 | 2012-11-7 15:19 | 只看该作者
48# GavinZ 有同感。早晨读
mwrookie 自己的留言我懂了。现在看他修改的截图,反而昏了。话说回来,我理解了一点:越小的输入“过驱动”,读起来绕口,意思是说,偏置电压越低,让比较器饱和所需的输入“过驱动”信号就越小,这样达到饱和时间用的越长。

不过看文中提到的9.14图,我又昏了。


反正刚觉得要清晰了,这段截图让大家又模糊了...

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GavinZ| | 2012-11-7 15:29 | 只看该作者
我看了几篇比较器的datasheet,里面讲了overdrive,直到看到了mwrookie的解释,我才知道overdrive的意思是“以使比较器进入饱和输出为参考”;但是我有个疑问,datasheet上提到了在更大的overdrive下,比较器有更小的输出delay,我理解的这个delay是指“传输延迟”,同时,我认为何为比较器之速度呢?我觉得是比较器有“更快的上升下降边沿”,但是更小的delay并不代表“更短的边沿时间”,所以不能证明overdrive下,能获得更快的速率。

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GavinZ| | 2012-11-7 15:34 | 只看该作者
但是,看到44楼的截图最后红线部分,我又觉得这是对的:增加overdrive水平,就促使比较器更快反转,因为比较器就是放大器(开环应用),overdrive大了,也就意味着在单位时间内,输入端接受到更高的输入电平,也就使得输出具有了更快的slew rate,这样速度就更快了。

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xiaotaodemeng|  楼主 | 2012-11-7 16:07 | 只看该作者
本帖最后由 xiaotaodemeng 于 2012-11-7 16:21 编辑

51# GavinZ 敢问大侠,此过驱动 overdrive你人为我理解的对么?越小的输入“过驱动”,读起来绕口,意思是说,偏置电压越低,让比较器饱和所需的输入“过驱动”信号就越小,这样达到饱和时间用的越长。
我不是很有信心诶!


二来,贴图9.14 我也不是很理解,你怎么看,通不通?

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xiaotaodemeng|  楼主 | 2012-11-7 16:10 | 只看该作者
52# GavinZ 此处我倒不理解44楼的原书。我倒是觉得“偏置电压越高,pn节电容越小,时间常数越小,反应越快的老理论”比较好理解,就是不知是否全面,与44楼等效么?坐等mwrookie大虾啊!

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GavinZ| | 2012-11-7 16:54 | 只看该作者
51# GavinZ 敢问大侠,此过驱动 overdrive你人为我理解的对么?“越小的输入“过驱动”,读起来绕口,意思是说,偏置电压越低,让比较器饱和所需的输入“过驱动”信号就越小,这样达到饱和时间用的越长。”
我不是 ...
xiaotaodemeng 发表于 2012-11-7 16:07
我跟你起点基本一样,我更是业余,大学也不是电子专业。我是昨天才看到比较器还有个overdrive这么一说。
我总觉得你提“偏置”这个概念不太对,因为模电书上讲的偏置是“静态的”,也就是一旦被偏置,是不会被AC信号改变,我是这么理解的。
比较器就是个放大器,静态工作点是已确定的,它工作时就是把很小的信号放大,直到输出饱和。
我觉得输入信号越大(前提是输入信号的slew rate为无穷大),输入电流也就越大,假设离散电容不变,那么进入饱和条件需要的时间就越小,那么表现为比较器“速度变快了”。
我这么说,就是想不考虑什么所谓的寄生电容随电压变化,那么复杂的因素,一样可以得出“越overdrive越快”的结论。
你贴的图很好啊,明显看到overdrive影响着输出slewrate,也解释了我上面帖子的疑问。

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xiaotaodemeng|  楼主 | 2012-11-7 17:08 | 只看该作者
业余碰上业余,呵呵,有意思。现在我明白了,我们讨论之所以 丈二和尚摸不着头脑,原因是 第5条“电源电压升高,工作电流增大,工作速度加快”此处 的电源电压 到底是原图中的ui,还是Vcc,还是Vcc’?
先把这个问题搞清楚。


很显然,mwrookieGavinZ的观点是 此处电源电压 指得是ui。对不对?

而相当多的朋友,包括我,还以为是Vcc,对不对?

先把这个搞清楚,问题会清晰点

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57
GavinZ| | 2012-11-7 17:14 | 只看该作者
业余碰上业余,呵呵,有意思。现在我明白了,我们讨论之所以 丈二和尚摸不着头脑,原因是 第5条“电源电压升高,工作电流增大,工作速度加快”此处 的电源电压 到底是原图中的ui,还是Vcc,还是Vcc’?
先把这个问题 ...
xiaotaodemeng 发表于 2012-11-7 17:08


我之前以为是VCC,认为这个VCC会提高速度,不可理解;现在跟你们一起转向ui了,现在确定ui越大,速度越快;

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58
xiaotaodemeng|  楼主 | 2012-11-7 17:18 | 只看该作者
本帖最后由 xiaotaodemeng 于 2012-11-7 17:20 编辑

57# GavinZ 趋于赞同。然你的那种解释我觉得输入信号越大(前提是输入信号的slew rate为无穷大),输入电流也就越大,假设离散电容不变,那么进入饱和条件需要的时间就越小,那么表现为比较器“速度变快了”。
倒是在仔细斟酌中
此处离散电容,当是包含许多pn结电容在内了。假设不变,是不是...
还在思索..

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GavinZ| | 2012-11-7 17:57 | 只看该作者
我刚才在http://118.26.57.18/1Q2W3E4R5T6Y ... tasheet/17201fc.pdf的14页看到了“更高的反向电压偏置可以降低节电容”;

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60
xiaotaodemeng|  楼主 | 2012-11-7 19:16 | 只看该作者
59# GavinZ 嗯。看到了。怎么统一起来呢

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