求助：MOS管击穿原因

只看该作者 · 2014-4-14 13:58

wh6ic 发表于 2014-4-14 13:28
原来如此，LZ三张图都不一样，最后17L再爆出来负载是个线圈......
估计LZ不清楚线圈PWM驱动需要续流管保 ...

不好意思，见笑了，这套板硬件部分是一套成熟的产品上用的。我们目前负责改进MCU产生的PWM波部分。频率恰好比原板高出大约５０HZ，所以目前硬件部分出了问题，我们对硬件不了解，所以很是头疼，参考我们测试的情况，原因很大可以就是wh6ic兄分析的情况，烦劳wh6ic兄跟进，如问题能解决，我们将给予小礼物酬谢，有劳了

只看该作者 · 2014-4-14 14:07

xygyszb 发表于 2014-4-14 13:35
稳压管没有必要。

①试着在Q2的栅极和地之间接一个51K电阻。

好的，谢谢xygyszb兄，我尝试一下。

1万 · 2014-4-14 14:54

leeo_js 发表于 2014-4-14 13:58
不好意思，见笑了，这套板硬件部分是一套成熟的产品上用的。我们目前负责改进MCU产生的PWM波部分。频率恰 ...

看线圈储能情况，测一下线圈的电感量。用 1/2 * I * I * L，计算出线圈储能，乘以开关频率，得到续流管耗散功率，续流管通常是用1N5819之类的肖特基管或1N4148之类的开关二极管，如果储能比较大，就需要用到RCD吸收电路，不过看LZ的线圈直流电阻只有2.4欧，且开关频率比较低，估计1N5822或者1N5819就够用了。1N4148的短时过流能力不知道能不能过4~5A

1万 · 2014-4-14 15:02

可以参考下续流二极管接法和吸收电路接法

只看该作者 · 2014-4-14 15:38

我是按第二幅图加了个续流二极管SK56B，不过电路已经工作不正常了。栅极波形如下图。

1万 · 2014-4-14 16:01

leeo_js 发表于 2014-4-14 15:38
我是按第二幅图加了个续流二极管SK56B，不过电路已经工作不正常了。栅极波形如下图。 ...

换新的IRF640、新的SK56B、新三极管，再试试

只看该作者 · 2014-4-14 16:13

wh6ic 发表于 2014-4-14 16:01
换新的IRF640、新的SK56B、新三极管，再试试

嗯，管子没问题，我拆掉那个二极管就又正常了。我在SK56B后面串了个1812/ 330欧的电阻后也可以工作了，不过不知道这样效果如何，一会上去测试下了。

只看该作者 · 2014-4-14 17:09

刚测了下，加了续流管和电阻后，MOS管发热比以前小多了，不过这个电阻太烫了，通电10多秒就冒烟了，我手上没有合适的电阻，用了4只1812/330R并联使用的。

1万 · 2014-4-14 17:09

leeo_js 发表于 2014-4-14 16:13
嗯，管子没问题，我拆掉那个二极管就又正常了。我在SK56B后面串了个1812/ 330欧的电阻后也可以工作了，不 ...

SK56尽量紧贴线圈，引线越短越好。
需要看一下你的漏极对地波形（看下降沿、上升沿，Time打到1uS或2uS档）

1万 · 2014-4-14 17:12

leeo_js 发表于 2014-4-14 17:09
刚测了下，加了续流管和电阻后，MOS管发热比以前小多了，不过这个电阻太烫了，通电10多秒就冒烟了，我手上 ...

看样子线圈的储能相当大，可能要功率大些的小阻值电阻。需要测一下电感量。

只看该作者 · 2014-4-14 17:23

wh6ic 发表于 2014-4-14 17:12
看样子线圈的储能相当大，可能要功率大些的小阻值电阻。需要测一下电感量。 ...

线圈测了下,1.1-1.2mh

只看该作者 · 2014-4-14 17:35

本帖最后由 leeo_js 于 2014-4-14 17:37 编辑

漏极波形(我这个500us才有测量数据显示）

1万 · 2014-4-14 17:44

leeo_js 发表于 2014-4-14 17:35
漏极波形(我这个500us才有测量数据显示）

尖峰已经超过200V了。
按电感数： 1/2 * I * I * L = 0.5*4.7*4.7*0.0011 J = 12mJ，按430Hz就是5W多了！要10W的水泥电阻了，640耐压200V，电阻必须小于（200-12）V/4.7A = 40欧！可以用22欧电阻或者再小一点的阻值

只看该作者 · 2014-4-14 17:49

wh6ic 发表于 2014-4-14 17:44
尖峰已经超过200V了。
按电感数： 1/2 * I * I * L = 0.5*4.7*4.7*0.0011 J = 12mJ，按430Hz就是5W多了！ ...

越来越复杂了，唉，改进下散热，不加续流管行不行呢，毕竟430hz我们测到现在快10W次一点问题都没有。

只看该作者 · 2014-4-14 18:32

在栅极串一个几欧姆或几十欧姆的驱动电阻试试！

3万 · 2014-4-14 18:44

leeo_js 发表于 2014-4-14 17:49
越来越复杂了，唉，改进下散热，不加续流管行不行呢，毕竟430hz我们测到现在快10W次一点问题都没有。 ...

听33楼wh6ic的吧，那是正规的解决方法。

只看该作者 · 2014-4-14 19:03

本帖最后由 xygyszb 于 2014-4-14 19:23 编辑

此法不正确，勿看了:lol
听33楼的

只看该作者 · 2014-4-14 19:11

另外前面也提到了，MOS的栅极驱动最好串接10R（几Ω到100R不等）电阻。
具体的原因我也说不好，这个可以去看看MOS的详细介绍（比较复杂），大体意思是：MOS的栅极和源极、和漏极存在寄生电容。
通过R值可以调节导通时间，R值大，导通时间延长；R值小，导通时间小。导通时间即MOS的开关时间，MOS的发热主要是在开关状态引起的，开关状态下，MOS的阻值线性变化，产生的热量也最大。