PIC 如果要驱动场效应管，要如何操作

发表于 2014-7-15 08:27

有人说，可以直接驱动
有人说，加限流电阻后，驱动
有人说，加三极管后，驱动
请问，哪种是正确的驱动方式

发表于 2014-7-15 11:43

都可以是正确的，但第一种方式，在不正确的代码操作下，可能会出现异常。

如果为了稳妥，可以加独立的驱动。

发表于 2014-7-15 12:44

Microchip网站上有篇Application Note讲怎么驱动MOSFET的。

发表于 2014-7-15 17:24

应该加一个限流电阻,这样比较安全
另外,还要仔细查看场效应管的数据手册,看看它的栅极触发电压是多少?
当然最起码的还要搞清除P沟或N沟

发表于 2014-7-16 21:51

单片机的驱动输出要符合场效应管的驱动需求，否则需要单独设计驱动电路。

发表于 2014-7-18 08:07

栅极触发电压是多少? 这个最主要的指标单片机直接能驱动的属于低压差的MOSEFT

发表于 2014-7-28 11:26

kamen588 发表于 2014-7-18 08:07
栅极触发电压是多少? 这个最主要的指标单片机直接能驱动的属于低压差的MOSEFT ...

您好。
MOSFET 触发的瞬间，需要大电流，请问这个大电流应该从MOSFET规格书中哪项来看出？能否举个例子，任意MOSFET的。

发表于 2014-7-28 11:27

ZG11211 发表于 2014-7-16 21:51
单片机的驱动输出要符合场效应管的驱动需求，否则需要单独设计驱动电路。 ...

您好。
MOSFET 触发的瞬间，需要大电流，请问这个大电流应该从MOSFET规格书中哪项来看出？能否举个例子，任意MOSFET的都可以。

发表于 2014-7-28 11:28

kuheye 发表于 2014-7-15 17:24
应该加一个限流电阻,这样比较安全
另外,还要仔细查看场效应管的数据手册,看看它的栅极触发电压是多少?
当然 ...

您好。
MOSFET 触发的瞬间，需要大电流，请问这个大电流应该从MOSFET规格书中哪项来看出？能否举个例子，任意MOSFET的都可以。

发表于 2014-7-28 11:29

lanmp 发表于 2014-7-15 12:44
Microchip网站上有篇Application Note讲怎么驱动MOSFET的。

弱弱的问下 NOTE的编号能否告知下，给点关键词吧。

发表于 2014-7-28 12:48

xiaxiaotao 发表于 2014-7-28 11:28
您好。
MOSFET 触发的瞬间，需要大电流，请问这个大电流应该从MOSFET规格书中哪项来看出？能否举个例子， ...

根据栅电荷QG和输入电容CISS评估，高频开关电路中还需要考虑上升沿和下降沿时间。

发表于 2014-7-28 13:01

yewuyi 发表于 2014-7-15 11:43
都可以是正确的，但第一种方式，在不正确的代码操作下，可能会出现异常。

如果为了稳妥，可以加独立的驱动 ...

您好。
MOSFET 触发的瞬间，需要大电流，请问这个大电流应该从MOSFET规格书中哪项来看出？能否举个例子，任意MOSFET的都可以。

发表于 2014-7-28 13:28

xiaxiaotao 发表于 2014-7-28 11:29
弱弱的问下 NOTE的编号能否告知下，给点关键词吧。

AN786

发表于 2014-7-28 13:34

xiaxiaotao 发表于 2014-7-28 13:01
您好。
MOSFET 触发的瞬间，需要大电流，请问这个大电流应该从MOSFET规格书中哪项来看出？能否举个例子， ...

从MOSFET驱动要求的上升沿和下降沿的速度要求，和MOSFET上那个寄生电容容值可以看出来需要瞬间大电流。

如果沿跳变太慢，MOSFET的开关损耗太大，则发热巨大，甚至会导致爆管。

http://baike.baidu.com/view/8757972.htm?fr=aladdin

我没翻具体的MOSFET的规格书。

用MCU的IO驱动MOSFET，必须要求IO具备强上拉和强下拉驱动能力。

发表于 2014-7-28 13:35

理论上，MCU的IO驱动MOSFET不是在任何MOSFET上都可以，最终要看能否保证驱动的沿变化要求。

发表于 2014-7-28 15:03

yewuyi 发表于 2014-7-28 13:34
从MOSFET驱动要求的上升沿和下降沿的速度要求，和MOSFET上那个寄生电容容值可以看出来需要瞬间大电流。

...

谢谢

发表于 2014-7-28 15:45

驱动MOSFET并不需要多少的电流，这个东西是电压型，不是电流型的

发表于 2014-7-28 17:44

通常MOSFET有可观的Gate极电容，要提高开关效率，必须尽可能快地对Gate极电容充电或放电。对于功率很小又不是频繁开关的应用，用单片机IO直接驱动也无不可（单片机IO最多20mA)。但是对于稍大功率或频繁开关的应用场合，一定要对Gate极采用合适电流的驱动（MOSFET的功耗大部分在开和关的瞬间），否则发热、冒烟或者炸管。针对各种MOSFET有很多MOSFET Driver的产品，例如AN786提到的。当然出于成本考虑也有很多应用采用三极管来搭成MOSFET Driver，例如电动自行车基本都是三极管搭的Driver。

发表于 2014-7-29 15:25

建议加个电阻和二极管，比较保险。

发表于 2014-7-30 16:45

小鱼儿1045 发表于 2014-7-29 15:25
建议加个电阻和二极管，比较保险。

您好，
单片机输出口驱动电压是5V的，串电阻载串二极管，那MOEFET VGS只有4.3V了啊。
串电阻和二极管是为了什么？
串电阻是为了防止MOSFET GS短路导致单片机烧坏？
串二极管是为了防止MOSFET DG短路，导致单片机烧坏？

[PIC®/AVR®/dsPIC®产品] PIC 如果要驱动场效应管，要如何操作

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