系统电池供电,电压2V5左右可变,期望使用一个GPIO给 电容//电阻 的组合充电,然后GPIO突然变成高阻态,使用ADC来检测电容电阻的放电时间,GPIO翻转的时候检测一下电容电压,然后不停检测ADC,待电容电压下降到63%,经过的时间T就是RC时间常数,从而计算出电容值。由于单片机工作频率和待测电容范围的原因,放电电阻只能限制在1K~10K之间,目前使用1K。
电路如下图,GPIO拉灌电流能力不足,Q1用来快速给C充电。又由于ADC的输入电阻大致为1K欧数量级,直接接在C上会影响放电的等效电阻,因此拟增加一级射极跟随器Q2电路,将ADC的影响最小化。
但是问题来了,经过两级三极管,本来不高的系统电压2V5已经降低到2V左右,三极管Q2没有正确的工作点,无法完整跟随C的放电曲线(②点和①点的曲线不同,②点才放电到0.7V的时候,①点已经由于Q2不导通变成0V了)。 请问各位大侠有什么低成本的解决方法?
蓝色为1K//1uF正常放电曲线,黄色为射极跟随器后畸变曲线。
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