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求助：MOS管击穿原因

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楼主: leeo_js
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41楼
leeo_js|  楼主 | 2014-4-14 21:48 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览
唉，刚那种是改成这样有改善么？图中那个CM1303不知道是个什么管子。现在的板子没法用了，要是这样可行，得重新做板了

pwm_new.jpg (52.14 KB )

pwm_new.jpg

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42楼
zyj9490| | 2014-4-14 22:01 | 只看该作者
本帖最后由 zyj9490 于 2014-4-14 22:02 编辑

在负载端并联二个大功率的肖特基管就行，能受11W的功耗，限压在100V左右。以上搞得趆来赿复杂了。二个管子是串联在一起，总限压在100V左右。

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43楼
leeo_js|  楼主 | 2014-4-14 22:25 | 只看该作者
zyj9490 发表于 2014-4-14 22:01
在负载端并联二个大功率的肖特基管就行，能受11W的功耗，限压在100V左右。以上搞得趆来赿复杂了。二个管子 ...

直接在负载上并肖特基后，板子工作不正常。不知何故，栅极波形如25#贴图所示。

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44楼
zyj9490| | 2014-4-14 22:29 | 只看该作者
leeo_js 发表于 2014-4-14 22:25
直接在负载上并肖特基后，板子工作不正常。不知何故，栅极波形如25#贴图所示。 ...

你说的工作不正常，指的是什么？不能给负载通电。吗？

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45楼
zyj9490| | 2014-4-14 22:35 | 只看该作者
我明白了不能直接接肖特基管的，应接P6KE120才对，接肖特基，正向导通时，才0.4V时，能量根本消耗不了在一个周期内。

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46楼
leeo_js|  楼主 | 2014-4-14 22:58 | 只看该作者
直接接肖特基，线圈的作用明显减弱了，变成了一个类似于纯电阻的负载了，相当于电源直接通过线圈短路了。

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47楼
leeo_js|  楼主 | 2014-4-14 23:06 | 只看该作者
本帖最后由 leeo_js 于 2014-4-14 23:07 编辑
zyj9490 发表于 2014-4-14 22:35
我明白了不能直接接肖特基管的，应接P6KE120才对，接肖特基，正向导通时，才0.4V时，能量根本消耗不了在一 ...


用P6KE120，要并在DS上吧？

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48楼
鸟鸟| | 2014-4-14 23:45 | 只看该作者

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49楼
不亦心| | 2014-4-15 00:19 | 只看该作者
既然容不下大体积功率电阻，不妨让MOS更热情四射一点，尝试加个电容，MOS再分担一点放电电流。。。

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wh6ic + 5 很给力!
50楼
Lgz2006| | 2014-4-15 06:31 | 只看该作者
楼主的确不是搞硬电路的
先说说“负载线圈“所要求的工作特点
再说明频率提高后更重要的脉宽是多少
然后61C差不多就解决了

再说明频率提高后脉宽是多少
61C差不多就能解决了

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51楼
Lgz2006| | 2014-4-15 08:03 | 只看该作者
手机看不清
楼主请提供负载工况要求
稍微详细提供当频率变化时，脉宽变化情况
脱离这两个，都是闭眼乱谈

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52楼
elec921| | 2014-4-15 11:35 | 只看该作者
leeo_js 发表于 2014-4-14 21:48
唉，刚那种是改成这样有改善么？图中那个CM1303不知道是个什么管子。现在的板子没法用了，要是这样可行，得 ...

D2位置不对

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53楼
leeo_js|  楼主 | 2014-4-15 12:36 | 只看该作者
Lgz2006 发表于 2014-4-15 08:03
手机看不清
楼主请提供负载工况要求
稍微详细提供当频率变化时，脉宽变化情况

只是频率提高，占空比不变。7：3

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Lgz2006 2014-4-15 12:51 回复TA
两个，不是一个 
54楼
leeo_js|  楼主 | 2014-4-15 12:37 | 只看该作者
elec921 发表于 2014-4-15 11:35
D2位置不对

这个Cm1303不知道是何元件，这是参考另一块成品板的电路画的图。

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55楼
wh6ic| | 2014-4-15 12:39 | 只看该作者
leeo_js 发表于 2014-4-14 21:48
唉，刚那种是改成这样有改善么？图中那个CM1303不知道是个什么管子。现在的板子没法用了，要是这样可行，得 ...

比较靠谱的是按第一张图加RCD吸收，不过需要安排10W的功率电阻
可以尝试加大640的散热片
也可以考虑：将线圈能量导回+12V电源，不过需要大改PCB
还可以考虑：如果你的线圈有运动的铁芯、衔铁之类存在，那么动作电流和维持电流是不一样的，查出维持电流具体是多大可以保证动作的可靠性，在线圈和MOSFET间串联：（电阻并联电解电容）实现导通时通过电容提供动作电流，电容充满后电阻减小电流为维持电流的办法减小线圈储能

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56楼
leeo_js|  楼主 | 2014-4-15 12:42 | 只看该作者
不亦心 发表于 2014-4-15 00:19
既然容不下大体积功率电阻，不妨让MOS更热情四射一点，尝试加个电容，MOS再分担一点放电电流。。。 ...

版主意思是在栅极并个电容么？多大才合适呢？

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57楼
leeo_js|  楼主 | 2014-4-15 12:54 | 只看该作者
wh6ic 发表于 2014-4-15 12:39
比较靠谱的是按第一张图加RCD吸收，不过需要安排10W的功率电阻
可以尝试加大640的散热片
也可以考虑：将 ...

wh6ic兄提供的加RCD吸收确实很完美，MOS管的温度低了很多，不过很遗憾我这边的产品加不了，而且也做不了太大的改动，我先尝试加大散热看看了

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58楼
wh6ic| | 2014-4-15 12:56 | 只看该作者
leeo_js 发表于 2014-4-15 12:42
版主意思是在栅极并个电容么？多大才合适呢？

好办法！
在MOSFET 源、漏间并电容，每次12mJ，按200V-12V 算，并个474/400V就差不多了；如果不想用高压的，可以按充电到30V算，并33uF/35V电解。

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59楼
不亦心| | 2014-4-15 13:06 | 只看该作者
本帖最后由 不亦心 于 2014-4-15 13:07 编辑
leeo_js 发表于 2014-4-15 12:42
版主意思是在栅极并个电容么？多大才合适呢？


看了33L和36L的回复，你肿么还在栅极驱动上动脑筋呢:L:L

你要想办法将感性负载存储的能量泄放掉，直接转化为热在电阻上耗散掉，体积太大，你接受不了，所以就建议试试关断的时候先把感性负载的能量部分转化到电容里，然后开关开通的时候通过MOS泄放掉，避免用大体积功率电阻（电容的个头要根据实际情况算一下，看看会不会比功率电阻小点），你思考一下电容应该在哪里

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60楼
leeo_js|  楼主 | 2014-4-15 13:10 | 只看该作者
wh6ic 发表于 2014-4-15 12:56
好办法！
在MOSFET 源、漏间并电容，每次12mJ，按200V-12V 算，并个474/400V就差不多了；如果不想用高压 ...

嗯，我买点元件回来试下了

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