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IO模拟驱动能力

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楼主
醉心369|  楼主 | 2013-1-4 22:15 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
模拟, IO模拟, IO, 电路, 等效电路
出现下面IO口这样的情况，请问大虾门IO口的等效电路是什么

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沙发
ayb_ice| | 2013-1-5 08:01 | 只看该作者
这个取取决于具体的MCU，51永久接地都没有问题的

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板凳
ymind| | 2013-1-5 08:43 | 只看该作者
I/O pad驱动能力由工厂工艺和pad类型确定，有些芯片的某些pad的驱动能力还可软件编程指定。具体等效电路，要请教IC模拟/后端工程师。

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地板
zhang7676050| | 2013-1-5 09:10 | 只看该作者
不同的MCU不一样的，同一个mcu的IO口的内部电路也不一定一样

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5楼
airwill| | 2013-1-5 09:39 | 只看该作者
这书还说得挺详细的哪.
现在的单片机通常会有 纯输入, 准双向, 推挽输出, 开漏输出几种方式, 对外特性完全不同.
具体的单片机, 得仔细看看数据手册的 IO 口部分的说明.

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6楼
醉心369|  楼主 | 2013-1-5 14:35 | 只看该作者
ayb_ice 发表于 2013-1-5 08:01
这个取取决于具体的MCU，51永久接地都没有问题的

就说51吧，如果IO输出高电平，IO直接接地，该IO口电平不就是0嘛

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7楼
醉心369|  楼主 | 2013-1-5 14:41 | 只看该作者
airwill 发表于 2013-1-5 09:39
这书还说得挺详细的哪.
现在的单片机通常会有 纯输入, 准双向, 推挽输出, 开漏输出几种方式, 对外特性完全 ...

那意思是无论什么方式，表现出来的特性都如上面所述吧?那请教一下版主，开漏输出的等效电路

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8楼
airwill| | 2013-1-5 16:42 | 只看该作者
开漏输出,  输出低时就看作是内部一个对地电阻.
输出高时为浮空.

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9楼
醉心369|  楼主 | 2013-1-5 17:10 | 只看该作者
airwill 发表于 2013-1-5 16:42
开漏输出,  输出低时就看作是内部一个对地电阻.
输出高时为浮空.

多谢！
这句话我看到过，我自己查资料去吧

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10楼
醉心369|  楼主 | 2013-1-5 21:45 | 只看该作者
找到了开漏输出的电路了，首先这两个二极管的作用是什么，为什么Data为0时，Vgs=VDD？

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11楼
NE5532| | 2013-1-5 22:10 | 只看该作者
二极管是ESD保护二极管，不清楚的请Google这个关键词，端口里面的内容你可以不管，只从端口输出状态来看，就是最后一级就可以了。

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12楼
醉心369|  楼主 | 2013-1-6 12:28 | 只看该作者
NE5532 发表于 2013-1-5 22:10
二极管是ESD保护二极管，不清楚的请Google这个关键词，端口里面的内容你可以不管，只从端口输出状态来看， ...

如果只看最后一级输出口的话，让output输出为1，并且该口连接比较小的电阻，此时该IO口的电平就不会是高电平了，我就是想弄明白其中的原因。比如说让电源的引脚接一个比较小的电阻，该电源引脚的电平不会改变，但是单片机的电平会改变，我就是想请教出现这现象的原因

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13楼
NE5532| | 2013-1-6 13:46 | 只看该作者
那是肯定要改变嘛，端口可以看成带一个不小的内阻的电压源，外面接个电阻，你说电压下来不下来？

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14楼
ZG11211| | 2013-1-6 15:47 | 只看该作者
如果你的单片机IO口是推挽输出，估计楼主你得烧掉一个单片机才会罢休

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15楼
醉心369|  楼主 | 2013-1-8 21:59 | 只看该作者
NE5532 发表于 2013-1-6 13:46
那是肯定要改变嘛，端口可以看成带一个不小的内阻的电压源，外面接个电阻，你说电压下来不下来？ ...

这个IO输出口是不是可以等效为下图这个电路，Rr是一个阻值很大的内阻，如果这个接一个比较大的电阻，其OUTPUT的电平与高电平Vcc的电压相差也很远啊。
是不是当MOS管导通时，d与s是不是就短接了？

IO.PNG (16.21 KB )

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16楼
NE5532| | 2013-1-8 22:12 | 只看该作者
可以理解为这个电路模型，但是内阻并不是很大，MOS导通以后相当于一个电阻，而不是短接。

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17楼
醉心369|  楼主 | 2013-1-10 16:29 | 只看该作者
本帖最后由 醉心369 于 2013-1-10 18:07 编辑
NE5532 发表于 2013-1-5 22:10
二极管是ESD保护二极管，不清楚的请Google这个关键词，端口里面的内容你可以不管，只从端口输出状态来看， ...

ESD保护二极管，当是负电压的静电时，可以通过下面的二极管连接到地，如果是证电压的静电时，难道就会流向电源，会发生什么样的情况

如果这个IO口是输入口，是不是也可以看成一个带有内阻的电压源，这电阻是比较大还是比较小？

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18楼
NE5532| | 2013-1-10 19:54 | 只看该作者
你可以理解为这两个二极管为超过电源电压范围的静电开辟了一个“通路”，静电放电是瞬间高脉冲，可以被电源上的滤波电容吸收掉的。

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19楼
醉心369|  楼主 | 2013-1-10 21:28 | 只看该作者
NE5532 发表于 2013-1-10 19:54
你可以理解为这两个二极管为超过电源电压范围的静电开辟了一个“通路”，静电放电是瞬间高脉冲，可以被电源 ...

那意思静电高脉冲就是只有一个高电平，下面的二极管起截止作用，上面的二极管起导通作用，把电荷导走，被电容吸收，是这样的吗？
还有一个问题：如果这个IO口是输入口，是不是也可以看成一个带有内阻的电压源，这电阻是比较大还是比较小？

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20楼
NE5532| | 2013-1-11 08:19 | 只看该作者
不是，静电在两个方向上都可能有，通常负向脉冲更危险。CMOS输入口通常是高阻抗状态，输入电阻在10M量级，但是有输入的寄生电容，没有内部电压源，可以看成一个并联的RC；TTL输入可以看成一个上拉。

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