近来惭愧，请教运放经常遇到的问题

发表于 2013-10-5 12:49

对于传统的运放，例如LM358之类的，你看看图，就知道，其差动输入结构是不对称的。

发表于 2013-10-5 12:50

但对于50，60年代的运放来说，通过电流镜像的方式，大致提供对称的原理，用电流元镜像的确是个方法。虽然并不唯一。

发表于 2013-10-5 12:54

对于电流镜像来差动放大的电路来说，精度不能很高，就是说，即使双电压供电，输入为GND，也是有输出电压的，就是说，就是碧环放大，也是能够测量出失调电压的。

所以LM358之类的运放，VOs不仅存在，而且，很可能虽然共模电压的变化而变化，过去人们常说，使用+接地的电流反馈型运放是最好的，因为此类运放的共模电压始终为0，而不想电压串联负反馈一样，共模电压一致在变化，从而调节过程不如+端接地的。

发表于 2013-10-5 12:57

因此。老式的运放，lm324之类的，因为差动的结构使用了电流镜像，所以Vos，未必能够一致，不同的共模电压，可能导致不同的Vos，但VOs只是对于+ 接地的运放，更有效果，因为共模电压一致为0，调节电阻，使得输出电压在Vos时候，为0就可以了。

所以，多于LM358之类的老式运放，电压串联负反馈之类的应用，Vos可能变化，而且过渡过程也不如那个。

发表于 2013-10-5 13:01

然而，当今的运放，现代运放，都采用另一种形式，来解决最佳的匹配和对称问题。

发表于 2013-10-5 13:04

现代的运放，采用了共模反馈的思想，可以保证最大限度的对称性能，而无需向LM358那样的老式运放一样，靠电流元来镜像了。

过去认为的，+接地的效果更好的方法，未必能够适用于CMFB的运放。

发表于 2013-10-5 13:05

CMFB型的运放，差动输入完全对称，如果采用10nＭ的工艺，那么对称性能，大幅提高，是毫无疑问的。

发表于 2013-10-5 13:05

做到Ｖｏｓ几乎为０，的同时，差动放大倍数足够大，怎么也的１００ｄｂ以上才好。

发表于 2013-10-5 13:07

需要说明的是，使用１０纳米工艺制作２个１ｍｍ三极管，比用１００纳米制造的２个１ｍｍ的三极管，一致性好的多。傻瓜都能理解的道理。

发表于 2013-10-5 13:09

ＣＭＦＢ的运放，虽然对称性一流，但ＦＢ反馈回带来一些过渡过程中问题，是显然的。所以，使用过程中可能会有点其它问题，虽然可能也并不太严重。毕竟反馈中套反馈不是个ｅａｓｙ的问题。

发表于 2013-10-5 13:12

需要再次指出的重要一点就是，对于ＬＭ３５８之类的老式运放，＋－如何互换的话，会出现严重问题。
并非所有的运放电路，都是把－当作反馈端，例如，使用互补的三极管，就可以导致运放＋—的互换，但互换后，放大倍数是严重减小的。

就是说ＬＭ３５８，只有把＋作为输入端的时候，放大倍数才是ｄａｔａｓｈｅｅｔ中给出的，互换，会导致严重缩水。

发表于 2013-10-5 13:12

但对于ＯＰ０７或ＣＭＦＢ的运放来说，＋—可以随意互换，而不会出现ＬＭ３２４之类的问题。

发表于 2013-10-5 13:20

ＯＰ０７和ＣＭＦＢ运放，理论上，ＶＯｓ应该不会随共模输入的变化而变化。
因为对称度已经非常好，Ｖｏｓ也非常小，也未必能虽共模变化而表现的出来。
这很可能是ＬＭ３５８之类的运放的问题。Ｖｏｓ比较大，虽共模电压，可以变化。

发表于 2013-10-5 13:30

hzdyl 发表于 2013-10-5 10:53
既然大家都知道LM358是可以单电源供电的，那么这就与OP07之类的非对称供电，从原理上，没有任何区别。只要O ...

大师，在模拟电路中用正常、不正常不合适吧
就如27楼的情况，供电不合适，产生了不能满足设计需求的误差，
这个电路确定也正常工作了，只是不能满足电路设计的目的而已。你觉得该说电路正常还是不正常？

发表于 2013-10-5 13:52

zyj9490 发表于 2013-10-4 23:13
你有实践过吗，你研究过OP07的内部电路吗？非对称电源电源的供电下，IC的基准点就不是地了。如果+VCC=8，和 ...

这里用基准点似乎有点不合适，静态工作点或许用得上，有点像三极管的静态工作点，运放输入极也就是恒流源偏置的差分电路而已
你在你的那个仪表上用的什么运放？

登录 · 发表于 2013-10-5 13:53

我还吃醋呢，我还喝酱油喽。。。

我就是干这个行业的，你吹牛往这个上吹，不是撞枪口上去了吗？
在微电子呆过半天的人都知道：失配反比于尺寸，不管是电阻还是各种管子。所以设计时，模拟电路一般都要取最小尺寸的2-3倍，比如0.35工艺，最小尺寸Lmin可取0.7um，只有数字电路追求速度的才一律取0.35um.

发表于 2013-10-5 13:54

混合模拟电路ＡＤＣ之类的更多地使用了开关电容方法，一个ＡＤＣ可以完全由电容组成，所以就是成为了数字电路，可以和触发器一起工作了。
１０纳米的切割精度，高于１００纳米的。
试想，１００纳米制作的２个ｍｏｓ，可能有点不一样大小，但如果用１０纳米切割，可以得到１０个，但这２０个ＭＯＳ的偏差，缩小到１００纳米误差的１／１０。所以切割精度高了，匹配一致性也大幅提高了。

发表于 2013-10-5 13:58

简单地说，１００纳米的ＭＯＳ，制造的大小可能不一样，如果是１０％的误差的话，一个ＭＯＳ可能是１１０纳米，一个可能是９０纳米。

但如果采用１０纳米技术，即使误差还是１０％，那么各个ｍｏｓ之间的最大误差，也就是２纳米，相对于１００纳米技术，精度提高了１０倍，ＭＯＳ之间的一致性大大提高了。

发表于 2013-10-5 14:00

还切割精度呢，照这理论，用电锯切割头发丝，比切割大树精度高。因为头发的直径远小于大树的直径。

发表于 2013-10-5 14:02

ＩＣ的尺寸越小，那么ＥＭＣ性能就越好，因为分布电感相对于大尺寸的ＩＣ来说，大幅度减小了。而且ＭＯＳ尺寸也非常的接近，相比于大尺寸ＩＣ的话。虽然小尺寸的ＭＯＳ，可能会有其它的问题，但一致性的大幅提高，是毋庸置疑的。

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