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IO模拟驱动能力

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ayb_ice| | 2013-1-5 08:01 | 只看该作者
这个取取决于具体的MCU,51永久接地都没有问题的

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ymind| | 2013-1-5 08:43 | 只看该作者
I/O pad驱动能力由工厂工艺和pad类型确定,有些芯片的某些pad的驱动能力还可软件编程指定。具体等效电路,要请教IC模拟/后端工程师。

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地板
zhang7676050| | 2013-1-5 09:10 | 只看该作者
不同的MCU不一样的,同一个mcu的IO口的内部电路也不一定一样

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5
airwill| | 2013-1-5 09:39 | 只看该作者
这书还说得挺详细的哪.
现在的单片机通常会有 纯输入, 准双向, 推挽输出, 开漏输出几种方式, 对外特性完全不同.
具体的单片机, 得仔细看看数据手册的 IO 口部分的说明.

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6
醉心369|  楼主 | 2013-1-5 14:35 | 只看该作者
ayb_ice 发表于 2013-1-5 08:01
这个取取决于具体的MCU,51永久接地都没有问题的

就说51吧,如果IO输出高电平,IO直接接地,该IO口电平不就是0嘛

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7
醉心369|  楼主 | 2013-1-5 14:41 | 只看该作者
airwill 发表于 2013-1-5 09:39
这书还说得挺详细的哪.
现在的单片机通常会有 纯输入, 准双向, 推挽输出, 开漏输出几种方式, 对外特性完全 ...

那意思是无论什么方式,表现出来的特性都如上面所述吧?那请教一下版主,开漏输出的等效电路

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8
airwill| | 2013-1-5 16:42 | 只看该作者
开漏输出,  输出低时就看作是内部一个对地电阻.
输出高时为浮空.

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9
醉心369|  楼主 | 2013-1-5 17:10 | 只看该作者
airwill 发表于 2013-1-5 16:42
开漏输出,  输出低时就看作是内部一个对地电阻.
输出高时为浮空.

多谢!
这句话我看到过,我自己查资料去吧

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10
醉心369|  楼主 | 2013-1-5 21:45 | 只看该作者
找到了开漏输出的电路了,首先这两个二极管的作用是什么,为什么Data为0时,Vgs=VDD?

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NE5532| | 2013-1-5 22:10 | 只看该作者
二极管是ESD保护二极管,不清楚的请Google这个关键词,端口里面的内容你可以不管,只从端口输出状态来看,就是最后一级就可以了。

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醉心369|  楼主 | 2013-1-6 12:28 | 只看该作者
NE5532 发表于 2013-1-5 22:10
二极管是ESD保护二极管,不清楚的请Google这个关键词,端口里面的内容你可以不管,只从端口输出状态来看, ...

如果只看最后一级输出口的话,让output输出为1,并且该口连接比较小的电阻,此时该IO口的电平就不会是高电平了,我就是想弄明白其中的原因。比如说让电源的引脚接一个比较小的电阻,该电源引脚的电平不会改变,但是单片机的电平会改变,我就是想请教出现这现象的原因

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13
NE5532| | 2013-1-6 13:46 | 只看该作者
那是肯定要改变嘛,端口可以看成带一个不小的内阻的电压源,外面接个电阻,你说电压下来不下来?

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14
ZG11211| | 2013-1-6 15:47 | 只看该作者
如果你的单片机IO口是推挽输出,估计楼主你得烧掉一个单片机才会罢休

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15
醉心369|  楼主 | 2013-1-8 21:59 | 只看该作者
NE5532 发表于 2013-1-6 13:46
那是肯定要改变嘛,端口可以看成带一个不小的内阻的电压源,外面接个电阻,你说电压下来不下来? ...

这个IO输出口是不是可以等效为下图这个电路,Rr是一个阻值很大的内阻,如果这个接一个比较大的电阻,其OUTPUT的电平与高电平Vcc的电压相差也很远啊。
是不是当MOS管导通时,d与s是不是就短接了?

IO.PNG (16.21 KB )

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16
NE5532| | 2013-1-8 22:12 | 只看该作者
可以理解为这个电路模型,但是内阻并不是很大,MOS导通以后相当于一个电阻,而不是短接。

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17
醉心369|  楼主 | 2013-1-10 16:29 | 只看该作者
本帖最后由 醉心369 于 2013-1-10 18:07 编辑
NE5532 发表于 2013-1-5 22:10
二极管是ESD保护二极管,不清楚的请Google这个关键词,端口里面的内容你可以不管,只从端口输出状态来看, ...

ESD保护二极管,当是负电压的静电时,可以通过下面的二极管连接到地,如果是证电压的静电时,难道就会流向电源,会发生什么样的情况

如果这个IO口是输入口,是不是也可以看成一个带有内阻的电压源,这电阻是比较大还是比较小?

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18
NE5532| | 2013-1-10 19:54 | 只看该作者
你可以理解为这两个二极管为超过电源电压范围的静电开辟了一个“通路”,静电放电是瞬间高脉冲,可以被电源上的滤波电容吸收掉的。

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19
醉心369|  楼主 | 2013-1-10 21:28 | 只看该作者
NE5532 发表于 2013-1-10 19:54
你可以理解为这两个二极管为超过电源电压范围的静电开辟了一个“通路”,静电放电是瞬间高脉冲,可以被电源 ...

那意思静电高脉冲就是只有一个高电平,下面的二极管起截止作用,上面的二极管起导通作用,把电荷导走,被电容吸收,是这样的吗?
还有一个问题:如果这个IO口是输入口,是不是也可以看成一个带有内阻的电压源,这电阻是比较大还是比较小?

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20
NE5532| | 2013-1-11 08:19 | 只看该作者
不是,静电在两个方向上都可能有,通常负向脉冲更危险。CMOS输入口通常是高阻抗状态,输入电阻在10M量级,但是有输入的寄生电容,没有内部电压源,可以看成一个并联的RC;TTL输入可以看成一个上拉。

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