本帖最后由 不亦心 于 2014-6-25 09:28 编辑
说明一点，以前用新的用户名发过此贴，由于没有上传图片的权限只开了一个头，现在找回了多年前注册的用户名重新完善此贴！
本逆变器基本配置如下：
1.前级功率管：用的是**半导体80V大电流系列MOS管，电流等级有140A（HY3408),170A(HY3708),200A(HY4008),现在上机测试的是的HY3708*16，参数为80V170A,内阻为3.8MR(typ).4.5MR（max）;
2.前级驱动IC:SG3525+MIC4452
3.变压器：一共4个，每个设计功率1250W,磁芯为PQ50。初级28*0.3mm铜皮3T+3T,次级28*0.15mm铜皮12T。
4.高压整流管：RHRG7560*4;
5.后级功率管：80N60，一共8只IGBT;
6.后级驱动的主芯片：EG8010+IR2110；
7.推挽软开关电路和硬开关电路对比。
这里说明下的是，EG8010用了非官方的接法，已经做到每路驱动都是10MS工作在50HZ方波，10MS工作在SPWM高频载波，这样的好处是可以消除过零点的振荡，还可以做到4路功率管发热和寿命均等。我这种接法的优点是已经不需要另外用4081做死区，死区时间还是由EG8010设置。
先上个板子的图片吧，以后再详细介绍：
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