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楼主: fzy_666
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21楼
明月小厨| | 2012-12-30 17:00 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
楼主如果方便的话可以把你的设计要求说说清楚;电路部分就很容易了;

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22楼
dxshappy| | 2012-12-30 17:22 | 只看该作者
是啊，同意楼上

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23楼
7leaves| | 2012-12-30 18:14 | 只看该作者
这个可以用软件仿真吧

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24楼
ddv520| | 2012-12-30 19:11 | 只看该作者
就你的问题，CE之间只可以导通的，因为M7反向还是有漏电，最好D2放在GA和S8050之间。或者D2上并联一个电阻。R1适当增大到30K比较合适。

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25楼
mjc4404| | 2012-12-30 20:40 | 只看该作者
fzy_666 发表于 2012-12-30 10:32
为什么？有二极管隔离的，并没有并联

我看错了.不知那几个相互隔离的地之间的电压差是固定的还是完全浮动的.如果是完全浮动的话分析起来恐怕不容易.

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26楼
Light_David| | 2012-12-31 08:20 | 只看该作者
看了此图我混乱了。

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27楼
interyujie| | 2012-12-31 09:07 | 只看该作者
楼主可以测一下D1正极和GND之间的电压

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28楼
yulizcz| | 2012-12-31 09:19 | 只看该作者
MOS管放在正端还可以理解，放在负端理解不通。

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29楼
huoyu2779| | 2013-1-4 12:18 | 只看该作者
本帖最后由 huoyu2779 于 2013-1-4 12:21 编辑

Va到G大约5V-6V吧(4V+几个二极管的压降)上下,电路可用,但R2最好小一点,5K就够了.

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30楼
huoyu2779| | 2013-1-4 12:24 | 只看该作者
此电路可以看成二个负电源相连,把相连的点做为GND,左边的8V地当做-8V,右边的12V地当做-12V,这样分析起来就清晰了.

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fzy_666 + 3
31楼
fzy_666|  楼主 | 2013-1-6 11:12 | 只看该作者
还是用个光耦了，不省了，麻烦得要命

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32楼
fzy_666|  楼主 | 2013-1-6 11:12 | 只看该作者
谢谢各位

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33楼
lshp709612| | 2013-1-6 17:28 | 只看该作者
明月小厨 发表于 2012-12-30 16:45
说的是啊;很简单的问题搞这么复杂;

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