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MOS管降压电路求解惑

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21楼
POGOPLANE| | 2014-5-13 15:17 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览
路过······

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22楼
confi|  楼主 | 2014-5-13 15:18 | 只看该作者
戈卫东 发表于 2014-5-13 15:11
减少一两个电阻，但却用了一个难以采购并且可能价格贵很多的元件，应该不能算是好的设计，除非体积的要求非 ...

它的Power_IN端的输入电压范围是8~60V，最大是60V。当它输入为8V时，用增强型MOS管就不行，源极输出的电压太小了，只有4点几伏，以前做过实验。还是得用增强型MOS管

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23楼
戈卫东| | 2014-5-13 15:21 | 只看该作者
耗尽型MOS在VGS＝0的时候是导通的，所以它可以给LDO提供“启动”电压。它的好处是如果60V输入是变化的，LDO的输入电压变化要小得多，有很好的预稳压作用。

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24楼
wanghuide123| | 2014-5-13 15:21 | 只看该作者
哪位大虾用过国外的电容式触控芯片，可否告知

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25楼
confi|  楼主 | 2014-5-13 15:25 | 只看该作者
戈卫东 发表于 2014-5-13 15:21
耗尽型MOS在VGS＝0的时候是导通的，所以它可以给LDO提供“启动”电压。它的好处是如果60V输入是变化的，LDO ...

让我不解的是它这个电路，MOS的栅极G直接接LDO的输出是个什么接法？

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26楼
戈卫东| | 2014-5-13 15:26 | 只看该作者
confi 发表于 2014-5-13 15:18
它的Power_IN端的输入电压范围是8~60V，最大是60V。当它输入为8V时，用增强型MOS管就不行，源极输出的电 ...

。。。。。。。。。。。。。。。。。。

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27楼
戈卫东| | 2014-5-13 15:29 | 只看该作者
confi 发表于 2014-5-13 15:25
让我不解的是它这个电路，MOS的栅极G直接接LDO的输出是个什么接法？

因为它要给栅极提供一个稳定的电压。为了降低LDO的发热这个电压不应该太高，为了LDO的输出性能它又应该比LDO的额定输出电压高上个几伏，而某些耗尽型MOS那个接近3V的夹断电压正好可以利用。。。。。

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28楼
confi|  楼主 | 2014-5-13 15:41 | 只看该作者
戈卫东 发表于 2014-5-13 15:29
因为它要给栅极提供一个稳定的电压。为了降低LDO的发热这个电压不应该太高，为了LDO的输出性能它又应该比 ...

但是我觉得应该是先栅极G有电压，LDO才应该会输出5V啊。栅极没有电压，LDO肯定不会输出5V

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29楼
chungcountryman| | 2014-5-13 15:44 | 只看该作者
同问开始时栅极G的5V是哪来的？

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30楼
戈卫东| | 2014-5-13 16:08 | 只看该作者
confi 发表于 2014-5-13 15:41
但是我觉得应该是先栅极G有电压，LDO才应该会输出5V啊。栅极没有电压，LDO肯定不会输出5V
...

如果LDO的输入不够5V它输出为0，那么这个电路不能工作。
不过一般来说不会是这样。比如LDO输入为2V时它的输出也许是1.9V，这样MOS的栅极电压也跟着升高，直到LDO输出5V稳定，MOS也进入稳定的线性状态。

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31楼
wandahang| | 2014-5-13 16:08 | 只看该作者
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32楼
yangdiandong| | 2014-5-13 16:52 | 只看该作者
wanghuide123 发表于 2014-5-13 15:21
哪位大虾用过国外的电容式触控芯片，可否告知

新思的你了解下，最早笔记本的触控板基本都是新思方案

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33楼
miwu7| | 2014-5-13 17:31 | 只看该作者
想问问这个电路的最大负载能力是多少？  S极的电流大约是多少？

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34楼
confi|  楼主 | 2014-5-13 22:52 | 只看该作者
miwu7 发表于 2014-5-13 17:31
想问问这个电路的最大负载能力是多少？  S极的电流大约是多少？

实际测得S极电流是200多mA，最大负载能力还不知道，没那样测过，就是目前可以满足我们的需求。

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35楼
confi|  楼主 | 2014-5-13 22:54 | 只看该作者
戈卫东 发表于 2014-5-13 16:08
如果LDO的输入不够5V它输出为0，那么这个电路不能工作。
不过一般来说不会是这样。比如LDO输入为2V时它的 ...

感觉您这是一个合理的解释，可以解释的通。不过就是不好验证，呵呵。

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36楼
Lgz2006| | 2014-5-14 07:40 | 只看该作者
楼主想象力太丰富，它除了能够具有“静态启动”之外，没有“预稳压”作用
若将耗尽型转移特性右移若干伏，就是标准增强型了，如下图


这也是16楼戈卫东的意思
现在楼主和大家可以一起去分析了

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37楼
woshizhengjie89| | 2014-5-14 08:53 | 只看该作者
是样做，，，效率是不是太低了呢，MOS管消耗功率太大，5/60=1/12,

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38楼
宋业科| | 2014-5-14 09:06 | 只看该作者
本帖最后由 宋业科 于 2014-5-14 09:10 编辑

11楼说的正解。

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39楼
grasswolfs| | 2014-5-14 09:23 | 只看该作者
这个不常见，说巧妙可以，但是也可以认为是一种特别的方案，习惯了DCDC-CLC-LDO模式，再来别的不习惯

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40楼
qhdjxy| | 2014-5-14 09:31 | 只看该作者
确实有反馈作用，初始状态Vgs=0V，MOS管打开，LDO输出5V。MOS夹断电压手册上说是-3V，所以当S级电压大于8V时，Vgs<-3V，MOS夹断，重复之前过程。因此将S级电压钳制在8V以下。
不过DCDC+LDO为什么不行啊？我做过的检测电路都是这样做的，只要把DCDC离模拟部分远点EMC就能过啊。

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