背景: STM32F217通过FMSC总线接8颗16bit总线的NOR flash.
PC往U盘里面写入文件然后再读取对比文件的时候,发现有时候读出来的文件跟写入的文件有几个字节甚至是很多0x00的差别。
现在想问一下
1、FSMC在执行读写时,ARM内核是阻塞等待所有时序结束才执行下一条指令,还是继续执行下面的指令?
1.1、如果是继续执行下面的指令,那如果上一个读写的时序没有结束,就立即读写下一个bank,是否会导致上一个读写时序不完整?
1.2、如果是继续执行下面的指令,那如何判断上一个读写时序已经结束?
2、ARM内核在读写片上flash和sram时,是否也会产生WE、OE的信号?如果产生,这些信号是否会和FSMC的时序重合?
麻烦高人指教一下.
另外, 使用STM32F217做这个项目,代理商过了1-2个月才给一个参考价和很长的交期. 上面这个问题问了一周了,代理商不回复. 打电话问,FAE还不懂我的问题是什么意思. 让他问ST的相关人员,还扭扭捏捏说ST的人很忙的,不一定会回答.
唉,问都不问,怎么就知道人家不回答呢?
香版主帮忙来看看吧. 谢谢了 |